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基于HEMT新型结构的140 GHz单片次谐波混频器
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作者 王晓宇 周静涛 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期310-313,共4页
在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器... 在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器更加便于与接收系统中的HEMT放大器进行单片集成,极大的减少了混频器与放大器集成的损耗误差。本文根据已有的SBD等效模型对源漏短接结构的HEMT器件进行建模和提参,通过采用HFSS与ADS联合仿真的方式进行混频器的设计,最终仿真结果为在130 GHz-150 GHz范围内,变频损耗为24.6 dB到26.2 dB,本振功率为20 dBm,中频带宽为1 GHz。 展开更多
关键词 HEMT二极管 APDP 单片次谐波混频器
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