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陕西眉县单片膜瓣叶蝉种群动态及色板诱捕作用研究
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作者 耿彪 张皓 +1 位作者 李建军 秦道正 《西北农业学报》 北大核心 2025年第2期379-386,共8页
采用数叶调查法、黄板诱捕法及有关分析软件,研究陕西眉县猕猴桃园重要害虫单片膜瓣叶蝉的种群消长动态,以及黄板不同悬挂高度及方向对单片膜瓣叶蝉诱捕作用的影响,为单片膜瓣叶蝉的绿色防控奠定基础。结果表明:陕西眉县猕猴桃单片膜瓣... 采用数叶调查法、黄板诱捕法及有关分析软件,研究陕西眉县猕猴桃园重要害虫单片膜瓣叶蝉的种群消长动态,以及黄板不同悬挂高度及方向对单片膜瓣叶蝉诱捕作用的影响,为单片膜瓣叶蝉的绿色防控奠定基础。结果表明:陕西眉县猕猴桃单片膜瓣叶蝉若虫发生呈三峰型曲线变化,成虫发生呈双峰型曲线变化,6月成虫虫口开始快速上升,7月中旬到达第1个发生高峰,9月下旬出现第2个发生高峰;5月若虫虫口开始快速上升,发生高峰期分别出现在5月上旬,6月初和7月中旬;黄板对单片膜瓣叶蝉的诱捕效果最好,绿板其次,蓝板和白板对叶蝉的诱捕效果较差;不同月中黄板悬挂高度对单片膜瓣叶蝉的诱捕效果不同,6月和8月距地面60 cm、90 cm、120 cm和150 cm 4个悬挂高度之间效果不存在明显差异,7月距地面90 cm处效果最好,10月距地面150 cm处效果最好。 展开更多
关键词 单片膜瓣叶蝉 种群动态 色板 诱捕
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单片液晶投影技术发展研究
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作者 许哲 《信息技术与标准化》 2025年第1期58-63,共6页
为推动具备我国自主知识产权的单片液晶投影技术及其标准进展,通过梳理现有投影显示技术,选取市场上销量前13的单LCD投影产品进行全面综合分析。总结了目前单LCD投影产品的优势和不足,提出了在单LCD投影市场规模快速增长的趋势下行业的... 为推动具备我国自主知识产权的单片液晶投影技术及其标准进展,通过梳理现有投影显示技术,选取市场上销量前13的单LCD投影产品进行全面综合分析。总结了目前单LCD投影产品的优势和不足,提出了在单LCD投影市场规模快速增长的趋势下行业的发展方向,为提升单LCD投影行业能力以及对新型显示技术标准的编制提供数据支撑。 展开更多
关键词 投影技术 单片液晶投影 LCD显示 显示性能检测 数据分析
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单片集成式高响应光电探测器件设计
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作者 李明 傅婧 +2 位作者 蒋君贤 刘戈扬 倪飘 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第5期687-692,共6页
针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路... 针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路的设计与仿真,实现了器件的单片集成、工艺技术融合和高响应光电探测。测试结果表明,该器件光电响应特性和信号处理功能正常,实现了高响应(峰值响应达到0.462 A/W)、快数据输出速率(最大达12 Mbd)、低传输延迟(小于41.8 ns)、低输出逻辑电平(0.15 V)、低输出漏电(小于1.5μA)等光电探测要求。所设计的器件整体技术性能优异,可满足小型化、高集成、低成本的光电探测系统应用要求。 展开更多
关键词 单片集成 高响应光电探测 低延迟低漏电输出
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硅基GaN单片功率集成电路的研制
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作者 吕树海 谭永亮 +2 位作者 默江辉 周国 付兴中 《通讯世界》 2024年第8期1-3,共3页
研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片... 研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。 展开更多
关键词 硅基GAN 单片集成功率IC 增强型器件 耗尽型器件
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降胆固醇单片复方制剂临床应用中国专家共识 被引量:1
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作者 中国医师协会心血管内科医师分会 葛均波 +3 位作者 赵冬 陈桢玥 王箴 彭道泉 《中国循环杂志》 CSCD 北大核心 2024年第5期433-443,共11页
有效的血脂管理可显著降低动脉粥样硬化性心血管疾病(atherosclerotic cardiovascular disease,ASCVD)负担,但目前我国ASCVD患者血脂管理仍面临血脂达标率低、治疗依从性不佳的现状。越来越多的证据显示,他汀和非他汀类药物组成的单片... 有效的血脂管理可显著降低动脉粥样硬化性心血管疾病(atherosclerotic cardiovascular disease,ASCVD)负担,但目前我国ASCVD患者血脂管理仍面临血脂达标率低、治疗依从性不佳的现状。越来越多的证据显示,他汀和非他汀类药物组成的单片复方制剂(single-pill combination,SPC)对于提高血脂达标率、改善治疗依从性及预防不良心血管事件具有重要意义。为了规范我国降胆固醇SPC的临床应用,中国医师协会心血管内科医师分会组织国内心血管、脑血管、内分泌及药理学专家共同制定了《降胆固醇单片复方制剂临床应用中国专家共识》。本共识对SPC的临床应用优势及临床研究进行了阐述,并制定了ASCVD防治血脂管理路径,对SPC的适用人群、用法用量、不良反应处理等给出了明确的指导意见。 展开更多
关键词 单片复方制剂 动脉粥样硬化心血管疾病 血脂管理 胆固醇 联合治疗
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培哚普利氨氯地平单片复方制剂治疗高血压的临床综合评价 被引量:1
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作者 吴娟 涂雪艳 +3 位作者 龙萍 曾露 王璐 魏安华 《药物流行病学杂志》 CAS 2024年第11期1265-1275,共11页
目的评价高血压治疗中培哚普利氨氯地平单片复方制剂(SPC)的临床综合价值,为医疗机构药品遴选和合理使用提供循证依据。方法基于文献研究和专家论证法,构建临床综合评价指标体系,围绕药品安全性、有效性、经济性、创新性、适宜性和可及... 目的评价高血压治疗中培哚普利氨氯地平单片复方制剂(SPC)的临床综合价值,为医疗机构药品遴选和合理使用提供循证依据。方法基于文献研究和专家论证法,构建临床综合评价指标体系,围绕药品安全性、有效性、经济性、创新性、适宜性和可及性进行定性和定量分析。结果共纳入12篇文献报道培哚普利氨氯地平SPC有效性和安全性相关结局指标。培哚普利氨氯地平SPC安全性较好,与单药、单药联合或其他降压SPC相比,治疗期间不良事件发生率差异无统计学意义。有效性方面,培哚普利氨氯地平SPC降压疗效明确,能显著降低患者收缩压、舒张压、脉压差和心率,血压控制达标率优于氨氯地平或培哚普利单药组;与其他降压SPC相比,表现出更优或非劣效果。培哚普利氨氯地平SPC作为专利药品,具有较好创新性,患者用药依从性高,且已纳入我国医保目录,但目前医疗机构配备率偏低,药品价格和可负担性仍处于相对较高水平。结论培哚普利氨氯地平SPC在安全性、有效性、适宜性和创新性上具有显著优势,但经济性和可及性仍有待提高。 展开更多
关键词 培哚普利氨氯地平 单片复方制剂 高血压 药品临床综合评价
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GaAs单片移相器设计 被引量:5
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作者 周志鹏 杜小辉 代合鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第4期54-57,共4页
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0... 本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合. 展开更多
关键词 GaAs单片移相器 单片微波集成电路 GaAs工艺原型 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片移相器 设计 GAAS 高电子迁移率晶体管 3.5GHz 仿真结果 0.5μm 五位移相器 微波集成
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辽东湾多锚单片张网鱼虾分离网片的选择性研究
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作者 秦旭杨 张春鹏 +7 位作者 崔筱杰 宋明元 龚德华 武文轩 殷雷明 徐鹏翔 田涛 邢彬彬 《渔业现代化》 CSCD 北大核心 2024年第1期106-112,共7页
为掌握分离网片对多锚单片张网渔获分离效果的影响,解决鱼虾混获问题,采用主网衣网目尺寸为18 mm及加装35 mm网目尺寸的分离网片试验网,在辽东湾海域进行4网次有效生产试验研究。结果显示:网兜中的渔获种类以鱼类为主,约占网兜总渔获数... 为掌握分离网片对多锚单片张网渔获分离效果的影响,解决鱼虾混获问题,采用主网衣网目尺寸为18 mm及加装35 mm网目尺寸的分离网片试验网,在辽东湾海域进行4网次有效生产试验研究。结果显示:网兜中的渔获种类以鱼类为主,约占网兜总渔获数量的85.0%,其中棘头梅童鱼(Collichthys lucidus)和斑尾刺虾虎鱼(Acanthogobiu sommaturus)的尾数分离率为79.76%、82.90%,优势体长组主要集中在91~110 mm和101~120 mm;网囊中的渔获种类以虾类为主,占网囊总渔获数量的80.0%以上,葛氏长臂虾(Palaemon gravieri)与中华安乐虾(Eualus sinensis)的尾数分离率为85.92%、85.47%,优势体长组主要集中在51~70 mm和31~50 mm。研究表明,加装分离网片后,试验网对渔获优势种分离效果明显,且能够为渔民带来较好的经济效益,本研究成果可为中国多锚单片张网的结构优化提供参考。 展开更多
关键词 多锚单片张网 鱼虾分离网 渔具选择性 海洋捕捞 辽东湾
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用于单片集成传感系统的多晶硅级联自发光器件研究
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作者 唐宇 罗谦 +2 位作者 刘斯扬 SNYMAN Lukas W 徐开凯 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期180-188,共9页
针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结... 针对全硅光电生物传感器的硅基单片集成应用需求,提出了基于多晶硅级联自发光器件的单片集成传感器,对其中作为关键部分的多晶硅光源进行了试制,采用标准0.35μm的CMOS工艺对该光源进行了流片验证,并设计了适配的全硅波导检测结构。结果表明,多晶硅光源发光特征峰为635 nm、700 nm和785 nm,该特征峰作为波导入射光源时,设计的全硅波导检测结构能够实现检测目的。 展开更多
关键词 单片集成 硅基光源 氮化硅波导 生物传感器 折射率传感
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截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
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作者 代鲲鹏 纪东峰 +4 位作者 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期384-389,F0002,共7页
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该... 通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD管芯制备了平衡式三倍频单片集成电路,室温下三倍频电路在305~330 GHz频段内连续波饱和输出功率大于10 mW,带内最大输出功率达25 mW,最高倍频效率达到3.3%。 展开更多
关键词 GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线
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基于选区外延法的单片异质集成GaN/Si的研究
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作者 程骏骥 戚翔宇 +4 位作者 王思亮 王鹏 黄伟 胡强 杨洪强 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第4期558-563,共6页
将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提... 将GaN器件与Si集成电路进行单片异质集成是当前微电子领域的前沿研究方向之一,而直接从材料定义系统的选区外延法是其中最具潜力的技术途径。针对选区外延法的实施过程中,选区外延GaN的高温过程会严重影响已制Si集成电路功能的问题,提出一种MOSFET沟道热扩裕量预留技术,并通过理论分析和仿真实验验证了该技术的可行性与有效性。研究结果克服了选区外延法的固有缺陷,能够在实现GaN/Si单片异质集成的同时,保障Si集成电路的功能,为单片异质集成GaN/Si技术的发展提供了有益新思路。 展开更多
关键词 GaN/Si单片异质集成 选区外延 热扩裕量预留技术
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氮化镓基单片功率集成技术
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作者 周靖贵 陈匡黎 +1 位作者 周琦 张波 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期685-697,共13页
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频... 宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。 展开更多
关键词 氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道
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基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
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作者 纪东峰 代鲲鹏 +1 位作者 王维波 余旭明 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期396-400,共5页
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小... 基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小电路封装误差,采用单片集成技术将二极管和外围电路集成在25μm厚的砷化镓衬底上实现三倍频芯片。并将芯片封装入一体设计的屏蔽腔中构成了波导-悬置微带线结构来减小电路损耗。实测结果显示,在330~400 GHz范围内,当输入功率为22 dBm时,三倍频器输出功率大于5.5 dBm,并有优于7 dBm的峰值输出功率。 展开更多
关键词 三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术
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一种高频单片GaN DC-DC降压转换器设计
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作者 何凡 沈红伟 +1 位作者 来龙坤 罗卫军 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期417-423,共7页
基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降... 基于全耗尽型(D-mode)0.25μm硅基氮化镓(GaN-on-Si)工艺,设计了一款高频单片GaN DC-DC降压转换器芯片。该芯片集成了驱动电路和半桥功率级电路,驱动电路中电平放大功能通过有源上拉结构实现,在100~200 MHz频率范围内,单片GaN DC-DC降压转换器可直接被0.7 V的高速脉冲信号控制,无需片外模块,其峰值功率级效率达到92.2%,峰值总效率达到84.24%,峰值功率为7.7 W。相较于前期工作,芯片工作范围从100 MHz提升至200 MHz,在保证芯片效率性能的情况下,实现了对工作频率的大幅提升。 展开更多
关键词 GaN DC-DC降压转换器 单片电路 驱动电路 有源上拉结构
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基于HEMT新型结构的140 GHz单片次谐波混频器
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作者 王晓宇 周静涛 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期310-313,共4页
在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器... 在太赫兹收发系统中传统的混频器与放大器由于其不同的外延结构会导致集成难度增加并引入较大的损耗,而本文基于已有的InP HEMT工艺利用反向并联二极管(APDP)结构进行140 GHz频段单片次谐波混频器的设计,相较于传统的APDP结构的混频器更加便于与接收系统中的HEMT放大器进行单片集成,极大的减少了混频器与放大器集成的损耗误差。本文根据已有的SBD等效模型对源漏短接结构的HEMT器件进行建模和提参,通过采用HFSS与ADS联合仿真的方式进行混频器的设计,最终仿真结果为在130 GHz-150 GHz范围内,变频损耗为24.6 dB到26.2 dB,本振功率为20 dBm,中频带宽为1 GHz。 展开更多
关键词 HEMT二极管 APDP 单片次谐波混频器
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基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
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作者 张宜明 张勇 +3 位作者 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期390-395,共6页
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,... 基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,既具有灵活性,电路整体尺寸也较小。整体电路设计在3μm厚的GaAs薄膜上,有效地抑制了高次模的传输,同时降低传输损耗。通过铺大面积的梁氏引线提供足够的应力支撑,提高电路的稳定性。实验结果表明:本振驱动功率3 mW下,混频器在520~600 GHz射频范围内变频损耗小于11 dB。 展开更多
关键词 太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管
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碳纳米管单片三维集成电路
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作者 谢雨农 张志勇 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期487-502,共16页
随着人工智能、大数据等领域的发展,对芯片算力和能效的要求越来越高。传统的硅基芯片技术面临功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,亟须新的沟道材料和芯片架构来推动信息电子产业的继续向前。碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)因其优异的电... 随着人工智能、大数据等领域的发展,对芯片算力和能效的要求越来越高。传统的硅基芯片技术面临功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,亟须新的沟道材料和芯片架构来推动信息电子产业的继续向前。碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)因其优异的电学、力学和热学性能,成为构建下一代集成电路的理想材料。本文综述了碳纳米管单片三维集成电路(Molithic three-dimmensional integrated circuit,M3D IC)的最新研究进展,包括其制备工艺、性能优势、应用场景以及面临的挑战,最后讨论了未来可能发展的几个方向。 展开更多
关键词 碳纳米管 单片三维集成电路 场效应晶体管 低维半导体材料电子学
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太空设备用单片集成电路筛选方案研究
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作者 武荣荣 任翔 +2 位作者 曹阳 庞明奇 刘净月 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期101-106,共6页
随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备... 随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备的典型应用环境,在充分调研国内外元器件标准体系及质量控制模式的基础上,利用FMEA技术分析元器件的敏感因素。基于薄弱环节建立分级分类的筛选方案,支撑太空设备用元器件可靠性保证工作,避免早期失效或有质量隐患的元器件上装应用,满足太空设备对元器件质量、成本及研制周期的要求,助力空天装备快速、高质量和可持续发展。 展开更多
关键词 太空设备 单片集成电路 元器件 可靠性评价 FMEA技术 温度传感器
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新型经导管二尖瓣单片置换系统的临床前研究
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作者 曹静怡 蔡亮 +4 位作者 周广为 宋智钢 乔帆 徐志云 陆方林 《中国心血管病研究》 CAS 2024年第2期172-177,共6页
目的设计一款原创性的经导管二尖瓣单片置换系统,验证该装置的安全性及有效性,并在临床应用前优化植入程序。方法通过体外流体学模拟验证植入的初步有效性,并建立无反流猪模型(n=3)以及自体反流的猪模型(n=4)验证装置植入的可操作性及... 目的设计一款原创性的经导管二尖瓣单片置换系统,验证该装置的安全性及有效性,并在临床应用前优化植入程序。方法通过体外流体学模拟验证植入的初步有效性,并建立无反流猪模型(n=3)以及自体反流的猪模型(n=4)验证装置植入的可操作性及有效性。结果体外流体学模拟显示,装置植入后反流减少。所有猪动物模型中,置换装置均成功植入,无术中不良事件发生,术后解剖显示瓣膜装置在位,周围组织无明显损伤。反流动物模型中,术后即刻超声提示反流明显减少或消失,二尖瓣对合高度明显增加(P=0.007),术后1月提示无明显反流与瓣周漏,瓣周未见明显血栓形成。结论该原创性经导管二尖瓣单片置换系统能够有效改善二尖瓣反流,有望成为二尖瓣反流外科手术高危患者的一种新的治疗选择。 展开更多
关键词 二尖瓣关闭不全 后瓣脱垂 单片置换 经导管介入治疗
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单片复方制剂降压药物治疗路径在基层医院高血压患者中的应用
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作者 徐月红 《吉林医学》 CAS 2024年第8期1924-1926,共3页
目的:探讨单片复方制剂降压药物治疗路径在基层医院高血压患者中的应用分析,为基层医院控制高血压患者提供有利依据。方法:选取2022年1月~2022年12月入住海盐县百步镇卫生院内科治疗的50例高血压患者为研究组(给予缬沙坦/氨氯地平单片制... 目的:探讨单片复方制剂降压药物治疗路径在基层医院高血压患者中的应用分析,为基层医院控制高血压患者提供有利依据。方法:选取2022年1月~2022年12月入住海盐县百步镇卫生院内科治疗的50例高血压患者为研究组(给予缬沙坦/氨氯地平单片制剂),选取2021年1月~2021年12月采取缬沙坦联合氨氯地平降压药物治疗者为对照组,比较两组治疗前后血压值的变化以及服药依从性等。结果:①两组治疗前收缩压、舒张压差异无统计学意义(P>0.05);治疗后,两组收缩压、舒张压差异有统计学意义(P<0.05)。②两组出院后服药依从性对比发现,研究组前三个问题得分情况明显高于对照组,差异有明显统计学意义(P<0.05)。③研究组不良反应发生例数低于对照组,但差异无统计学意义(P>0.05)。结论:单片复方制剂降压药物治疗路径降压效果较为明显,而且还能保护脏器功能,减少药物的不良反应,提升服药依从性,是基层医院治疗高血压病患的首选。实施SPC不仅能更好管控基层医疗机构的高血压病患,还能有效降低不良事件的发生率。 展开更多
关键词 单片复方制剂 高血压 基层医院 疗效
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