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一种简单的化学气相沉积法制备大尺寸单层二硫化钼 被引量:8
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作者 董艳芳 何大伟 +2 位作者 王永生 许海腾 巩哲 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期291-295,共5页
最近单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电等领域中的潜在应用而备受关注.化学气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼,但其制备工艺比较复杂.本文采用简化的化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制... 最近单层二硫化钼以其直接带隙的性质及在电子器件、催化、光电等领域中的潜在应用而备受关注.化学气相沉积法能够制备出高质量、大尺寸且性能优良的单层二硫化钼,但其制备工艺比较复杂.本文采用简化的化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备出了大尺寸的单晶二硫化钼.清洗衬底时,只需要简单的清洁,不需要用丙酮、食人鱼溶液(H_2SO_4/H_2O_2=3:1)等处理,这样既减少了操作步骤,又避免了潜在的危险.升温时直接从室温加热到生长的温度,不必分段升温,并且采用常压化学气相沉积法,不需要抽真空等过程,使得实验可以快捷方便地进行.光学显微镜、拉曼光谱和光致发光谱的结果表明,生长的二硫化钼为规则的三角形单层,边长为50μm左右,远大于机械剥离的样品. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 化学气相沉积 拉曼光谱 光致发光谱
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分子动力学模拟研究孪晶界对单层二硫化钼拉伸行为的影响 被引量:7
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作者 邵宇飞 孟凡顺 +1 位作者 李久会 赵星 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第21期241-248,共8页
孪晶界是单层过渡金属二硫族化物材料中的一种重要结构缺陷.本文通过分子动力学模拟结合Stillinger-Weber势函数研究单轴拉伸过程中孪晶界对单层MoS2力学行为的影响.结果表明:1)孪晶界能够诱发裂纹在孪晶界附近形核,并促使裂纹沿界面扩... 孪晶界是单层过渡金属二硫族化物材料中的一种重要结构缺陷.本文通过分子动力学模拟结合Stillinger-Weber势函数研究单轴拉伸过程中孪晶界对单层MoS2力学行为的影响.结果表明:1)孪晶界能够诱发裂纹在孪晶界附近形核,并促使裂纹沿界面扩展,从而降低晶体的断裂应变;2)温度的升高能够加剧孪晶界附近的裂纹形核过程,从而进一步减弱单层MoS2的断裂强度和断裂应变;3)孔洞能够造成应力集中,从而进一步触发断裂过程,但孪晶界能够阻碍孔洞应力场的扩散,从而延缓单层MoS2材料的断裂过程;4)孪晶片层间距对单层MoS2断裂应变具有重要影响,特别是对于含孔洞的单层MoS2材料,材料断裂应变能够随着片层间距的减小而显著提高. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 孪晶界 力学性能 分子动力学
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单层二硫化钼纳米带弛豫性能的分子动力学研究 被引量:3
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作者 王卫东 李龙龙 +1 位作者 杨晨光 李明林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第16期14-24,共11页
采用分子动力学方法,基于REBO势函数研究了不同长宽比的单层二硫化钼纳米带在不同热力学温度(0.01—1600 K)条件下的弛豫性能.对弛豫过程中纳米带的能量变化和表面起伏程度进行了分析对比,研究了单层二硫化钼纳米带自由弛豫的动态平衡过... 采用分子动力学方法,基于REBO势函数研究了不同长宽比的单层二硫化钼纳米带在不同热力学温度(0.01—1600 K)条件下的弛豫性能.对弛豫过程中纳米带的能量变化和表面起伏程度进行了分析对比,研究了单层二硫化钼纳米带自由弛豫的动态平衡过程.仿真结果显示:理想温度(0.01 K)条件下,分子动能较低,振动振幅较小,并不足以使纳米带产生起伏现象;但在室温或高温条件下时,纳米带的边缘及内部均会出现一定程度的起伏;随着体系温度的升高以及纳米带长宽比的增加,起伏程度也会增大.最后,讨论了不同热力学温度条件下,手性对纳米带驰豫性能的影响.研究结果表明,不同于扶手椅型纳米带,锯齿型纳米带不仅会出现垂直于纳米带表面的起伏和弯曲,同时还会在纳米带面内出现明显的沿着宽度方向的弯曲现象. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 弛豫性能 手性 分子动力学仿真
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氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响 被引量:3
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作者 来国红 余志强 +1 位作者 张昌华 廖红华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第18期152-155,159,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则... 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 单层二硫化钼 电子结构 光电性质
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高质量单层二硫化钼薄膜的研究进展 被引量:12
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作者 魏争 王琴琴 +3 位作者 郭玉拓 李佳蔚 时东霞 张广宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期242-273,共32页
作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄膜的研究所取得的进展,具体包括:在二硫化钼薄膜的制备方面,通... 作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄膜的研究所取得的进展,具体包括:在二硫化钼薄膜的制备方面,通过氧辅助化学气相沉积方法,实现了大尺寸单层二硫化钼单晶的可控生长和晶圆级单层二硫化钼薄膜的高定向外延生长;在二硫化钼薄膜的加工方面,发展了单层二硫化钼薄膜的无损转移、洁净图案化加工、可控结构相变与局域相调控的方法,为场效应晶体管等电子学器件的制备与性能优化提供了基础;在二硫化钼异质结方面,研究了二硫化钼薄膜与其他二维材料形成的异质结的电学以及光电性质,为二维材料异质结的构筑和器件特性研究提供了实验参考;在二硫化钼薄膜功能化器件与应用方面,构筑了全二维材料、亚5 nm超短沟道场效应晶体管器件,验证了单层二硫化钼对短沟道效应的有效抑制及其在5 nm工艺节点器件中的应用优势;此外,利用制备的高质量单层二硫化钼和发展的器件洁净加工技术,实现了高性能柔性薄膜晶体管的集成,获得了超高灵敏度与稳定性的非接触型湿度传感器.我们在二硫化钼薄膜的制备、加工以及器件特性研究方面所取得的进展对于二硫化钼及其他二维过渡金属硫属化合物的基础和应用研究均具有指导意义. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 化学气相沉积 异质结 场效应晶体管
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低温氧等离子体处理对单层二硫化钼薄膜表面性质影响的研究 被引量:3
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作者 张伟冰 祝俊 王权 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期1003-1007,共5页
二硫化钼是一种类似于"三明治"结构的二维片层结构,这种特殊的结构造就了其优异的物理化学性能,具有较大的理论研究意义。本次实验运用低温氧等离子体对机械剥离的单层二硫化钼薄膜进行改性处理,研究控制处理时间不同的条件... 二硫化钼是一种类似于"三明治"结构的二维片层结构,这种特殊的结构造就了其优异的物理化学性能,具有较大的理论研究意义。本次实验运用低温氧等离子体对机械剥离的单层二硫化钼薄膜进行改性处理,研究控制处理时间不同的条件对二硫化钼薄膜的均匀度和表层电荷的影响。拉曼光谱图显示处理后的二硫化钼薄膜的E12g峰和A1g向右发生了明显的偏移,表明引入了N型掺杂。运用原子力显微镜探究材料形貌、相位和表面电荷的变化,从形貌图发现低温氧等离子体处理后的表面粗糙度有了明显的增加;原子力显微静(AFM)的相位图表明样品的均匀度以一定的规律变小;根据(AFM)表层电荷分布图,观察到低温氧等离子体处理后样品表层电荷随处理时间的增加而增加,当改性时间在40 s时,样品表层电荷全部消失。 展开更多
关键词 单层二硫化钼薄膜 低温氧等离子体 相位 电荷
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不均匀磁场中单层二硫化钼的朗道能谱 被引量:2
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作者 黄泽远 申爱影 王大理 《大学物理》 北大核心 2017年第3期5-7,共3页
单层二硫化钼是一种新型的类石墨烯材料,其内部较强自旋轨道耦合作用使它表现出许多不同于单层石墨烯的物理性质.本文从量子力学的基本概念出发,借助特殊函数方程理论,研究了在不均匀垂直磁场作用下单层二硫化钼中奇异的朗道能级结构.
关键词 单层二硫化钼 不均匀磁场 朗道能级
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单层二硫化钼纳米片的剥离制备和生物医学应用 被引量:2
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作者 陆佳莹 吴琛 李菁菁 《化学试剂》 CAS 北大核心 2018年第9期811-816,835,共7页
作为一种具有类石墨烯结构的二维层状纳米材料,单层二硫化钼凭借其独特的带隙结构、光热传感以及良好的生物相容性,在肿瘤光热治疗、生物传感等生物医学领域具有广阔的研究前景。结合近五年的研究,综述了几种常见的二硫化钼剥离方法,同... 作为一种具有类石墨烯结构的二维层状纳米材料,单层二硫化钼凭借其独特的带隙结构、光热传感以及良好的生物相容性,在肿瘤光热治疗、生物传感等生物医学领域具有广阔的研究前景。结合近五年的研究,综述了几种常见的二硫化钼剥离方法,同时介绍了单层二硫化钼纳米片在生物医学领域中的研究现状。 展开更多
关键词 单层二硫化钼 剥离 生物医学
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掺杂对单层二硫化钼吸附砷烷分子特性的影响
9
作者 宋功明 徐公杰 王耀乐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期9136-9140,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了掺杂的单层二硫化钼(MoS_2)对砷烷分子(AsH_3)吸附特性。讨论了砷烷分子在本征二硫化钼上不同位置对吸附特性的影响。针对本征二硫化钼对砷烷吸附较弱,对单层二硫化钼进行掺杂,通过硅原子(... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了掺杂的单层二硫化钼(MoS_2)对砷烷分子(AsH_3)吸附特性。讨论了砷烷分子在本征二硫化钼上不同位置对吸附特性的影响。针对本征二硫化钼对砷烷吸附较弱,对单层二硫化钼进行掺杂,通过硅原子(Si)取代晶胞中的硫原子(S)来实现吸附增强。计算结果显示,相比于本征二硫化钼层,掺杂Si的二硫化钼对砷烷分子具有更优良的吸附特性;具有更小的吸附高度,更小的吸附能,更显著的电荷转移,以及与砷烷分子间更强的相互作用。这些研究结果为单层二硫化钼在对环境气体的吸附应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理计算 单层二硫化钼 砷烷 吸附
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以第一性原理研究单层二硫化钼压电特性
10
作者 许婧 罗静 李明林 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第4期477-481,488,共6页
基于密度泛函第一性原理计算方法,分别采用LDA、PBE和PW91三种交换关联泛函,研究半导体性单层二硫化钼的压电特性.针对三种交换关联泛函,研究获得二硫化钼晶格结构参数、基本电学特性、材料弹性常数和压电系数.结果显示基于LDA泛函获得... 基于密度泛函第一性原理计算方法,分别采用LDA、PBE和PW91三种交换关联泛函,研究半导体性单层二硫化钼的压电特性.针对三种交换关联泛函,研究获得二硫化钼晶格结构参数、基本电学特性、材料弹性常数和压电系数.结果显示基于LDA泛函获得的带隙更接近于实验结果,而基于PBE和PW91泛函获得的晶格结构参数、杨氏模量和压电系数较为一致,且更接近于实验结果. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 压电特性 第一性原理 交换关联泛函
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单层二硫化钼与银纳米颗粒阵列复合结构的表面增强荧光特性研究
11
作者 刘萱 李沐华 赵艳 《光散射学报》 2023年第4期407-411,共5页
本文采用阳极氧化铝模板辅助真空蒸镀技术研究并制备了厘米级、形貌均一、颗粒尺寸可控的银纳米颗粒(AgNPs)阵列,并结合传统的湿法转移技术获得了单层MoS_(2)/AgNPs阵列复合结构。系统研究了该复合结构的表面增强荧光(SEF)特性,结果表... 本文采用阳极氧化铝模板辅助真空蒸镀技术研究并制备了厘米级、形貌均一、颗粒尺寸可控的银纳米颗粒(AgNPs)阵列,并结合传统的湿法转移技术获得了单层MoS_(2)/AgNPs阵列复合结构。系统研究了该复合结构的表面增强荧光(SEF)特性,结果表明我们制备的AgNPs阵列可用作高效SEF基底来增强单层MoS_(2)的荧光性能。且随着温度降低,单层MoS_(2)的荧光性能得到了进一步提升。本研究为MoS_(2)在光电集成领域的应用提供了理论和技术基础。 展开更多
关键词 单层二硫化钼 等离激元结构阵列 表面增强荧光
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单层二硫化钼的磁光电导率研究
12
作者 李悦 肖宜明 徐文 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期156-161,共6页
考虑外加磁场导致的量子化朗道能级以及邻近效应诱导产生的交换作用,采用无规相近似(Random-phase approximation,RPA)下的介电函数对单层二硫化钼(Monolayer molybdenum disulfide,ML-MoS_(2))的纵向磁光电导率进行理论研究。探究了磁... 考虑外加磁场导致的量子化朗道能级以及邻近效应诱导产生的交换作用,采用无规相近似(Random-phase approximation,RPA)下的介电函数对单层二硫化钼(Monolayer molybdenum disulfide,ML-MoS_(2))的纵向磁光电导率进行理论研究。探究了磁场、邻近效应诱导产生的交换作用等因素对纵向磁光电导率的影响。在太赫兹(Terahertz,THz)频段,可以看到由导带内电子跃迁所贡献的两个磁光吸收峰。在可见光频段,可以观察到从价带到导带电子跃迁所贡献的多个磁光吸收峰。研究结果表明,邻近效应诱导产生的交换作用和磁场强度对纵向磁光电导率有重要的影响,单层二硫化钼可应用于可见光到太赫兹频段的自旋电子学和谷电子学磁光器件。 展开更多
关键词 单层二硫化钼 磁光电导率 邻近效应诱导产生的交换作用
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化学气相沉积法制备单层二硫化钼的研究进展
13
作者 武子茂 《甘肃科技纵横》 2019年第9期33-35,共3页
单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新热点,但是高质量、产业化制备单层MoS2还面临着很大的困难。本... 单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新热点,但是高质量、产业化制备单层MoS2还面临着很大的困难。本文主要综述了化学气相沉积(CVD)制备单层MoS2薄膜的方法,讨论了该方法在国内外的研究现状及其优缺点,最后展望了制备单层MoS2的发展前景,认为应该朝着可控、低成本、大规模制备单层MoS2的方向改进工艺。 展开更多
关键词 单层二硫化钼 化学气相沉积
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铁磁电极单层二硫化钼纳米带量子结构中的自旋开关效应和巨磁阻
14
作者 张明媚 郭亚涛 +4 位作者 付旭日 李梦蕾 任宝藏 郑军 袁瑞玚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第15期212-220,共9页
采用三带紧束缚模型和非平衡格林函数的方法理论研究了铁磁电极单层之字形二硫化钼纳米带量子结构中的自旋电子输运性质.结果发现,由于铁磁电极的磁交换作用与散射区域电场共同影响,可获得能量依赖的100%自旋极化,得到纯的自旋流.这表... 采用三带紧束缚模型和非平衡格林函数的方法理论研究了铁磁电极单层之字形二硫化钼纳米带量子结构中的自旋电子输运性质.结果发现,由于铁磁电极的磁交换作用与散射区域电场共同影响,可获得能量依赖的100%自旋极化,得到纯的自旋流.这表明在该结构通过调控入射能可以实现自旋电子开关效应.此外,还发现当电导完全自旋极化时,磁交换场强度可以对巨磁阻效应进行有效的调控.该工作可为基于单层二硫化钼纳米带设计巨磁阻器件以及自旋过滤器提供理论参考. 展开更多
关键词 之字形二硫化钼纳米带 磁交换场 电场 自旋输运 巨磁阻效应
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掺杂单层MoS_(2)电子结构与光催化性质的第一性原理计算 被引量:1
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作者 徐启远 高朋 刘正堂 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第1期35-40,共6页
为了提高MoS_(2)的光催化能力,本研究基于第一性原理平面波赝势方法,对Cr、W、Fe、Co、Ni替换单层MoS_(2)晶格中的Mo进行研究.结果表明:W的替换能为正值,Cr、Fe、Co、Ni的替换能为负值.Cr、W掺杂晶格产生畸变主要是杂质原子的共价半径... 为了提高MoS_(2)的光催化能力,本研究基于第一性原理平面波赝势方法,对Cr、W、Fe、Co、Ni替换单层MoS_(2)晶格中的Mo进行研究.结果表明:W的替换能为正值,Cr、Fe、Co、Ni的替换能为负值.Cr、W掺杂晶格产生畸变主要是杂质原子的共价半径引起的;Fe、Co、Ni掺杂晶格产生畸变主要是掺杂原子的自旋导致的.Cr、W、Fe、Co、Ni掺杂单层MoS_(2)带隙类型没有发生改变,仍然为直接带隙,但禁带宽度变小,吸收带红移,尤其Fe、Co、Ni掺杂,导带下方有杂质能级使费米能级向高能方向移动,可以作为捕获电子陷阱,增加电子密度,减少光激发电子-空穴对的复合,有利于提升光催化能力. 展开更多
关键词 掺杂 单层二硫化钼 光催化 电子结构
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单层MoS_2悬浊液的制备及其摩擦学行为研究 被引量:6
16
作者 王廷梅 刘维民 +1 位作者 吕晋军 田军 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期192-196,共5页
用插层法制备了单层MoS2在水中的悬浊液,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜以及扫描电子显微镜表征了单层MoS2的结构,用四球长时摩擦磨损试验机考察了单层MoS2在水中的悬浊液的摩擦学行为.结果表明:MoS2经剥层-重堆过程处理后形成单层Mo... 用插层法制备了单层MoS2在水中的悬浊液,采用X射线衍射仪、透射电子显微镜以及扫描电子显微镜表征了单层MoS2的结构,用四球长时摩擦磨损试验机考察了单层MoS2在水中的悬浊液的摩擦学行为.结果表明:MoS2经剥层-重堆过程处理后形成单层MoS2,单层MoS2在水中以单片或者多片重叠形式存在,其间距由0.615nm增大为0.622nm;所合成的单层MoS2悬浊液在一定添加量范围内表现出良好的减摩能力.这是因为其在钢球磨损表面生成含FeS的保护膜,而保护膜的剪切强度较低,因而表现出良好的减摩性能,但活性元素S易导致钢的过度腐蚀而使抗磨性能反而变差. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 MOS2 水悬浊液 摩擦学性能 制备 固体润滑剂 机械传动装置
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微纳米光电器件用单层MoS_2的制备与结构表征 被引量:3
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作者 坚佳莹 常洪龙 +2 位作者 岳皎洁 董芃凡 孙娴 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第4期371-376,共6页
为了满足高性能光电器件对单层MoS_2的需要,文中采用扫描电镜和拉曼光谱,研究了保温生长时间和氩气流速对硫化三氧化钼化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长MoS_2形貌、尺寸、结构和层数的影响.研究结果表明:在反应物质量比和反应温度一样... 为了满足高性能光电器件对单层MoS_2的需要,文中采用扫描电镜和拉曼光谱,研究了保温生长时间和氩气流速对硫化三氧化钼化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长MoS_2形貌、尺寸、结构和层数的影响.研究结果表明:在反应物质量比和反应温度一样的条件下,沉积产物的种类主要受氩气流速的影响,氩气流速为30sccm时,沉积产物为菱形MoS_2与MoO_2的混合物;氩气流速为50,70sccm时,沉积产物为单层三角形MoS_2.MoS_2的结构主要受保温生长时间的影响,保温生长时间为15,30min时,沉积产物为单层三角形MoS_2;保温生长时间达到60min后,生长物为连成一片的多层MoS_2.单层MoS_2的尺寸随保温生长时间和氩气流速的增大而增大,当保温时间为30min,氩气流速为70sccm时,生长出了尺寸达到90μm的单层三角形MoS_2. 展开更多
关键词 单层二硫化钼 化学气相沉积 微纳米光电器件 拉曼光谱
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基于密度泛函理论的单层MoS_2纳米材料气敏性能研究 被引量:1
18
作者 臧道俊 李运祥 +1 位作者 徐帅 王岩 《电子科技》 2019年第1期5-10,共6页
针对由于本征单层二硫化钼纳米材料气敏性能差故不能用作气敏探测的问题,文中采用铝原子替位掺杂材料表面硫原子的方法,改善了材料表面无悬挂键的固有缺陷,从而提升了气敏性。通过对基底进行形成能和电子结构的计算,发现了材料导电性能... 针对由于本征单层二硫化钼纳米材料气敏性能差故不能用作气敏探测的问题,文中采用铝原子替位掺杂材料表面硫原子的方法,改善了材料表面无悬挂键的固有缺陷,从而提升了气敏性。通过对基底进行形成能和电子结构的计算,发现了材料导电性能的提升并证实了掺杂处理实验的可操作性。对其表面进行气体分子的吸附计算的结果显示材料的气敏性能获得极大提升,尤其对于氨气分子,吸附能达到-2. 31 eV,电子转移提升至0. 38e,吸附长度减小至1. 978?,证明材料对氨气具有良好的选择性。 展开更多
关键词 单层二硫化钼 掺杂处理 第一性原理 能带结构 态密度 气敏性能
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基于第一性原理的锂空气电池Si掺杂MoS_(2)正极催化氧还原反应机理研究 被引量:1
19
作者 王金朋 薛志超 +3 位作者 马颖 李洁 刘思丹 孙红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期10001-10007,共7页
研究碱性条件下Si掺杂单层MoS_(2)表面的氧还原反应(ORR)机理,为设计高效的双电解液锂空气电池催化剂提供理论指导。通过第一性原理计算,分析n(n=1~3)个Si原子掺杂单层MoS_(2)表面的ORR性能。结果表明,Si掺杂单层MoS_(2)表面有很好的稳... 研究碱性条件下Si掺杂单层MoS_(2)表面的氧还原反应(ORR)机理,为设计高效的双电解液锂空气电池催化剂提供理论指导。通过第一性原理计算,分析n(n=1~3)个Si原子掺杂单层MoS_(2)表面的ORR性能。结果表明,Si掺杂单层MoS_(2)表面有很好的稳定性,掺杂后会在禁带中引入杂质态,使其表面活性增强。与原始单层MoS_(2)相比,Si掺杂极大增强了MoS_(2)对O_(2)的还原能力。在单Si原子及双Si原子掺杂的表面,H_(2)O分子的最大解离能垒(0.85 eV、0.78 eV)表明氧还原反应可在室温下进行。在三Si原子掺杂的表面,反应自发进行而无需任何的能垒。但单Si原子掺杂对OH基团有很强的吸附能力,不利于ORR的持续进行。而随着掺杂原子数量的增加,三Si原子掺杂的表面对OH基团的吸附能会极大降低。研究表明三Si原子掺杂的MoS_(2)会是一种新型的ORR催化剂。 展开更多
关键词 锂空气电池 单层二硫化钼 硅掺杂 氧还原反应机理 第一性原理
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Folded MoS2 layers with reduced interlayer coupling 被引量:11
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作者 Andres Castellanos-Gomez Herre S. J. van der Zant Gary A. Steele 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期572-578,共7页
We study molybdenum disulfide (MoS2) structures generated by folding single-layer and bilayer MoS2 flakes. We find that this modified layer stacking leads to a decrease in the interlayer coupling and an enhancement ... We study molybdenum disulfide (MoS2) structures generated by folding single-layer and bilayer MoS2 flakes. We find that this modified layer stacking leads to a decrease in the interlayer coupling and an enhancement of the photoluminescence emission yield. We additionally find that folded single-layer MoS2 structures show a contribution to photoluminescence spectra of both neutral and charged excitons, which is a characteristic feature of single-layer MoS2 that has not been observed in multilayer MoS2. The results presented here open the door to fabrication of multilayered MoS2 samples with high optical absorption while maintaining the advantageous enhanced photoluminescence emission of single-layer MoS2 by controllably twisting the MoS2 layers. 展开更多
关键词 molybdenum disulfide(MoS2) folded MoS2 twisted MoS2 interlayer coupling Raman spectroscopy PHOTOLUMINESCENCE
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