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钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究 被引量：15
1
作者 周世平 李龙土 +1 位作者 桂治轮 张孝文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期364-369,共6页
研究了（Ｓｒ＿（０．４８）Ｐｂ＿（０．４８）Ｙ＿（０．０３）Ｃａ＿（０．０１））ＴｉＯ＿３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃ... 研究了（Ｓｒ＿（０．４８）Ｐｂ＿（０．４８）Ｙ＿（０．０３）Ｃａ＿（０．０１））ＴｉＯ＿３基陶瓷的半导化行为。结果表明：ＰｂＯ适当过量有利于半导化。Ｒａｍａｎ光谱，ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒｅｌｅｃｔｒｏｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析表明，随着ＳｉＯ＿２含量的增加，氧空位浓度及Ｔｉ￣（３＋）浓度增大，ＸＲＤ分析表明，随ＳｉＯ＿２含量增大，轴比ｃ／ａ增大。 展开更多
关键词 钛酸锶铅基 陶瓷 半导化 光谱
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Nb_2O_5、La_2O_3掺杂对SrTiO_3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响 被引量：8
2
作者 李翠霞 张新磊 顾玉芬 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期29-32,共4页
主要研究了N b2O5和L a2O3双施主掺杂对S rT iO3陶瓷半导化及显微结构的影响。采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的S rT iO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下,N b2O5∶L a2O3比对S rT ... 主要研究了N b2O5和L a2O3双施主掺杂对S rT iO3陶瓷半导化及显微结构的影响。采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的S rT iO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下,N b2O5∶L a2O3比对S rT iO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响。研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进S rT iO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响。N b2O5∶L a2O3为2∶1时样品室温电阻率为0.89Ω.cm,显微结构较为理想。在此基础上,获得压敏与介电性能较佳的双功能S rT iO3陶瓷元件。 展开更多
关键词 SRTIO3 双功能 稀土 半导化 显微结构
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n型半导化TiO_2压敏陶瓷的导电机制 被引量：3
3
作者 周方桥 梁鸿东 +2 位作者 丁志文 陈志雄 庄严 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期29-31,共3页
分析了n型半导化TiO_2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函... 分析了n型半导化TiO_2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函数有密切关系. 展开更多
关键词 n型半导化 TIO2压敏陶瓷 导电机制 压敏电阻 微观结构 二氧化钛 分布函数 受主态
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PTCR型(Sr,Pb)TiO_3陶瓷材料的半导化研究 被引量：2
4
作者 王德君 桂治轮 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第5期346-350,共5页
研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％... 研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。 展开更多
关键词 钛酸锶铅 正温度系数 热敏电阻 半导化 添加剂
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相含量与晶粒半导化对CaCu_3Ti_4O_(12)介电性能的影响 被引量：3
5
作者 魏纳新 周小莉 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2009年第2期131-133,共3页
在25-355K温区范围内测定了陶瓷样品的介电性能；用XRD测量了其结构；分别考察了介电常数与晶相含量、测试频率间的关系．结果表明：样品的晶相含量对其介电性能的影响不是惟一的，当相对晶相含量较低时，晶相含量与CaCu3Ti4O12相对介... 在25-355K温区范围内测定了陶瓷样品的介电性能；用XRD测量了其结构；分别考察了介电常数与晶相含量、测试频率间的关系．结果表明：样品的晶相含量对其介电性能的影响不是惟一的，当相对晶相含量较低时，晶相含量与CaCu3Ti4O12相对介电常数成正比；当相对晶相含量较高时，晶粒半导化程度对CaCu3Ti4O12的介电性能有明显的影响，半导化程度越高，其宏观介电常数也越大． 展开更多
关键词 CACU3TI4O12 晶相含量 巨介电常数 晶粒半导化
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粉料埋烧的TiO_2瓷半导化和电学非线性研究 被引量：7
6
作者 孟凡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期872-873,共2页
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响。... 基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压。 展开更多
关键词 TIO2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 半导化 势垒高度
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Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响 被引量：4
7
作者 孟凡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期554-556,共3页
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T ... 研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 展开更多
关键词 TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化
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(Ba-Sr)TiO_3基PTC陶瓷材料第二相结晶对半导化性能的影响 被引量：3
8
作者 徐国跃 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期33-40,共8页
调整 Al_2O_3、SiO_2烧结添加剂比例,采用常规的混合氧化物制备工艺,可使施主钛酸钡陶瓷第二相形成针状或柱状莫来石微晶体。莫来石第二相的生成,改善了用低纯原料制备的 PTC 材料半导化性能。本文从莫来石对杂质离子的固溶作用方面,探... 调整 Al_2O_3、SiO_2烧结添加剂比例,采用常规的混合氧化物制备工艺,可使施主钛酸钡陶瓷第二相形成针状或柱状莫来石微晶体。莫来石第二相的生成,改善了用低纯原料制备的 PTC 材料半导化性能。本文从莫来石对杂质离子的固溶作用方面,探讨了这一影响。莫来石对半导化有害的 Fe^(3+)、Mg^(2+)杂质具有较大的固溶作用,纯化了(Ba-Sr)TiO_3基主晶格,使主晶相中施主物提供的“多余”电子被更多的 Ti^(4+)所俘获,形成Ti^(3+),从而降低了 PTC 材料室温电阻率。实验结果还表明,当 Al_2O_3、SiO_2比例适宜生成莫来石时,用低纯原料制备的 PTC 材料室温电阻率具有较好的一致性和重复性。 展开更多
关键词 PTC材料 半导化
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TiO_2材料的半导化机理探讨 被引量：6
9
作者 曲宝涵 马传利 杨爱萍 《郑州轻工业学院学报》 2000年第4期99-101,共3页
研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材... 研究了表面掺杂和高温烧结对TiO2材料半导化的影响，结果表明：TiO2材料在高温条件 下可产生间隙离子和氧空位；掺入与Ti4+离子半径相近的V5+,Nb5+,Sb 5+,Mg2+,Li+等离子可与TiO2生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目 ，改变TiO2材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使TiO2材料半导化． 展开更多
关键词 二氧化钛 高温试验 导电材料 表面掺杂 半导化
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PTCR陶瓷半导化微观机理的初探 被引量：3
10
作者 王应民 谌爱斌 蔡莉 《国外金属热处理》 2002年第4期31-33,共3页
从缺陷形成和掺杂内部微观机制着手,分析PTCR陶瓷材料的半导化。
关键词 PTCR陶瓷 半导化 微观机理
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(Ba,Pb)TiO3陶瓷的半导化机理及其湿敏特性研究
11
作者 田玉明 徐明霞 +3 位作者 鄂磊 郝虎在 朱超峰 刘明海 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期1002-1005,共4页
为了改善感湿性能很差的BaTiO3陶瓷的湿敏特性,通过PbTiO3与BaTiO3复合,制备了表面为无规则网络状结构、内部具有丰富孔洞通道的(Ba,Pb)TiO3陶瓷,在30℃～70℃的温度范围内、RH=12RH%～93RH%之间5个检测点上测试了该材料的阻-湿特性.依... 为了改善感湿性能很差的BaTiO3陶瓷的湿敏特性,通过PbTiO3与BaTiO3复合,制备了表面为无规则网络状结构、内部具有丰富孔洞通道的(Ba,Pb)TiO3陶瓷,在30℃～70℃的温度范围内、RH=12RH%～93RH%之间5个检测点上测试了该材料的阻-湿特性.依照Anderson无序方法分析了陶瓷晶粒的半导化机理,并从表面吸附及能带理论的观点分析了(Ba,Pb)TiO3陶瓷的湿敏特性.理论上指出施主掺杂(Ba,Pb)TiO3陶瓷晶粒的半导化主要是由于晶格B位处于Ti4+和Nbs+的成分无序状态所致;指出(Ba,Pb)TiO3陶瓷属于复杂性系统,其相对湿敏特性由晶粒半导化、表面吸附、晶界势垒等多个因素决定.结果表明其电阻值在12RH%～93RH%的相对湿度范围内变化3个数量级,且湿敏特性曲线在单对数坐标中接近线性. 展开更多
关键词 (Ba Pb)TiO3 Anderson无序 半导化 湿敏 表面吸附
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钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述
12
作者 陈志雄 周方桥 +1 位作者 付刚 唐大海 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期44-47,共4页
从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO_3型钙铁矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律。综合分析了钙铁矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果,表明这些结果与本文得到的主要规律能够... 从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO_3型钙铁矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律。综合分析了钙铁矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果,表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证。对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中的电子导电机制,也作了进一步的阐明。 展开更多
关键词 钙钛矿结构 n型半导化 半导体陶瓷 结构陶瓷
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PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究
13
作者 蔡莉 王应民 《江西科学》 2001年第4期211-213,共3页
研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成 (Ba0 .8Sr0 .2 )TiO3 超细微粉 ,掺入钇元素及烧结助剂 ,在合理的温度制度下烧成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程 ,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品 ,利用... 研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成 (Ba0 .8Sr0 .2 )TiO3 超细微粉 ,掺入钇元素及烧结助剂 ,在合理的温度制度下烧成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程 ,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品 ,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构 ,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度 ,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。 展开更多
关键词 PTCR陶瓷 半导化 显微结构 功能材料 升温阶段 制备工艺 施主农度
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(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3陶瓷介电特性与La掺杂半导化研究 被引量：1
14
作者 刘红 王旭升 姚熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期130-132,135,共4页
制备了(1-x)BaTiP_3-xCaTiO_3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3(x= 0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系)。研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构。研究发现... 制备了(1-x)BaTiP_3-xCaTiO_3(x=0.0～1.0)陶瓷(BCT系)和La掺杂(1-x)BaTiO_3-xCaTiO_3(x= 0.2～0.3)陶瓷(BCTLa系)。研究了BCT系和BCTLa系陶瓷的微观形貌、结构和介电性能,验证了BCT系陶瓷在Ca组分x=0.24～0.90之间的复相结构。研究发现,BCTLa系陶瓷的性质与预期相差甚远,介电常数增长10倍以上,损耗急剧增大,电阻率锐减,较纯BaTiO_3下降5～6个数量级,绝缘性能变差,实现了半导化,并分析了半导化原因。 展开更多
关键词 复相陶瓷 钛酸钡 LA掺杂 介电特性 半导化
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半导化互补型敏感元件开发与应用 被引量：1
15
作者 林来金 林建斌 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期240-242,共3页
讨论集正温、负温或临界热敏器件于一体的互补型敏感元件的特性分析，并研究其工艺的可行性，提出开发应用的价值及其前景．
关键词 互补型敏感元件 开发 应用 半导化 敏感元件
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用正电子湮没谱研究半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷 被引量：1
16
作者 杨铁柱 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期36-38,共3页
用正电子湮没技术研究了半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷,发现在配方配方ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2中掺杂半导化添加剂Z、ZN、ZCr和ZT后,商谱谱峰依次降低;正电子寿命依次增加。其中掺杂ZT的样品三电性能参数比较理想,分别为E1mA=17V/mm,α=18... 用正电子湮没技术研究了半导化掺杂的ZnO压敏陶瓷,发现在配方配方ZnO-Bi2O3-TiO2-Co2O3-MnO2中掺杂半导化添加剂Z、ZN、ZCr和ZT后,商谱谱峰依次降低;正电子寿命依次增加。其中掺杂ZT的样品三电性能参数比较理想,分别为E1mA=17V/mm,α=18,IL=37。 展开更多
关键词 正电子湮没技术 半导化掺杂 商谱 正电子寿命 电性能参数
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La_2O_3和Nb_2O_5掺杂对SrTiO_3氧敏特性及半导化影响
17
作者 杜立 曹全喜 《电子科技》 2010年第8期47-49,共3页
研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3(x=0,0.001,0.01,0.03,0.05,0.1)钙钛矿复合系氧化物。研究不同的La,Nb掺杂量对氧敏材料灵敏度、电导率的影响,对... 研究Nb和La双施主掺杂对SrTiO3陶瓷氧敏性能及半导化的影响,采用固相法合成了La、Nb复合掺杂的钛酸锶Sr1-xLaxTi1-xNbxO3(x=0,0.001,0.01,0.03,0.05,0.1)钙钛矿复合系氧化物。研究不同的La,Nb掺杂量对氧敏材料灵敏度、电导率的影响,对合成氧敏元件在高温下的氧敏性能、电导性进行了测定。结果表明,双施主掺杂不仅可促进SrTiO3陶瓷半导化,而且对氧敏元件灵敏度有重要影响,x=0.3时呈现出理想的氧敏特性。 展开更多
关键词 SRTIO3 双施主掺杂 氧气传感器 半导化
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水热法合成BaTiO_3微粉及其半导化掺杂的研究
18
作者 李永祥 林云 +1 位作者 吴冲若 马爱芬 《电子器件》 CAS 1996年第1期34-36,共3页
本文讨论在水热法合成高纯超细钛酸钡微粉过程中，进行半导化掺杂钇、铌、镧、锑等的研究，结果表明：在以ＹＣｌ３和Ｌａ（ＣＨ３ＣＯ２）２为原料时，可获得掺杂的钛酸钡粉末，经烧结后可获得良好的ＰＩＣ效应。
关键词 晶体生长 水热法 半导体化 掺杂
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ABO3型结构陶瓷中的半导化问题 被引量：1
19
作者 何爱琴 陈志雄 等 《广州师院学报（自然科学版）》 1992年第1期9-14,共6页
本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中，晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位离子半径大、B位离子变价还能能力强的材料，如BaTiO3、BaSnO3通过施主掺杂或还原气氛凝结，易得到n型... 本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中，晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位离子半径大、B位离子变价还能能力强的材料，如BaTiO3、BaSnO3通过施主掺杂或还原气氛凝结，易得到n型半导体。相反，如SrTiO3、CaTiO3、BaZrO3实现n型产导化较为困难，对SrTiO3，若在施主掺杂同时辅以还原气氛烧结，可造成氧缺位实现n型半导化。PbTiO3的晶格结构因素本有利于n型半导化，但由于Pb易辉发而具P型导电性，故通常要采取抑制Pb挥发的措施。 展开更多
关键词 ABO3钙钛矿型结构 半导体陶瓷 氧缺位 变价 还原 半导化 晶格结构
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晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法
20
作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期50-50,共1页
关键词 晶界层 表面层陶瓷电容器 半导化烧结方法
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