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前沿科技赋能传统能源与新能源教学:化学浴沉积法制备二氧化锡电子传输层
1
作者 王芳芳 徐文鑫 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1661-1668,共8页
以钙钛矿太阳能电池为切入点,针对传统能源与新能源课程中电子传输层材料的教学内容,将化学浴沉积法(CBD)制备二氧化锡电子传输层这一前沿成果融入教学实践。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)等手段对CBD法制备... 以钙钛矿太阳能电池为切入点,针对传统能源与新能源课程中电子传输层材料的教学内容,将化学浴沉积法(CBD)制备二氧化锡电子传输层这一前沿成果融入教学实践。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)等手段对CBD法制备的二氧化锡薄膜进行表征分析,并将其应用于钙钛矿太阳能电池的制备,评估其对器件性能的影响。结果表明,与传统旋涂法相比,CBD法制备的二氧化锡薄膜更加均匀致密,具有更好的结晶度和更高的电子提取能力,可以获得更高的器件效率。该研究构建了“理论-实践-探究-创新”的教学模式,通过设计CBD法制备二氧化锡电子传输层的教学实验,可以有效提升学生的学习兴趣,加深他们对理论知识的理解,并激发了他们在新能源领域的探索热情。为高校新能源材料与器件专业的本科生实验教学改革提供新的思路,并对培养具备实践能力和创新精神的新能源人才提供借鉴。 展开更多
关键词 传统能源与新能源 化学浴沉积 二氧化锡 电子传输层 钙钛矿太阳能电池 实验教学 教学改革
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水浴温度对化学浴沉积CdS薄膜性能的影响 被引量：6
2
作者 段宇波 张弓 庄大明 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期21-26,共6页
采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响。试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会... 采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响。试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会导致表面晶粒变的粗糙;薄膜的结晶程度随着水浴温度提高而增强,择优取向明显;制得的CdS薄膜均有较高的光透过率,随着水浴温度的提高,薄膜厚度增加,透过率在波长560nm处出现峰值;所得薄膜均是富Cd的,且随着水浴温度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗电导率约为10-5～10-4Ω-1cm-1,比光电导率小2～3个数量级,电导率与水浴温度没有明显对应关系。 展开更多
关键词 CDS薄膜 化学浴沉积(cbd) 水浴温度
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化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜 被引量：12
3
作者 刘明辉 张丽莎 +2 位作者 贾志勇 唐一文 余颖 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2006年第1期75-78,共4页
用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜，并对成膜条件及膜的性能进行了研究．结果表明：化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜；最佳反应温度为60～70C，此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加．制备的薄... 用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜，并对成膜条件及膜的性能进行了研究．结果表明：化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜；最佳反应温度为60～70C，此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加．制备的薄膜纯度较高．表面较平整和致密，Cu2O粒径为14～22nm，其禁带宽度为2．01eV． 展开更多
关键词 纳米氧化亚铜 化学浴沉积法 改进 薄膜
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化学浴沉积法制备高取向钒酸铋薄膜 被引量：14
4
作者 刘晶冰 汪浩 +2 位作者 张慧明 张文熊 严辉 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1299-1302,共4页
从20世纪70年代起，钒酸铋（BiVO4）以其优越的性能受到越来越广泛的关注。BiVO4不但具有铁弹性，同时还具有声光转换性、离子导电性以及光催化活性等特性。这使得BiVO4在光催化剂以及离子导电陶瓷等领域都具有良好的应用前景。很多制... 从20世纪70年代起，钒酸铋（BiVO4）以其优越的性能受到越来越广泛的关注。BiVO4不但具有铁弹性，同时还具有声光转换性、离子导电性以及光催化活性等特性。这使得BiVO4在光催化剂以及离子导电陶瓷等领域都具有良好的应用前景。很多制备技术包括固态反应法、液相合成法、 展开更多
关键词 钒酸铋(BiVO4)薄膜 化学浴沉积 择优取向
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化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究 被引量：5
5
作者 刘琪 冒国兵 +7 位作者 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页
在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有... 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(cbd) ZNS薄膜 CIGS太阳电池
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化学浴沉积法制备防污自洁聚偏氟乙烯膜 被引量：4
6
作者 郑振荣 顾振亚 +2 位作者 霍瑞亭 叶永红 张之秋 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期126-129,共4页
基于"荷叶效应"原理,利用聚偏氟乙烯(PVDF)涂膜构筑微米结构,氧等离子体诱导化学沉积法构筑纳米结构。采用接触角测量仪、原子力显微镜及X光电子能谱仪等研究了PVDF膜表面的微结构及化学组成与疏水性能的关系。结果显示,PVDF... 基于"荷叶效应"原理,利用聚偏氟乙烯(PVDF)涂膜构筑微米结构,氧等离子体诱导化学沉积法构筑纳米结构。采用接触角测量仪、原子力显微镜及X光电子能谱仪等研究了PVDF膜表面的微结构及化学组成与疏水性能的关系。结果显示,PVDF溶液涂膜后可形成直径8μm的微球,甲基三氯硅烷修饰的PVDF膜与水的接触角为157°;二甲基二氯硅烷/甲基三氯硅烷混合液修饰的PVDF膜的表面接触角为155°,滚动角2°;集灰实验证明,两种修饰方法制备的PVDF膜均具有良好的防污自洁性能。 展开更多
关键词 荷叶效应 超疏水性 化学浴沉积 防污自洁
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化学浴沉积法制备ZnS薄膜 被引量：4
7
作者 王应民 张萌 +3 位作者 徐鹏 刘洋文 李禾 徐飞 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2006年第3期279-282,共4页
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中,采用氨水为主络合剂,水合肼为辅助络合剂,通过添加少量的分散剂丙三醇,调节沉淀团簇的大小,改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪... 太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中,采用氨水为主络合剂,水合肼为辅助络合剂,通过添加少量的分散剂丙三醇,调节沉淀团簇的大小,改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪测试和高性能光学显微镜观察。研究结果表明:在优化配方(ZnSO40.007 5 mol/L;SC(NH2)20.007 5 mol/L;氨水0.44 mol/L;水合肼0.3 mol/L)下,反应温度75℃和沉积时间60m in时,得到的缓冲层光亮、平整。XRD衍射分析结果表明缓冲层主要成分为ZnS,存在少量Zn(OH)2。 展开更多
关键词 化学浴沉积法 ZNS薄膜 XRD
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化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响 被引量：8
8
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期968-971,共4页
采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,... 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(cbd) CDS薄膜 沉积时间 Cu(In Ga)Se2太阳电池
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化学浴沉积PbSe多晶薄膜及其光电性能初探 被引量：4
9
作者 陈凤金 司俊杰 +1 位作者 姚官生 张庆军 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第10期610-613,共4页
分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析。两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜。以硒粉所制备的PbSe薄膜颗粒度为1μm,以... 分别以硒脲和硒粉为Se2-制备剂的主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析。两种制备方法均获得了结晶度良好的PbSe多晶薄膜。以硒粉所制备的PbSe薄膜颗粒度为1μm,以硒脲所制备的薄膜颗粒度为0.3μm,小颗粒薄膜出现红外吸收限蓝移现象。测得由所制备的薄膜得到的PbSe光导型探测器原型器件的电压响应率为1200 V/W。 展开更多
关键词 硒化铅 化学浴沉积 多晶薄膜 光电性能
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水浴温度对化学水浴法沉积CdS和ZnS薄膜性能的影响 被引量：2
10
作者 白鹏 张弓 +1 位作者 庄大明 叶亚宽 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期481-486,共6页
分别采用硫酸镉、硫脲、氨水溶液体系及硫酸锌、硫脲、氨水、联氨溶液体系,以化学水浴法(CBD)制备CdS和ZnS薄膜,研究水浴温度对薄膜沉积过程及性能的影响,分析不同水浴温度下沉积得到的CdS和ZnS薄膜性能的差异。试验表明,随着水浴温度... 分别采用硫酸镉、硫脲、氨水溶液体系及硫酸锌、硫脲、氨水、联氨溶液体系,以化学水浴法(CBD)制备CdS和ZnS薄膜,研究水浴温度对薄膜沉积过程及性能的影响,分析不同水浴温度下沉积得到的CdS和ZnS薄膜性能的差异。试验表明,随着水浴温度的升高,薄膜的沉积速率增大,致密度变高,薄膜的禁带宽度更接近其理论值。当水浴温度大于70℃时,CdS薄膜的沉积速率远大于ZnS;随着水浴温度的升高,CdS晶粒逐渐变小而ZnS晶粒逐渐变大,CdS薄膜中S/Cd原子比逐渐下降,而ZnS薄膜中S/Zn原子比逐渐升高;ZnS薄膜能够透过更多短波高能光子且禁带宽度大于CdS,有利于提高太阳电池的效率。 展开更多
关键词 CDS薄膜 ZNS薄膜 化学水浴沉积(cbd) 水浴温度
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化学浴沉积法制备ZnS薄膜的结构及可见-近红外光谱特性研究 被引量：2
11
作者 刘颖 缪彦美 +2 位作者 郝瑞亭 郭杰 杨海刚 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期610-615,共6页
采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。... 采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。结果表明,Zn S薄膜经退火后出现明显特征衍射峰,为闪锌矿结构,可见光范围内平均透过率均大于80%。经过工艺优化,在水浴温度为80℃、沉积时间为1 h、p H=10条件下沉积的Zn S薄膜表面均匀致密,可见光范围内平均透过率为89.6%,光学带隙为3.82 e V,适合做铜铟镓硒和铜锌锡硫薄膜太阳电池的缓冲层。 展开更多
关键词 ZNS薄膜 缓冲层 化学浴沉积 透过率
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化学水浴沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响 被引量：2
12
作者 王智平 赵静 王克振 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1311-1316,共6页
采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响。结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要影响因素,醋酸镉、硫脲、氨水的浓度为次要因素,生长速率最小... 采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响。结果表明,温度、醋酸铵浓度、搅拌强度为主要影响因素,醋酸镉、硫脲、氨水的浓度为次要因素,生长速率最小为0.68nm/min,最大达到43.12nm/min。各沉积参数对CdS薄膜生长速率的影响规律各不相同,随温度升高而单调增加,随醋酸铵浓度增大而单调下降;随着转速的加快生长速率先增大后减小最后保持稳定;醋酸镉、硫脲和氨水浓度对生长速率的影响规律较为复杂,存在一临界浓度,在临界浓度两侧生长速率变化差异较大,当浓度过大时,生长速率开始下降。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(cbd) CDS薄膜 正交实验 生长速率
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超声搅拌化学浴沉积法制备大颗粒和致密的CdS薄膜(英文) 被引量：1
13
作者 史成武 陈柱 +1 位作者 史高杨 孙人杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2821-2825,共5页
采用超声搅拌化学浴法(UCBD)在SnO2:F透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS薄膜中CdS聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响.结果表明,CdCl... 采用超声搅拌化学浴法(UCBD)在SnO2:F透明导电玻璃衬底上制备了CdS薄膜.研究了退火和CdCl2处理对UCBD-CdS薄膜的表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响,比较了沉积时间对UCBD-CdS薄膜中CdS聚集体颗粒大小和堆积致密性的影响.结果表明,CdCl2处理可使CdS聚集体中的小颗粒重新熔合在一起,但CdS聚集体的大小并没有改变.在UCBD-CdS薄膜的沉积过程中,CdS薄膜的横向和纵向生长速率之比会随着沉积时间的不同而改变,且沉积时间是获得大颗粒的CdS聚集体和致密的UCBD-CdS薄膜的重要影响因素.当沉积时间为40min时,获得的UCBD-CdS薄膜较致密,CdS聚集体的大小为180nm,膜厚为80.8nm,适合作为薄膜太阳电池的窗口层. 展开更多
关键词 CDS薄膜 超声搅拌 化学浴沉积 沉积时间 退火 CdCl2处理
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化学浴沉积方法制备硫化铟敏化太阳电池及其性能研究 被引量：1
14
作者 朱俊 张耀红 +1 位作者 胡林华 戴松元 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第1期89-94,共6页
硫化铟是一种稳定、低毒性的半导体材料.本文采用低成本的化学浴沉积方法制备了硫化铟敏化太阳电池,X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)结果表明形成了硫化铟敏化的二氧化钛薄膜.化学浴沉积温度对所得硫化铟敏化薄膜的形... 硫化铟是一种稳定、低毒性的半导体材料.本文采用低成本的化学浴沉积方法制备了硫化铟敏化太阳电池,X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)结果表明形成了硫化铟敏化的二氧化钛薄膜.化学浴沉积温度对所得硫化铟敏化薄膜的形貌有显著的影响,进而影响电池性能.温度太低时,化学浴沉积反应速率太低,只发生少量沉积;温度太高时,化学浴沉积反应速率较快,硫化铟来不及沉积到二氧化钛多孔薄膜内部.当温度在40°C时,硫化铟沉积均匀性最好,薄膜的光吸收性能最佳,电池的短路电流最大,另外,填充因子达到最佳,为65%,电池总体光电转换效率为0.32%. 展开更多
关键词 硫化铟 敏化 太阳电池 化学浴沉积 复合
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化学浴沉积法制备ZnO的形成机制研究 被引量：1
15
作者 贾伟 李天保 +2 位作者 张竹霞 刘旭光 许并社 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2007-2012,共6页
采用化学浴沉积法,以Zn(CH3COO)2和NH3·H2O为反应体系,研究了不同陈化时间阶段下产物的物相、形貌以及残余溶液中的Zn离子浓度。结果表明:在恒温陈化过程中,会出现中间产物ε-Zn(OH)2微晶,并且随着陈化时间的增加,这些ε-Zn(OH)2... 采用化学浴沉积法,以Zn(CH3COO)2和NH3·H2O为反应体系,研究了不同陈化时间阶段下产物的物相、形貌以及残余溶液中的Zn离子浓度。结果表明:在恒温陈化过程中,会出现中间产物ε-Zn(OH)2微晶,并且随着陈化时间的增加,这些ε-Zn(OH)2微晶会逐渐转变为ZnO晶体,它们之间的相变过程虽同时遵循溶解-再结晶和固相转变两种机制,但以固相转变机制为主。 展开更多
关键词 ZNO 化学浴沉积法 形成机制 固相转变
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化学浴沉积PbSe多晶薄膜制备 被引量：3
16
作者 陈凤金 司俊杰 +1 位作者 张庆军 姚官生 《航空兵器》 2012年第3期47-50,共4页
简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况,分别以硒脲和硒粉为主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用SEM、XRD、TEM等方法进行表征分析和对比,实验结果表明,在不考虑硒脲本身原料的纯度因素影响的情况下... 简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况,分别以硒脲和硒粉为主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用SEM、XRD、TEM等方法进行表征分析和对比,实验结果表明,在不考虑硒脲本身原料的纯度因素影响的情况下,以硒粉为原料制成的薄膜其晶体结构的完整性和光电导特性均优于以硒脲为原料所制成的薄膜,也验证了以硒粉为原料的低成本制备PbSe薄膜方法可行性。 展开更多
关键词 硒化铅 化学浴沉积 硒脲 多晶薄膜 光电导特性
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络合剂对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响 被引量：2
17
作者 刘琪 冒国兵 敖建平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期382-385,共4页
采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄... 采用不同络合剂化学水浴沉积ZnS薄膜,应用台阶仪、SEM、XRD、波谱仪等手段测定了ZnS薄膜的厚度、表面、物相结构及透过率等。结果表明,氨水体系沉积薄膜速度明显慢于另外两种体系,沉积的ZnS薄膜都为立方结构。柠檬酸钠体系沉积的ZnS薄膜结晶和透过率最佳,但薄膜表面缺陷较多;氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜表面质量最佳,结晶和透过率也较好;氨水体系沉积的ZnS薄膜质量较差。用3种体系沉积的ZnS薄膜用于制备铜铟镓硒Cu(In,Ga)Se2太阳电池,氨水和氨水-联氨体系沉积的ZnS薄膜制备的电池转换效率明显高于柠檬酸钠体系沉积的ZnS制备的太阳电池。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(cbd) 络合剂 ZNS薄膜 Cu(In Ga)Se2太阳电
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联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响 被引量：1
18
作者 冒国兵 刘琪 敖建平 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期671-675,共5页
在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响。结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加。两种溶液沉积的Zn... 在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响。结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加。两种溶液沉积的ZnS都为立方相结构,且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少。在含有联氨的B溶液中沉积的ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜。将两种溶液沉积的ZnS薄膜作为电池缓冲层制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池,加入联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率达到7.77%,比不加联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率提高了1.3%。 展开更多
关键词 联氨 ZNS薄膜 化学水浴沉积(cbd) CIGS太阳电池
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化学浴沉积制备防污自洁型PVDF/PMMA共混膜研究 被引量：1
19
作者 张克宏 肖慧 +2 位作者 赵荣荣 陆磊 万昭佳 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期66-70,共5页
使用NaOH溶液亲水改性聚偏氟乙烯(PVDF)/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混膜,在共混膜表面化学浴沉积烷基氯硅烷,构筑微纳米结构,制备出具有超疏水能力的PVDF/PMMA共混膜,对共混膜的微观结构和性能进行了表征。结果表明,亲水改性提升了PVDF/P... 使用NaOH溶液亲水改性聚偏氟乙烯(PVDF)/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)共混膜,在共混膜表面化学浴沉积烷基氯硅烷,构筑微纳米结构,制备出具有超疏水能力的PVDF/PMMA共混膜,对共混膜的微观结构和性能进行了表征。结果表明,亲水改性提升了PVDF/PMMA共混膜表面烷基氯硅烷的化学浴沉积效果;亲水改性的最佳工艺条件为:NaOH的浓度为40%、反应时间为60 min、反应温度为70℃;化学沉积后的.PVDF/13MMA共混膜接触角高达154.6°;集灰实验表明,倾斜角度约为1°时水滴能将膜表面的灰尘带走,膜的防污自洁性能优良。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯 聚甲基丙烯酸甲酯 亲水改性 化学浴沉积 防污自洁
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退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响 被引量：1
20
作者 薛钰芝 管玉鑫 《大连交通大学学报》 CAS 2012年第2期57-61,共5页
采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左... 采用化学水浴沉积法(CBD)制备了CdS薄膜,用扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计进行检测.研究了退火温度对CdS薄膜表面形貌、成分、晶体结构和光学性能的影响.研究表明,CdS薄膜为微晶或是非晶态,S/Cd原子比在0.8左右,可见光透过率较高;随着退火温度的升高,薄膜结晶明显,但是透光率下降,禁带宽度范围在2.42～2.59eV之间. 展开更多
关键词 CDS薄膜 化学水浴沉积(cbd) 退火温度
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