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光敏二极管模块在地震光缆维修中的应用
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作者 张月强 彭虽心 桑怀飞 《电子制作》 2024年第24期109-111,共3页
光缆在地震勘探中应用广泛,设备应用数量大,损坏多,维修工作量大,维修完成后无法直接用数值测量出光缆好坏。采用光敏二极管模块设计出一种装置,为光缆维修提供一种便利的测试设备,用来测试光缆是否完好。文中详细介绍了模块的特点,对... 光缆在地震勘探中应用广泛,设备应用数量大,损坏多,维修工作量大,维修完成后无法直接用数值测量出光缆好坏。采用光敏二极管模块设计出一种装置,为光缆维修提供一种便利的测试设备,用来测试光缆是否完好。文中详细介绍了模块的特点,对装置的制作提出了系统设计方案和硬件设计。利用光敏二极管模块制作的光缆测试装置有效地降低了光缆测试损伤眼睛的风险,在光缆维修中起到很好的辅助作用。 展开更多
关键词 维修 光敏二极管模块
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基于补偿法下单片机温/光控系统设计的光敏二极管导电特性的探究
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作者 齐裕佳 叶修卿 +1 位作者 陈雯颖 雷禄均 《家电维修》 2024年第9期95-97,共3页
本文介绍一种常用的实验方法——补偿法,用于测量半导体二极管的伏安特性,该方法可以准确得到电流电压特性曲线,并确定半导体二极管的参数。文章首先阐述实验目的和意义,在实验原理部分详细介绍补偿法的原理和流程,在实验装置与操作部... 本文介绍一种常用的实验方法——补偿法,用于测量半导体二极管的伏安特性,该方法可以准确得到电流电压特性曲线,并确定半导体二极管的参数。文章首先阐述实验目的和意义,在实验原理部分详细介绍补偿法的原理和流程,在实验装置与操作部分则介绍所需器材和具体操作步骤,在实验结果与分析部分详细介绍相关数据和曲线图,并分析半导体二极管的性质和参数,最后在结论与实验建议部分总结实验结果,并提出相应的改进建议。该实验方法对半导体器件的研究和应用具有重要意义。 展开更多
关键词 单片机温/控系统 光敏二极管 导电特性
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PIN光敏二极管X射线探测器的性能与应用研究 被引量:6
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作者 卢杰 邓景康 +3 位作者 宁传刚 尚仁成 郑晓超 王延峰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期20-23,共4页
介绍了 PIN型光敏二极管和电荷灵敏前放组成的 X射线探测器的性能和测量结果 ,并与Cd Zn Te探测器的能谱测量结果进行了比较 ,还研究了温度对光敏二极管能量分辨率的影响。2 5℃时 ,光敏二极管探测器对2 4 1Am的 5 9.5 ke V峰的能量分... 介绍了 PIN型光敏二极管和电荷灵敏前放组成的 X射线探测器的性能和测量结果 ,并与Cd Zn Te探测器的能谱测量结果进行了比较 ,还研究了温度对光敏二极管能量分辨率的影响。2 5℃时 ,光敏二极管探测器对2 4 1Am的 5 9.5 ke V峰的能量分辨率为 7.6 % ,冷却到 0℃后达到 4 .7%。 展开更多
关键词 PIN光敏二极管 X射线探测器 性能 应用 结构 探测技术
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硅PIN光敏二极管探测X、γ射线的性能及应用 被引量:7
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作者 任雪光 宁传刚 +3 位作者 邓景康 卢杰 王延峰 郑晓超 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-32,29,共4页
介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PI... 介绍了硅PIN光敏二极管和电荷灵敏前放组成的X射线探测器和配合CsI(Tl)晶体构成的γ射线探测器的性能和测量结果,同时研究了光敏二极管探测器能量分辨率的温度特性。测量X射线时,在-10℃下对241Am的59.5keV射线的能量分辨率为4.8%;用PIN光敏二极管配合10mm×10mm×10mm的CsI(Tl)晶体测量γ射线时,在20℃下对137Cs0.662MeVγ射线的能量分辨率为9.9%,60Co的1.332MeVγ射线的能量分辨率为6.4%,-10℃下的能量分辨率分别为8.7%和6.3%。 展开更多
关键词 PIN光敏二极管探测器 CSI(TL)晶体 温度特性
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光敏二极管温度特性的简易测量方法 被引量:2
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作者 李成仁 吕翎 邱红 《传感器技术》 CSCD 1999年第5期36-37,共2页
为了保证光纤传感器的长期工作稳定性和数据重复性,无论是比值法还是稳光法,两个光敏二极管的温度特性应一致。同时介绍了一种测量光敏二极管(PIN)
关键词 纤传感器 光敏二极管 温度特性 测量
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光微变及微光的光敏二极管探测电路的研究 被引量:5
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作者 宋俊磊 杨勇 王典洪 《光电技术应用》 2005年第3期25-27,52,共4页
光敏二极管的开路电压随光照强度的增加,成对数式增大,当光强在一定范围内变化时,开路电压随光强变化的斜率很大,利用此特性的光探测电路,对光强的微弱变化十分敏感,适用于侵入监测和需要准确监控光强变化的情况.分析比较了几种可用于... 光敏二极管的开路电压随光照强度的增加,成对数式增大,当光强在一定范围内变化时,开路电压随光强变化的斜率很大,利用此特性的光探测电路,对光强的微弱变化十分敏感,适用于侵入监测和需要准确监控光强变化的情况.分析比较了几种可用于光探测的运算放大器电路,提出了实现微光及光微变的光敏二极管探测的方案. 展开更多
关键词 光敏二极管 微弱 探测器 运算放大器
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光敏二极管传感器在几个特定条件下的响应状态分析 被引量:5
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作者 苏震 梁小龙 《中国传媒大学学报(自然科学版)》 2012年第1期19-23,共5页
文章首先介绍了光敏二极管的传感工作原理,接着在提出了恒压假定和恒流假定的基础之上,对光敏二极管工作时在特定条件下的电压-电流关联特性进行详细的分析研究,并揭示了其光电变换特性的变化规律。从研究分析的结论中,可以清楚地看到... 文章首先介绍了光敏二极管的传感工作原理,接着在提出了恒压假定和恒流假定的基础之上,对光敏二极管工作时在特定条件下的电压-电流关联特性进行详细的分析研究,并揭示了其光电变换特性的变化规律。从研究分析的结论中,可以清楚地看到光电二极管伏安特性曲线的形成过程及其与相关因素之间的内在联系,全面知晓光电二极管的工作状态的变化,正确拾取和利用传感输出信号。 展开更多
关键词 光敏二极管 恒压假定 恒流假定 生电动势 伏安特性
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光敏电阻、光敏二极管各种特性测量实验的设计 被引量:2
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作者 于晓春 李洪宇 《电子质量》 2018年第4期15-19,共5页
通过实验,得到了发光二极管的各种特性及电光驱动特性,一些复合半导体材料(如GaAs等)形成的PN结正向偏置时,空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,其发光波长与相应半导体材料的能级间隙Eg有关。利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等... 通过实验,得到了发光二极管的各种特性及电光驱动特性,一些复合半导体材料(如GaAs等)形成的PN结正向偏置时,空穴与电子在PN结复合产生特定波长的光,其发光波长与相应半导体材料的能级间隙Eg有关。利用具有光电导效应的材料(如硅、锗等本证半导体与如硫化镉、硒化镉、氧化铅等杂质半导体)可以制成电导随入射光度量变化的器件,叫做光电探测器,即光敏电阻。光敏电阻的工作原理是光电导效应。如果没有光射入,其阻值较高,如果有光射入,其阻值变小。当光的强度逐渐增大时,光敏电阻阻值逐渐变小,停止光照了,光敏电阻的阻值与无光照时相同,即是原值。它是由涂于玻璃底板上的一薄层半导体材料构成,其上装有梳妆电极。发光二极管作为光源,光敏电阻、光敏二极管在受到光照时,光敏电阻阻值的变化和光敏二极管具有伏安特性。 展开更多
关键词 二极管 电阻 光敏二极管 通过实验 照特性
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基于VB的光敏二极管特性测试装置设计 被引量:2
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作者 顾永杰 《微计算机信息》 2010年第8期96-97,111,共3页
应用计算机、单片机和VB高级语言设计的光敏二极管特性测试装置,可以分析光敏二极管的工作原理、基本性能及其伏安特性,能够实现特性测试的全自动化,是研究光敏二极管特性的智能测试装置。
关键词 光敏二极管 VB 计算机单片机 测量
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光敏二极管传感器在统计教室中人数的应用--基于单片机
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作者 关明 李青 郭菲 《商情》 2010年第11期26-26,42,共2页
本文介绍了应用光敏二极管传感器的通断测量进出教室中的人数,以及应用单片机对测量数据进行处理的方法,重点阐述了单片机中两个中断程序配合实现计数的过程。另外,中断中对于延时时间需要经过不断反复实践来设定,是准确计数的关键。
关键词 光敏二极管传感器 单片机 中断 延时
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基于单片机和光敏二极管的矿井小车测速及报警系统
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作者 李青 霍攀 柴炜 《商情》 2010年第13期85-85,共1页
本文介绍了利用半导体激光二极管(红外波段的)、光敏二极管以及单片机检测矿井弯道处有无小车通过,并检测出小车的速度,在弯道的另一端向工作人员进行声光报警,速度的实时显示。
关键词 半导体激二极管 光敏二极管 脉冲宽度检测
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黑硅微结构光敏二极管 被引量:3
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作者 王文革 李华高 +4 位作者 龙飞 李睿智 李平 张昌丽 李益 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第6期892-894,共3页
与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率... 与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。 展开更多
关键词 金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率
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基于光敏二极管传感器三维阵列的光伏跟踪误差检测研究 被引量:2
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作者 唐梓彭 魏超 +3 位作者 上官炫烁 张骏 何梓瑜 许耀华 《太阳能》 2023年第3期73-80,共8页
光伏跟踪系统可提高光伏发电系统的发电效率,但由于光伏跟踪系统的运行机构及运动控制算法等存在不稳定性,常会导致其运行效果不理想,跟踪精度难以保障。为实现光伏跟踪系统跟踪误差的现场检测,设计了一种基于光敏二极管传感器三维阵列... 光伏跟踪系统可提高光伏发电系统的发电效率,但由于光伏跟踪系统的运行机构及运动控制算法等存在不稳定性,常会导致其运行效果不理想,跟踪精度难以保障。为实现光伏跟踪系统跟踪误差的现场检测,设计了一种基于光敏二极管传感器三维阵列的光伏跟踪误差检测装置,该装置主要包括1个由多个光敏二极管传感器以三维阵列规则镶嵌构造的圆球体和主控制系统等;并设计了基于激光水平仪的传感器标定方案,实现传感器初始值偏差校正,提升检测装置一致性,实现对单轴或双轴光伏跟踪系统跟踪误差的自动检测。经设备试制及测试验证,结果表明:该检测装置可满足光伏跟踪系统跟踪误差检测精度需求,能够准确在线检测单轴、双轴光伏跟踪系统在不同情况下的跟踪误差。 展开更多
关键词 伏跟踪系统 跟踪误差 光敏二极管传感器 三维阵列 初始值标定 检测
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PbSe/MoSe2异质结光敏二极管研制
14
作者 范旭东 代天军 +1 位作者 潘棋 刘兴钊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期86-89,共4页
采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300nm红外光源照射,在零偏压和-5V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×1... 采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性。使用1300nm红外光源照射,在零偏压和-5V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×10^9cm·Hz^1/2·W^-1和2.9×10^11cm·Hz^1/2·W^-1,显示出优异的光电响应特性。尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/暗电流比和更加优异的综合性能。 展开更多
关键词 硒化铅 硒化钼 异质结 光敏二极管 红外探测器
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半导体发光材料的新应用──视觉敏感GaAsP光敏二极管 被引量:1
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作者 陈佐禹 《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期292-296,共5页
本文讨论了半导体发光材料的新应用—GaAsP视觉敏感光敏二极管。这是在n—GaAsP上制作浅结的光敏二极管,通过对研组份值、结深的控制,器件的|△EV|≤0.1,这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼,其暗电流小于0.... 本文讨论了半导体发光材料的新应用—GaAsP视觉敏感光敏二极管。这是在n—GaAsP上制作浅结的光敏二极管,通过对研组份值、结深的控制,器件的|△EV|≤0.1,这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼,其暗电流小于0.2pA/mm2,灵敏度为0.8μA/mm2。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。 展开更多
关键词 光敏二极管 视觉 传感器
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光敏二极管传感器在统计教室中人数的应用
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作者 白岩 魏雨辰 滕春阳 《中国电子商务》 2010年第6期77-77,共1页
介绍了应用光敏二极管传感器的通断测量进出教室中的人数,并介绍了应用单片机对测量数据进行处理的方法,重点阐述了单片机中两个中断程序配合实现计数的过程。另外,中断中对于延时时间需要经过不断反复实践来设定,是准确计数的关键。
关键词 光敏二极管传感器 单片机 中断 延时
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Vishay发布业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调IC 被引量:1
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《物联网技术》 2012年第3期84-84,共1页
VishayIntertechnology,Inc.公司日前宣布推出业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调Ic——VSOP383和VSOP584,以扩大其光电子产品组合。VSOP383和VSOP584系列产品采用小尺寸的2mm2mm0.76mmQFN封装,能够处理连... VishayIntertechnology,Inc.公司日前宣布推出业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调Ic——VSOP383和VSOP584,以扩大其光电子产品组合。VSOP383和VSOP584系列产品采用小尺寸的2mm2mm0.76mmQFN封装,能够处理连续的数据传输,具有宽电源电压和低供电电流的特点。 展开更多
关键词 红外遥控信号 光敏二极管 解调 接收 调制 lC 产品组合 QFN封装
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Vishay发布业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调IC
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《电子设计工程》 2011年第24期129-129,共1页
日前,Vishay Intertechnology宣布,发布业内首款用于调制由分立光敏二极管接收的红外遥控信号的解调IC--VSOP383.和VSOP584..,扩大其光电子产品组合。
关键词 红外遥控信号 光敏二极管 解调 接收 调制 IC 产品组合 电子
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PIN光敏二极管和NPN平面光敏三极管
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《电子设计工程》 2010年第8期112-112,共1页
Vishay Intertechnology,Inc.推出通过AEC—Q101认证的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二极管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三极管,扩充其光电子产品组合。器件采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式表面贴装封装,光探测器可检测到可见光和近红... Vishay Intertechnology,Inc.推出通过AEC—Q101认证的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二极管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三极管,扩充其光电子产品组合。器件采用1.8mm的鸥翼式和倒鸥翼式表面贴装封装,光探测器可检测到可见光和近红外辐射,采用2.3mm×2.3mm×2.8mm的紧凑占位。所发布的器件针对仪表、汽车和打印机应用中的光幕、微型开关、编码器和光遮挡器进行了优化,探测器可在接近探测应用中探测可见光和红外发射源。 展开更多
关键词 三极管 光敏二极管 NPN PIN 平面 近红外辐射 探测器 表面贴装封装
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用分子束外延法生长HgCdTe双波段红外光敏二极管
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作者 王淑云 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第4期58-61,共4页
本文报道了全分子束外延法生长的HgCdTe可变偏压双波段红外光敏探测器。这种台式器件,即一个n—p—n三层HgCdTe异质结构,经作现场掺杂砷形成p型,掺杂铟形成n型。器件的结构类似于异质结可变基极晶体管。在77K下获得反面照射光谱纯的双... 本文报道了全分子束外延法生长的HgCdTe可变偏压双波段红外光敏探测器。这种台式器件,即一个n—p—n三层HgCdTe异质结构,经作现场掺杂砷形成p型,掺杂铟形成n型。器件的结构类似于异质结可变基极晶体管。在77K下获得反面照射光谱纯的双波段的探测证明了双色偏压可转换探测器的可行性。通过施加一个-250m V的偏压,选取5.2μm的截止波长(λ_(co)),量子效率(QE)为60%。施加一个+250m V的偏压,选取λ_(co)=7.9μm,量子效率QE为36%。器件的I-V特性可用简单的背对背二极管模式描述。 展开更多
关键词 分子束外延 碲镉汞 光敏二极管
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