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光抽运半导体激光器增益特性研究 被引量：6
1
作者 华玲玲 宋晏蓉 +2 位作者 张鹏 张晓 郭凯 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1702-1708,共7页
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数值模拟得到导带和价带的能带结构,计算应变量子阱的跃迁矩阵元,... 以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数值模拟得到导带和价带的能带结构,计算应变量子阱的跃迁矩阵元,进而用Lorentzian线形函数计算材料增益。讨论了量子阱阱宽、注入载流子浓度、温度等因素对量子阱材料增益的影响。计算结果表明,压应变使得量子阱有效带隙增大,降低了材料增益的透明电流密度,继而降低器件的阈值,改善器件的输出特性;增益峰值波长和发射波长之间合适的偏差,会使光抽运半导体激光器的阈值电流和工作电流随温度有较小的变化。 展开更多
关键词 激光器 光抽运半导体激光器 能带结构 材料增益谱 有限差分法 应变量子阱
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光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的设计与数值模拟 被引量：1
2
作者 王菲 王晓华 +3 位作者 刘向南 翁永超 房丹 方铉 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2010年第2期48-50,53,共4页
采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP双量子阱结构的半导体器件作为增益介质,设计了光抽运面发射半导体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了VECSEL表面的抽运光斑为圆形光斑。计算模拟了输出功率与抽运光斑和输出镜反射... 采用多周期应变补偿InGaAs/GaAsP双量子阱结构的半导体器件作为增益介质,设计了光抽运面发射半导体激光器件结构和实验光路。在谐振腔中引入分束棱镜保证了VECSEL表面的抽运光斑为圆形光斑。计算模拟了输出功率与抽运光斑和输出镜反射率间关系曲线,优化设计了抽运功率为2W时输出镜反射率并给出了相应的输出功率与抽运功率间关系模拟曲线。 展开更多
关键词 光抽运半导体激光器 垂直外腔面发射激光器 应变补偿双量子阱 分束棱镜
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蓝光抽运掺镨氟化钇锂橙光激光器 被引量：1
3
作者 闫宇 刘哲 +5 位作者 徐斌 王凤娟 蔡志平 许惠英 罗塞雨 渠彪 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B12期13-16,共4页
报道了蓝光半导体激光抽运的掺镨氟化钇锂（Pr：YLF）橙光607nm固体激光器。光抽运半导体激光器（OPSL）与激光二极管（LD）相比具有光束质量好、输出功率高、吸收效率高等优点，因此采用OPSL作为抽运源有助于提高Pr：YLF激光器性能。... 报道了蓝光半导体激光抽运的掺镨氟化钇锂（Pr：YLF）橙光607nm固体激光器。光抽运半导体激光器（OPSL）与激光二极管（LD）相比具有光束质量好、输出功率高、吸收效率高等优点，因此采用OPSL作为抽运源有助于提高Pr：YLF激光器性能。分别测量了Pr：YLF在橙光波段内常温（300K）和低温（12K）时的偏振发射光谱，表明该晶体的橙光3P0→3H6跃迁主要包含6条发射谱线。采用最高输出功率为1．9W，中心波长为479．2nm的OPSL作为抽运源，以及长度为5mrn、掺杂原子数分数为0．5％的Pr：YLF晶体作为增益介质，在平凹腔结构下获得的橙光607nm最大输连续输出功率为524mW，对应斜率效率为39．1％。 展开更多
关键词 激光器 橙光激光器 掺镨氟化钇锂晶体 光抽运半导体激光器
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