光学光刻技术的研究新进展

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作者 黄德均 《广东电子》 1998年第8期80-82,共3页

关键词 光学光刻技术 IC 增强模式

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微光刻与微/纳米加工技术(续) 被引量：6

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作者 陈宝钦 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期69-73,共5页

2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展... 2下一代光刻技术 虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展下一代光刻技术的研究与开发， 展开更多

关键词 纳米加工技术 下一代光刻技术 微光刻 研究与开发 光学光刻技术 微电子技术 物理极限 特征尺寸

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EUV光刻技术的挑战 被引量：2

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作者 程建瑞 《电子工业专用设备》 2015年第5期1-12,共12页

光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻... 光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻机双曝光技术,极紫外(波长13.5 nm)光刻技术可以为集成电路的生产提供更高的k1,在提供高分辨率的同时拥有较大的工艺窗口,减小光刻工艺复杂性,是具有很大吸引力的光学光刻技术,预计将在14 nm/11 nm节点进入集成电路批量生产应用。但是,极紫外光刻技术还有包括曝光成像(patterning)、掩模版(mask)、光刻机(scanner)、高功率极紫外光源(source)、极紫外光刻胶、光学系统寿命等挑战需要解决。其中光刻机方面的挑战主要有:光刻机基础平台技术,对焦、剂量与套刻控制技术,光学设计与制造技术,光学测量技术,多层膜技术,波像差、杂散光控制等技术。本文对极紫外光刻的主要挑战技术进行论述。 展开更多

关键词 光学光刻技术 极紫外光刻技术 EUV 双曝光技术 大规模生产 高分辨率 集成电路 光学测量技术

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远紫外光刻技术领域CD控制的温度计量方法

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作者 万力 《电子工业专用设备》 1998年第1期55-58,共4页

从化学增强型抗蚀剂（ＣＡＲ）到抗反射涂层（ＡＲＣ），远紫外（ＤＵＶ）光刻技术需要特殊的温度条件。本文阐述了解决这些问题的方案，讨论了监控及分析生产用抗蚀剂处理设备温度性能的技术；同时说明了检查测试热循环过程中实际的圆... 从化学增强型抗蚀剂（ＣＡＲ）到抗反射涂层（ＡＲＣ），远紫外（ＤＵＶ）光刻技术需要特殊的温度条件。本文阐述了解决这些问题的方案，讨论了监控及分析生产用抗蚀剂处理设备温度性能的技术；同时说明了检查测试热循环过程中实际的圆片热测量和掩模温度的现场监控。 展开更多

关键词 光学光刻技术 CD控制 远紫外光 硅圆片

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下一代光刻技术(NGL)永无登场之日吗?

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作者 Aaron Hand 卢文豪 《中国集成电路》 2002年第12期56-60,共5页

最近Semiconductor International与里德调研公司合作,向光刻工作者调查了对下一代光刻技术的要求与前景展望。果然不出所料,受访者似乎十分愿意尽可能延长使用光学光刻技术。

关键词 掩模版 光学光刻技术 电子束光刻技术 下一代光刻技术 光刻设备 新工艺 光刻工艺 相移掩模 保护膜 光源

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《半导体国际》第三届光刻技术研讨会

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《集成电路应用》 2007年第7期20-20,共1页

光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流... 光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来，随着器件尺寸的不断缩小，作为现有光学光刻技术的延伸，浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧，然而在以0.15微米以上技术为主流的中国半导体制造业，在引进海外技术先进技术的同时，我们更加关注如何推动国内光刻技术水平的发展，如何加快国产光刻设备业的研发创新，促进中国半导体制造业的持续快速发展。 展开更多

关键词 光学光刻技术 技术研讨会 《半导体国际》 半导体制造业 半导体制造技术 关键工艺 器件尺寸 数值孔径

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光刻技术能否突破极限?

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作者 天易 《中国军转民》 2001年第12期39-40,共2页

芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL... 芯片制造业巨头联手攻关 国家实险室担任主角 半导体制造厂商目前在光学光刻技术能力上都在逼近极限,很多厂商争相探寻下一代光刻技术(NGL)系统。由于电子设备业今后健康发展和生命力的关键就在于下一代光刻技术,所以工业上用于研制NGL的耗费很大。总之,要使莫尔定律继续有效。 展开更多

关键词 光学光刻技术 下一代光刻技术 极限 国家实验室 光致抗蚀剂 远紫外光源 半导体工业 芯片制造业 反射光栅 半导体制造

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PREVAIL——下一代电子束投影曝光技术 被引量：1

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作者 王云翔 刘明 +3 位作者 陈宝钦 李友 张建宏 张卫红 《微细加工技术》 2002年第2期1-4,共4页

PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有... PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术 ,采用可变轴浸没透镜 ,对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在 1mm2 子场的情况下 ,运用步进扫描曝光方式 ,在 1 0 0nm临界尺寸下具有较高的产量 ,与EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。 展开更多

关键词 PREVAIL 电子束投影曝光技术 光学光刻技术 NGL

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高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米 被引量：2

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作者 Aaron Hand 《集成电路应用》 2006年第6期15-15,共1页

在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，... 在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，普遍的问题是如何妥善地解决图形套准的问题，对于逻辑电路芯片的生产工艺而言，由于其没有大量的密集线条，因此也就能够较好地归避上述的风险。 展开更多

关键词 光学光刻技术 32纳米 高折射率 浸没式 跨越 镜头 SPIE 使用寿命 曝光技术 生产工艺

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微细加工技术与设备

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《中国光学》 EI CAS 2001年第2期99-102,共4页

TN305.7 20010214190.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望=Status and prospects of lithography technologiesfor 0.1 3 μm integrated circuit manufacturing[刊,中]/郭宝增(河北大学电子信息工程学院.河北,保定(071002))/... TN305.7 20010214190.13μm集成电路制造中的光刻技术研究现状及展望=Status and prospects of lithography technologiesfor 0.1 3 μm integrated circuit manufacturing[刊,中]/郭宝增(河北大学电子信息工程学院.河北,保定(071002))//固体电子学研究与进展.—2000,20(3).-281-290介绍了157 nm光学光刻技术、X射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术的研究现状。 展开更多

关键词 微细加工技术 微细加工光学技术 光学光刻技术 国家重点实验室 光刻胶 研究现状 邻近效应 连续微光学元件 中科院 离子束刻蚀

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高能电子束纳米曝光系统的研制

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作者 田丰 韩立 顾文琪 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期641-642,共2页

关键词 高能电子束纳米曝光系统 微电子产业 半导体器件 光学光刻技术 电子束曝光技术 高分辨

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微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用 被引量：5

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作者 刘明 陈宝钦 +6 位作者 谢常青 王丛舜 龙世兵 徐秋霞 李志钢 易里成荣 涂德钰 《物理》 CAS 北大核心 2006年第1期47-50,共4页

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重... 微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度,光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术,同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术,文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用. 展开更多

关键词 纳米加工 纳米器件 微纳加工技术 光学光刻技术

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制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

13

《电子科技文摘》 2000年第4期38-38,共1页

0005792改进定标曝光场的对准精度[刊,译]//电子工业专用设备.—1999,(4).—51～56(A)00057930.30μmi 线光刻的精确套准控制[刊.译]//电子工业专用设备.—1999,(4),—42～46(A)

关键词 专用设备 电子工业 光学光刻技术 对准精度 腐蚀 移相掩模技术 制版 工艺 定标 极紫外光刻技术

原文传递

制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

14

《电子科技文摘》 1999年第12期42-43,共2页

目前看来,193nm 光学光刻很有希望应用到0.13μm集成电路工业生产中去。本文从光源、照明系统、掩模、光刻胶、光刻机等方面对193nm 光学光刻技术进行了分析,并介绍了它目前的一些进展情况,最后对它的应用前景进行了简要分析。

关键词 光学光刻技术 分步重复投影光刻机 工艺流程 掩模台 集成电路 微电子技术 照明系统 应用前景 光刻胶 工业生产

原文传递