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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)
1
作者 张荣 顾书林 +5 位作者 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期53-56,共4页
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表... 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。 展开更多
关键词 GAN 侧向外延生长 氢化汽相外延
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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)
2
作者 张荣 顾书林 +5 位作者 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期53-56,共4页
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表... 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。 展开更多
关键词 GAN 侧向外延生长 氢化汽相外延
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MOCVD侧向外延生长GaN的研究
3
作者 朱丽虹 李晓莹 刘宝林 《微细加工技术》 2008年第6期48-52,共5页
在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表... 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。 展开更多
关键词 低压金属有机化学气相沉积 氮化镓 侧向外延生长 原子力显微镜 扫描电子显微镜 拉曼散射谱
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Si衬底上侧向外延生长GaN的研究 被引量：3
4
作者 曹峻松 郑畅达 +3 位作者 全知觉 方芳 汤英文 王立 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第4期569-573,共5页
采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN... 采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN侧向外延速度较快,有利于合并得到平整的薄膜。同时,研究表明,升高温度和降低生长气压都有利于侧向生长。通过优化生长工艺,在条形Al掩模Si(111)衬底上得到了连续完整的GaN薄膜。原子力显微镜测试显示,窗口区域生长的GaN薄膜位错密度约为1×109/cm2,而侧向生长的GaN薄膜位错密度降低到了5×107/cm2以下。 展开更多
关键词 侧向外延过生长 氮化镓 硅 MOCVD
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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1
5
作者 杨志坚 胡晓东 +12 位作者 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页
在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生... 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。 展开更多
关键词 氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积
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GaN基蓝光半导体激光器的发展 被引量：8
6
作者 陈良惠 叶晓军 种明 《物理》 CAS 北大核心 2003年第5期302-308,共7页
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外延生长技术的采用... 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等 .另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘 (DVD) 展开更多
关键词 GaN基蓝光半导体激光器 氮化镓 光存储 衬底材料 制作工艺 侧向外延生长 数字多功能光盘
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