Ti吸附Hg后位错发射及微裂纹形核的TEM原位研究 被引量：5

1

作者 宿彦京 吕宏 +1 位作者 王燕斌 褚武扬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期337-344,共8页

用自制的恒位移加载台，在TEM中原位观察了α-Ti在Hg蒸汽中放置前后加载裂纹前端位错组态的变化以及脆性微裂纹的形核和扩展，并和α-Ti在TEM中原位拉伸的结果进行了比较.结果表明：加载裂纹吸附Hg原子后能促进位错的发射、增殖和运动... 用自制的恒位移加载台，在TEM中原位观察了α-Ti在Hg蒸汽中放置前后加载裂纹前端位错组态的变化以及脆性微裂纹的形核和扩展，并和α-Ti在TEM中原位拉伸的结果进行了比较.结果表明：加载裂纹吸附Hg原子后能促进位错的发射、增殖和运动；当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时，脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展.α-Ti在TEM中原位拉伸时，只有当热激活或外应力促进的位错发射和运动达到临界条件时，微裂纹才形核，并很快钝化成空洞而导致韧断. 展开更多

关键词 Α-TI 透射电镜 位错发射 液体金属脆

在线阅读 下载PDF 职称材料

液体金属吸附促进位错发射的分子动力学研究 被引量：4

2

作者 周国辉 周富信 +1 位作者 万发荣 褚武扬 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第3期272-279,共8页

用第一原理算出 Ｒｏｓｅ方程中的参量后，利用陈氏反演原理可以求出 Ａｌ－Ｇａ和 Ｃｕ－Ｇａ 的对势；从而可研究Ａｌ和Ｃｕ裂纹表面吸附液体金属Ｇａ之后对裂尖发射位错的影响． 结果表明，Ａｌ吸附Ｇａ后可使发射位借的临界应力强... 用第一原理算出 Ｒｏｓｅ方程中的参量后，利用陈氏反演原理可以求出 Ａｌ－Ｇａ和 Ｃｕ－Ｇａ 的对势；从而可研究Ａｌ和Ｃｕ裂纹表面吸附液体金属Ｇａ之后对裂尖发射位错的影响． 结果表明，Ａｌ吸附Ｇａ后可使发射位借的临界应力强度因子从Ｋ_（Ｉｅ）＝０．５ＭＰａｍ^（１／２）降为 Ｋ_（Ｉｅ）＝０．４ＭＰａｍ^（１／２）；对Ｃｕ则从Ｋ_（Ｉｅ）＝０．５５ＭＰａｍ^（１／２）降为Ｋ_（Ｉｅ）（Ｌ）＝０．４５ＭＰｍ^（１／２），即 Ｇａ吸附后能促进位错的发射．另外，吸附 Ｇａ之后裂尖前方容易产生空位团及 Ｆｒａｎｋ位借。 展开更多

关键词 液体金属脆 分子动力学模拟 位错发射 镓 铝

在线阅读 下载PDF 职称材料

吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟 被引量：2

3

作者 李忠吉 刘辉 +2 位作者 高克玮 乔利杰 褚武扬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1013-1017,共5页

根据反演法获得的对势和ＥＡＭ多体势计算了纯Ａｌ位错发射的临界应力强度因子ＫＩｅ以及Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子 ＫＩＧ．结果表明，用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近. 因此，用对势来研究吸附的影响... 根据反演法获得的对势和ＥＡＭ多体势计算了纯Ａｌ位错发射的临界应力强度因子ＫＩｅ以及Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子 ＫＩＧ．结果表明，用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近. 因此，用对势来研究吸附的影响是可行的．分子动力学模拟表明，Ｇａ吸附在裂纹表面将使 ＫＩＧ＝０．４２ ＭＰａ·ｍ降至 ＫＩＧ＝０．３２ ＭＰａ·ｍ，这表明吸附使表面能γ降至γ（＝０.８７γ）．Ｇａ吸附使 ＫＩｅ＝０．３１ ＭＰａ·ｍ降至 ＫＩｅ＝０．２４ ＭＰａｍ；Ｇａ吸附使位错运动的临界分切应力从Ｔｃ＝２．０５ＭＰａ降至Ｔｃ＝１．８２ ＭＰａ．这就表明，Ｇａ吸附后能降低Ａｌ的表面能，从而促进位错发射和运动. 展开更多

关键词 分子动力学模拟 位错发射 裂纹解理 位错运动 铅 镓 吸附

在线阅读 下载PDF 职称材料

氢促进位错发射和裂纹扩展的三维分子动力学模拟 被引量：6

4

作者 李忠吉 褚武扬 +2 位作者 高克玮 李金许 乔利杰 《自然科学进展》 北大核心 2002年第9期1001-1004,共4页

对纯Ni和Ni+H,用EAM多体势的三维分子动力学模拟表明,不论裂纹取向如何,加载时均是首先发射位错,只有当发射足够多的位错后裂纹才扩展,即使对于氢脆,也以局部塑性变形为先导,对于沿(111)滑移面的位错,氢使位错发射的应力强度因子K_(Ie)... 对纯Ni和Ni+H,用EAM多体势的三维分子动力学模拟表明,不论裂纹取向如何,加载时均是首先发射位错,只有当发射足够多的位错后裂纹才扩展,即使对于氢脆,也以局部塑性变形为先导,对于沿(111)滑移面的位错,氢使位错发射的应力强度因子K_(Ie)从0.42降为0.36MPa·m^(1/2);使裂纹开始扩展的临界应力强度因子K_(IP)从0.8降为0.76MPa·m^(1/2),总之,氢促进裂纹的发射和扩展。 展开更多

关键词 NI 三维分子动力学模拟 氢 位错发射 裂纹扩展 镍 临界应力强度因子 晶体缺陷 I型加载

在线阅读 下载PDF 职称材料

重轨钢中氢促进位错发射、运动以及氢致裂纹形核 被引量：1

5

作者 黄一中 王燕斌 +4 位作者 褚武扬 梅东生 苏世怀 俞梦文 籍可宾 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期134-140,共7页

用自制的恒位移试样在TEM中原位研究了充氢前后位错组态的变化以及氢致微裂纹形核和位错运动及无位错区（DFZ）的关系．结果表明，氢能促进位错发射、增殖和运动．当氢促进的位错发射和运动达到临界条件时，氢致裂纹就在DFZ中或原缺口... 用自制的恒位移试样在TEM中原位研究了充氢前后位错组态的变化以及氢致微裂纹形核和位错运动及无位错区（DFZ）的关系．结果表明，氢能促进位错发射、增殖和运动．当氢促进的位错发射和运动达到临界条件时，氢致裂纹就在DFZ中或原缺口顶端形核．这个过程和空气中原位拉伸相类似，但氢的存在使得在较低的外应力下氢致裂纹就能形核． 展开更多

关键词 TEM 氢致开裂 位错发射 重轨钢 位错组态

在线阅读 下载PDF 职称材料

温度和加载速率影响位错发射的分子动力学模拟 被引量：4

6

作者 周国辉 褚武扬 周富信 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期310-314,共5页

以A1 作为研究对象,采用EAM 势进行分子动力学模拟.在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下,研究了温度和取向对发射位错的临界应力强度因子的影响.模拟结果表明,裂尖发射位错的临界应力强度因子随温度升高按指数规律降低;

关键词 位错发射 分子动力学模拟 温度 加载速率 晶体

在线阅读 下载PDF 职称材料

阳极溶解促进α-Ti位错发射、运动导致SCC微裂纹形核 被引量：1

7

作者 吕宏 曾一民 +3 位作者 高克玮 张天成 褚武扬 王雪梅 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期232-238,共7页

用激光云纹干涉法原位测量了应力腐蚀（ＳＣＣ）前后缺口前端位移场的变化并进行ＴＥＭ原位观察，结果表明，阳极溶 解能使块状试样缺口前端塑性区及其变形量增大当溶解促进的局部塑性变形发展到临界条件，就会导致ＳＣＣ微裂纹在无位... 用激光云纹干涉法原位测量了应力腐蚀（ＳＣＣ）前后缺口前端位移场的变化并进行ＴＥＭ原位观察，结果表明，阳极溶 解能使块状试样缺口前端塑性区及其变形量增大当溶解促进的局部塑性变形发展到临界条件，就会导致ＳＣＣ微裂纹在无位错区中形 核α－Ｔｉ在甲醇溶液中表面钝化膜形成和保持过程中会在内界面产生较大的拉应力，它能协助外应力促进局部塑性变形，进而促进 展开更多

关键词 应力腐蚀 Α-TI 位错发射 钛合金 微裂纹形核

在线阅读 下载PDF 职称材料

氢促进纯镍位错发射的分子动力学模拟及实验证明 被引量：1

8

作者 李忠吉 李金许 +2 位作者 褚武扬 王燕斌 乔利杰 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期17-22,共6页

采用 ＥＡＭ多体势的分子动力学模拟表明，Ｎｉ中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子ＫＩｅ（θ＝４５°）从 １．００ ＭＰａ·ｍ１／２降为 ０．９０ＭＰａｍ·１／２；使 ＫＩｅ（θ＝７０°）从 ０．８２... 采用 ＥＡＭ多体势的分子动力学模拟表明，Ｎｉ中固溶的氢能使裂尖发射位错的临界应力强度因子ＫＩｅ（θ＝４５°）从 １．００ ＭＰａ·ｍ１／２降为 ０．９０ＭＰａｍ·１／２；使 ＫＩｅ（θ＝７０°）从 ０．８２ ＭＰａ＞·ｍ１／２降为 ０．７０ ＭＰａ·ｍ１／２，即氢能促进位错的发射 另外 氢能使（１１１）滑移面上的 Ｇｒｉｆｆｉｔｈ裂纹解理扩展的临界应力强度因子ＫＩＧ（θ＝０°）从 １．０３ ＭＰ·ａｍ１／２降为０．９３ ＭＰａ·ｍ１／２、即氢使(１１）面的表面能下降 γ１１１（Ｈ）＝０．８２θθγ１１１；从而促进位错的发射 透射电＃（ＴＥＭ）原位观察表明，在氢致裂纹形核之前氢就能促进位错的发射和运动。 展开更多

关键词 镍 分子动力学模拟 氢 位错发射 TEM

在线阅读 下载PDF 职称材料

单晶硅裂纹尖端的位错发射行为 被引量：2

9

作者 张琼 周海芳 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期815-818,共4页

利用透射电镜原位观察了单晶硅压痕裂纹尖端位错及位错偶沿滑移面的发射行为。考察了滑移面取向、外荷对发射位错及塑性区的影响。结果表明 :在I型载荷作用下 ,滑移面与裂纹面夹角要影响从裂纹尖端发射的位错数量及塑性区。发射出的位... 利用透射电镜原位观察了单晶硅压痕裂纹尖端位错及位错偶沿滑移面的发射行为。考察了滑移面取向、外荷对发射位错及塑性区的影响。结果表明 :在I型载荷作用下 ,滑移面与裂纹面夹角要影响从裂纹尖端发射的位错数量及塑性区。发射出的位错可沿最大切应力方向改变运动方向或交换滑移面运动。实验观察的位错宽度平均值为 2 2 .0nm ,与Peierls位错框架模型计算的 2 3. 展开更多

关键词 位错发射 TEM 塑性区 单晶硅 裂纹

在线阅读 下载PDF 职称材料

阳极溶解促进位错发射和运动的TEM原位观察 被引量：1

10

作者 黄一中 陈奇志 +1 位作者 袁昌言 褚武扬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期B453-B458,共6页

用自制的恒位移加载台在ＴＥＭ中原位观察了３１０不锈钢在水中阳极溶解前后加载裂尖前方位错形貌的变化．在排除室温蠕变影响后发现，阳极溶解能明显促进位错发射、增殖和运动．３１０不锈钢薄膜试样在室温水中能产生应力腐蚀．

关键词 阳极溶解 位错发射 TEM原位观察

在线阅读 下载PDF 职称材料

温度和加载速率对位错发射影响的原子级模拟 被引量：1

11

作者 周国辉 王东雷 +2 位作者 黄一中 褚武扬 周富信 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期605-609,共5页

以Al作为研究对象，采用EAM势实施分子动力学模拟．在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射、裂纹脆性及韧性扩展的影响．模拟结果表明，升高温度，发射位错的临界应力强度因子按指数规律降低．加载速率在一定范围内将影... 以Al作为研究对象，采用EAM势实施分子动力学模拟．在Ⅰ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射、裂纹脆性及韧性扩展的影响．模拟结果表明，升高温度，发射位错的临界应力强度因子按指数规律降低．加载速率在一定范围内将影响临界应力强度因子．临界应力强度因子随着加载速率的增大而增大． 展开更多

关键词 位错发射 原子级模拟 温度 加载速度 裂纹

在线阅读 下载PDF 职称材料

加载速率对位错发射、层错宽度及位错速度影响

12

作者 周国辉 焦治杰 +2 位作者 武骏 周富信 褚武扬 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期26-28,共3页

应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下，加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响．结果表明，加载速率对W和Vd有显著影响．随着加载速率的增大，层错宽度减小，位错速度增大．当加载速率达到某一临界值时，能... 应用分子动力学方法研究了Cu和Al单晶在Ⅱ型加载条件下，加载速率对位错发射、层错宽度W及位错速度Vd的影响．结果表明，加载速率对W和Vd有显著影响．随着加载速率的增大，层错宽度减小，位错速度增大．当加载速率达到某一临界值时，能量不仅以发射位错的形式释放，而且形成孪晶，以降低体系的能量． 展开更多

关键词 偏位错 加载速率 层错宽度 位错发射 位错速度

在线阅读 下载PDF 职称材料

位错发射与纳米裂纹形核的TEM实验观察 被引量：1

13

作者 丘波 钱才富 +1 位作者 李惠芳 高克玮 《北京化工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期34-36,共3页

进行了1Cr18Ni9Ti(奥氏体321型不锈钢)的TEM原位拉伸实验,观察到了位错从裂纹尖端的发射、无位错区形成、纳米裂纹形核及位错塞积等物理现象。其中无位错区形状清楚,和理论计算结果吻合,无位错区中的纳米裂纹形核与长大验证了微孔聚合... 进行了1Cr18Ni9Ti(奥氏体321型不锈钢)的TEM原位拉伸实验,观察到了位错从裂纹尖端的发射、无位错区形成、纳米裂纹形核及位错塞积等物理现象。其中无位错区形状清楚,和理论计算结果吻合,无位错区中的纳米裂纹形核与长大验证了微孔聚合的裂纹扩展机理。 展开更多

关键词 TEM原位观察 位错发射 无位错区

在线阅读 下载PDF 职称材料

关联参照模型和位错发射过程的分子动力学模拟 被引量：2

14

作者 汤奇恒 王自强 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 1998年第4期404-413,共10页

提出关联参照模型和随位错位置变化的柔性位移边界条件．提供了一个在固定位移边界条件下位错穿越边界的方法．应用三维分子动力学方法研究了体心立方（ＢＣＣ）金属晶体钼裂尖发射位错的力学行为．

关键词 关联参照模型 分子动力学 位错发射

在线阅读 下载PDF 职称材料

温度对金属材料钼位错发射的影响

15

作者 汤奇恒 王自强 《固体力学学报》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期283-290,共8页

应用关联参照模型、随位错位置变化的柔性位移边界条件和三维分子动力学方法研究了体心立方（ＢＣＣ）金属晶体钼在不同温度下裂尖发射位错的力学行为．随着温度的提高，不但发射位错的临界应力强度因子下降而且在同一应力强度因子条件... 应用关联参照模型、随位错位置变化的柔性位移边界条件和三维分子动力学方法研究了体心立方（ＢＣＣ）金属晶体钼在不同温度下裂尖发射位错的力学行为．随着温度的提高，不但发射位错的临界应力强度因子下降而且在同一应力强度因子条件下，发射位错的数量也增加．位错速度和不全位错之间的扩展距离对温度不敏感．在位错发射过程中，发现了稳定的和不稳定的两个变形状态．在稳定的变形状态，位错发射后，塞积在远离裂纹尖端处；必须增加外载，裂尖才可能继续发射位错．在不稳定变形状态，在同样的外载下，裂尖可以发射大量的位错． 展开更多

关键词 关联参照模型 分子动力学 位错发射 温度 钼

在线阅读 下载PDF 职称材料

裂纹尖端位错发射与运动的分子动力学模拟 被引量：7

16

作者 徐荣鹏 曾祥国 +1 位作者 陈华燕 范镜泓 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期612-616,共5页

带缺陷的高强度X80管线钢基体相α-Fe裂纹顶端的变形机理对于揭示该材料的失效机理是非常重要的.采用嵌入原子方法(EAM)描述原子间作用势,由大型分子动力学并行软件LAMMPS(Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator)... 带缺陷的高强度X80管线钢基体相α-Fe裂纹顶端的变形机理对于揭示该材料的失效机理是非常重要的.采用嵌入原子方法(EAM)描述原子间作用势,由大型分子动力学并行软件LAMMPS(Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator),建立足够大的模型以避免边界对位错发射与运动的影响,对中心裂纹板施加远场应力载荷,获得了裂尖发射位错的临界应力强度因子.模拟结果显示,在远场应力作用下,裂纹尖端出现了间歇性发射出位错的现象,即,首先在裂尖沿[111]晶向发射出首个位错并运动约至38个晶格间距后,再由裂尖发射出后继的位错,随着位错的不断发射,裂纹尖端出现明显的钝化现象,并伴随着裂尖不断往前推进.该过程清楚的揭示了的裂纹韧性扩展机理. 展开更多

关键词 分子动力学 位错发射 位错运动 裂尖钝化 韧性裂纹扩展

原文传递

氢促进位错发射的分子动力学模拟 被引量：5

17

作者 周国辉 周富信 +4 位作者 赵雪丹 张文清 陈难先 万发荣 褚武扬 《中国科学（E辑）》 CSCD 1998年第1期1-5,共5页

利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 ... 利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 .计算表明 ,氢在裂尖富集后能形成许多小气团 。 展开更多

关键词 氢 位错发射 分子动力学 计算机模拟 金属

原文传递

吸附促进位错发射、增殖和运动的TEM观察 被引量：2

18

作者 宿彦京 王燕斌 褚武扬 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期766-768,共3页

由液体金属脆断的断裂韧性K_(IC)(L)可算出裂纹扩展的阻力R=(1-v^2)K_(IC)~2(L)/E,它比材料的表面能γ大1～3个数量级.因而不能用Griffith脆性断裂理论R=2γ来描述,只能用Orowan理论,即R=2γ_(eff)=2γ+γ_p,其中γ_p 为局部塑性变形功.... 由液体金属脆断的断裂韧性K_(IC)(L)可算出裂纹扩展的阻力R=(1-v^2)K_(IC)~2(L)/E,它比材料的表面能γ大1～3个数量级.因而不能用Griffith脆性断裂理论R=2γ来描述,只能用Orowan理论,即R=2γ_(eff)=2γ+γ_p,其中γ_p 为局部塑性变形功. 对于液体金属脆,实验测出塑性变形功γ_p=(10～1000)γ.这表明,液体金属吸附而导致脆断的过程伴随大量的局部塑性变形,而且断裂能主要消耗在局部塑性变形上. 展开更多

关键词 液体金属 吸附 TEM 脆断 位错发射 位错增殖

原文传递

原位观察Shockley不全位错的发射 被引量：1

19

作者 王艳波 卢秋虹 隋曼龄 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期21-21,共1页

关键词 位错发射 不全位错 原位观察 纳米晶体材料 晶界扩散 形变机制 分子动力学 多晶材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

位错和位错偶沿单─滑移系从裂纹尖端的发射 被引量：2

20

作者 钱才富 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期546-550,共5页

采用计算机模拟了位错和位错偶沿单一滑移系从裂纹尖端的发射，考察了滑移面取向、外加载荷、晶格摩擦力以及位错发射的临界应力强度因子对所发射的位错数量、塑性区与无位错区大小以及裂关残余应力强度因子的影响研究表明，位错从裂纹... 采用计算机模拟了位错和位错偶沿单一滑移系从裂纹尖端的发射，考察了滑移面取向、外加载荷、晶格摩擦力以及位错发射的临界应力强度因子对所发射的位错数量、塑性区与无位错区大小以及裂关残余应力强度因子的影响研究表明，位错从裂纹尖端发射的临界应力强度因子对无位错区的存在和其大小起决定作用，而外加载荷与晶格摩擦力主要影响位错发射的数量以及塑性区大小．在Ｉ型载荷作用下，滑移面与裂纹面的夹角越大，从裂尖发射出的位错数量越多，位错对裂纹的屏蔽效应也越大当裂纹发射位错后的残余应力强度因子仍然较大时，位错偶就有可能在裂纹尖端附近产生井沿着几个滑移面发射，但发射出的位错偶对裂纹没有明显的屏蔽作用在滑移面不垂直于裂纹面时。 展开更多

关键词 位错发射 位错 位错偶 单一滑移区 裂纹尖端

在线阅读 下载PDF 职称材料