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GaSb量子点液相外延生长
1
作者
胡淑红
邱锋
+8 位作者
吕英飞
孙常鸿
王奇伟
郭建华
邓惠勇
戴宁
ZHUANG Qian-Dong
YIN Min
KRIER Anthony
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期220-224,共5页
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触...
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
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关键词
GaSb
量子
点
二类量子点结构
液相外延
原子力显微镜
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职称材料
题名
GaSb量子点液相外延生长
1
作者
胡淑红
邱锋
吕英飞
孙常鸿
王奇伟
郭建华
邓惠勇
戴宁
ZHUANG Qian-Dong
YIN Min
KRIER Anthony
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
英国兰卡斯特大学物理系
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期220-224,共5页
基金
国家自然基金(61274139)
上海市创新专项基金(11DZ1140500)
上海市自然基金(12ZR1435500)~~
文摘
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
关键词
GaSb
量子
点
二类量子点结构
液相外延
原子力显微镜
Keywords
GaSh quantum dots
type-II QDs structure
Liquid Phase Epitaxy
atomic force microscopy
分类号
O47 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
GaSb量子点液相外延生长
胡淑红
邱锋
吕英飞
孙常鸿
王奇伟
郭建华
邓惠勇
戴宁
ZHUANG Qian-Dong
YIN Min
KRIER Anthony
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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