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三代树状碳硅烷液晶研究──端基含丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:14
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作者 张其震 殷晓颖 +3 位作者 王大庆 李光 季怡萍 赵晓光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第4期619-624,共6页
用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3... 用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3为向列相与M5相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D3相行为 :K79N12 6I116N ,D3熔点比M 5降低 3 3℃ ,D3清亮点比M 5增加 2℃ ,D3液晶态温区比M 5加宽 3 5℃ . 展开更多
关键词 三代树状碳硅烷液晶 丁氧基偶氮苯 介晶基元 合成
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一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:9
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作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 赵晓光 李光 季怡萍 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2232-2237,共6页
用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状... 用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0~ 43℃,D1清亮点比M5增加 9~ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9~ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值。 展开更多
关键词 丁氧基偶氮苯介晶基元 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 发散法 合成
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二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:7
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作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 季怡萍 赵晓光 李光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期416-421,共6页
用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液... 用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液晶态相行为是K85N10 7I10 3N69K ,其熔点比M 5降低 2 7~ 41℃ ,清亮点比M 5降低 17~ 18℃ ,液晶态温区比M 5加宽 10~ 2 3℃ .二代碳硅烷 (D2 )与一代碳硅烷 (D1)相比熔点增加 2~ 3℃ ,清亮点降低 2 6~ 2 9℃ ,液晶态温区减少 2 9~ 31℃ .在二代树状物中观察到S 展开更多
关键词 丁氧基偶氮苯 介晶基元 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 发散法 合成
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一代树状碳硅烷液晶的光化学研究——端基含12个4-丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:10
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作者 张其震 刘建强 +1 位作者 殷晓颖 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1108-1113,共6页
研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的一代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量子产率、反-顺光异构化、光回复异构、反/顺异构组分比、热回复异构及活化能.D1和M5... 研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的一代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量子产率、反-顺光异构化、光回复异构、反/顺异构组分比、热回复异构及活化能.D1和M5的光致变色速率常数为10^(-1)s^(-1),而含同一偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10^(-8)s^(-1),因此,液晶树状物D1的光响应速度比后者快10~7倍. 展开更多
关键词 树状碳硅烷 液晶 光化学研究 端基 4-丁氧基偶氮苯 介晶基元 树枝状化合物 量子产率 反-顺光异构体 光回复异构 热回复异构 活化能
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端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究 被引量:6
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作者 张其震 刘建强 +1 位作者 唐新德 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第18期1822-1828,共7页
研究了新化合物含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代 (D0 )光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反 -顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回... 研究了新化合物含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代 (D0 )光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反 -顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数 .D0的光致变色反应速率常数为 10 -1s-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为 10 -8s-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快 10 7倍 . 展开更多
关键词 光致变色液晶树状物 光电信息功能材料 光回复异构化 热回复异构化 丁氧基偶氮苯介晶基元 活化能 量子产率 吸收光强
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基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物——端基含36个丁氧基偶氮苯基团 被引量:7
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作者 唐新德 张其震 +1 位作者 范星河 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1664-1666,1669,共4页
以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元... 以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征。PCSi-2G-C4与M-C4同为向列相,说明树状物相态由介晶基元相态决定。PCSi-2G-C4的熔点比M-C4降低13℃,清亮点比M-C4降低15℃。 展开更多
关键词 硅碳烷液晶树状物 季戊四醇 丁氧基偶氮苯 介晶基元
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二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:6
7
作者 张其震 刘建强 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期317-323,共7页
研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应... 研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应速率常数 ,光回复异构化正 展开更多
关键词 光致变色液晶树枝状大分子 碳硅烷 光化学 端基 丁氧基偶氮苯介晶基元 反顺光异构化 光回复异构 热回复异构 活化能
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三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量:1
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作者 张其震 殷晓颖 王艳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期941-946,i004,共7页
报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常... 报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc,活化能E,异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比.D3的光致变色反应速率常数为10-1s-1,而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8s-1,因此,D3的光响应速度比后者快107倍. 展开更多
关键词 光致变色液晶树状物 丁氧基偶氮苯介晶基元 碳硅烷 化学研究 端基 三代 反应速率常数 反应平衡常数 液晶聚硅氧烷 异构化反应 光异构化 新化合物 光化学 回复 活化能 异构体 转换率 速度比 光响应 溶液
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基于季戊四醇的新型硅碳烷液晶树状物:外围含12个丁氧基/己氧基偶氮苯基团(英文) 被引量:1
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作者 唐新德 张其震 +1 位作者 范星河 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期972-977,共6页
制备了基于季戊四醇外围含丁氧基/己氧基偶氮苯基团的新型硅碳烷液晶树状物。利用Williamson反应和偶氮反应合成了4-[4-(6-羟己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯与4-[4-(6-羟己氧基)苯基]己氧基偶氮苯两种液晶基元。以基于季戊四醇端基为Si—Cl... 制备了基于季戊四醇外围含丁氧基/己氧基偶氮苯基团的新型硅碳烷液晶树状物。利用Williamson反应和偶氮反应合成了4-[4-(6-羟己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯与4-[4-(6-羟己氧基)苯基]己氧基偶氮苯两种液晶基元。以基于季戊四醇端基为Si—Cl键的硅碳烷树状物为脚手架,分别以上述两种偶氮苯液晶基团对其表面进行修饰,得到两种树状液晶化合物。采用偏光显微镜(POM)和示差扫描量热法(DSC)对修饰单元和树状物的液晶性进行表征,表明其均示向列相。 展开更多
关键词 季戊四醇 硅碳烷液晶树状物(LCD) 丁氧基偶氮苯 氧基偶氮 向列相
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端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究 被引量:5
10
作者 张其震 刘建强 +1 位作者 李爱香 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期312-316,共5页
合成了周边含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的零代光致变色液晶树状物 (D0 ) ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射法 (WAXD)表征 .D0显示向列... 合成了周边含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的零代光致变色液晶树状物 (D0 ) ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射法 (WAXD)表征 .D0显示向列相 ,与M 5相同 ,树状物相态由介晶基元相态所决定 ,D0的相行为 :K13 8N14 7I14 5N118K .对零代 (D0 )、一代 (D1)、二代 (D2 )和三代 (D3 )液晶树状物的清亮焓、清亮熵。 展开更多
关键词 端基 丁氧基偶氮苯介晶基元 光致变色液晶树状物 向列相 相变焓 相变熵 合成 结构 液晶性
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偶氮液晶BMAB的合成研究 被引量:2
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作者 韩国志 刘学文 马鸿飞 《化工时刊》 CAS 2010年第1期1-3,共3页
从对正丁基苯胺出发,通过重氮化、偶氮化、甲基化等一系列反应,合成了具有光学活性的小分子偶氮液晶4-正丁基-4’-甲氧基偶氮苯(BMAB)。通过不同反应条件的比较,对产品的合成路线进行了优化改进,具有较好的应用前景。
关键词 液晶 4-正基-4’-甲氧基偶氮 合成
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基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物的合成与表征(英文)
12
作者 唐新德 张其震 +2 位作者 范星河 陈小芳 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期164-168,共5页
合成了外围含4-丁氧基偶氮苯介晶基元的三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-C4。以4-[4-(6-羟基己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯介晶基团对端基官能团为Si-Cl的三代硅碳烷树状物PCSi-3G-Cl脚手架进行功能化,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(... 合成了外围含4-丁氧基偶氮苯介晶基元的三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-C4。以4-[4-(6-羟基己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯介晶基团对端基官能团为Si-Cl的三代硅碳烷树状物PCSi-3G-Cl脚手架进行功能化,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)对其结构与液晶性进行表征。结果表明,与对应的液晶基元相似PCSi-3G-C4显示向列相,但二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面存在一定差异。 展开更多
关键词 季戊四醇 硅碳烷液晶树状物 介晶基元 丁氧基偶氮苯 向列相
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