期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到63篇文章
< 1 2 … 4 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Si掺杂对Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性能调控的第一性原理研究 被引量：1
1
作者 李佳宏 郝增瑞 +2 位作者 薛瑞鑫 阚红梅 关玉琴 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第4期131-137,共7页
近年来,氧化镓(Ga_(2)O_(3))是新一代超宽禁带(4.9 eV)半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga_(2)O_(3)基光电器件存在迁移率较低而限... 近年来,氧化镓(Ga_(2)O_(3))是新一代超宽禁带(4.9 eV)半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga_(2)O_(3)基光电器件存在迁移率较低而限制其应用的现象,而构建合适的Ga_(2)O_(3)异质结是改善光电探测器的光电性能的有效手段之一.基于第一性原理构建β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结模型,研究了氧空位(Vo)和Si掺杂对β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结光电性质的调控以及相关机理.结果显示:β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结结构有效降低β-Ga_(2)O_(3)功函数,提高灵敏度,Si掺杂降低结合能,增强稳定性;β-Ga_(2)O_(3)/BP异质结有效减小带隙,Si掺杂以及氧空位的存在,进一步减小带隙,增强光导电性,并且Si掺杂引起了光电导各向异性.此结果对改善Ga_(2)O_(3)基异质结光电性能提供理论参考. 展开更多
关键词 β-ga_(2)o_(3)/bp异质结 缺陷 光电性质 第一性原理
在线阅读 下载PDF
复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
2
作者 马豪威 朱敏敏 《功能材料与器件学报》 2025年第1期56-63,共8页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本文提出采用p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)异质结所构成的结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky,JBS),并与场板(Field Plate,FP)及阶梯型终端(Mase)进行复合,以提升其性能。为了对器件设计及制备提供理论指导,应用TCAD仿真软件对其进行了仿真研究。研究发现,与基础肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,采用复合终端的SBD的击穿电压由887 V增加至3069V,同时正向导通电阻由3.975 mΩ·cm^(2)略微增加至5.395 mΩ·cm^(2)。此外,本文探讨了p-NiO掺杂浓度和厚度对器件性能的影响。结果证明,复合终端结构有效改善了器件的反向击穿性能,并且为器件性能的优化提供了理论指导。 展开更多
关键词 Ga_(2)o_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压
原文传递
基于机械剥离制备的PEDOT:PSS/β-Ga_(2)O_(3)微米片异质结紫外光电探测器研究
3
作者 宜子琪 王彦明 +7 位作者 王硕 隋雪 石佳辉 杨壹涵 王德煜 冯秋菊 孙景昌 梁红伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期172-178,共7页
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽带隙(约4.9 eV)、高的击穿电场(约8 MV/cm)、良好的化学稳定性和热稳定性等优点,是一种很有前途的制备紫外光电探测器的候选材料.由于未掺杂的β-Ga_(2)O_(3)为n型导电,所以制备p型β-Ga_(2)O_(3)面临很多困难,... β-Ga_(2)O_(3)具有超宽带隙(约4.9 eV)、高的击穿电场(约8 MV/cm)、良好的化学稳定性和热稳定性等优点,是一种很有前途的制备紫外光电探测器的候选材料.由于未掺杂的β-Ga_(2)O_(3)为n型导电,所以制备p型β-Ga_(2)O_(3)面临很多困难,从而制约了同质PN结的开发与应用.聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)是一种p型导电聚合物,在250—700 nm有着较高的透明度,采用p型有机材料PEDOT:PSS和n型β-Ga_(2)O_(3)构成的异质结可能为PN结型光电器件的研制提供一种途径.本文利用机械剥离法从β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底上剥离出单根β-Ga_(2)O_(3)微米片,微米片的长度为4 mm,宽度为500μm,厚度为57μm.将有机材料PEDOT:PSS涂覆在剥离出来的微米片的一侧制备出PEDOT:PSS/β-Ga_(2)O_(3)无机-有机异质结的紫外光电探测器,器件表现出典型的整流特性,而且发现器件对254 nm紫外光敏感,具有良好的自供电性能.该异质结紫外探测器的响应度和外量子效率分别为7.13 A/W和3484%,上升时间和下降时间分别为0.25 s和0.20 s.此外,3个月后器件对254 nm紫外光的探测性能并未发现明显的衰减现象.本文的相关研究工作将对研发新型紫外探测器提供了新的思路和理论基础. 展开更多
关键词 β-ga_(2)o_(3) PEDoT:PSS 异质结 紫外光电探测器
在线阅读 下载PDF
p-Si/n-Ga_(2)O_(3)异质结制备与特性研究
4
作者 陈沛然 焦腾 +6 位作者 陈威 党新明 刁肇悌 李政达 韩宇 于含 董鑫 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期73-81,共9页
本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长T... 本实验采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,在p(111)型Si衬底上制备了p-Si/n-Ga_(2)O_(3)结构的PN结。通过X射线衍射仪、原子力显微镜等对样品进行了晶体结构、表面形貌、表面粗糙度等的表征分析;通过磁控溅射与蒸镀方法在样品上生长Ti/Au电极并进行I-V特性曲线、开启电压、开关电流比、反向饱和电流、理想因子、零偏压下的势垒高度等结特性测试,研究了掺杂浓度与薄膜厚度对PN结特性的影响,并对其原因进行了分析;通过二步生长法和缓冲层温度优化实验,减少了Si衬底与β-Ga_(2)O_(3)之间的晶格失配与热失配带来的影响,对薄膜与器件特性进行了优化。最终获得了表面粗糙度最低可达到4.21 nm的高质量n型β-Ga_(2)O_(3)薄膜,以及具有较低理想因子(42.1)的PN结。 展开更多
关键词 β-ga_(2)o_(3)薄膜 金属有机化学气相沉积 p-Si/n-ga_(2)o_(3) PN结 晶体质量 电学特性
在线阅读 下载PDF
不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)雾化学气相沉积法生长研究
5
作者 李雄杰 宁平凡 +4 位作者 陈世澳 乔思博 程红娟 王英民 牛萍娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期255-262,共8页
采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-... 采用雾化学气相沉积(Mist-CVD)法在不同晶面蓝宝石衬底上异质外延生长了α-Ga_(2)O_(3)薄膜,并利用XRD、SEM和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分析了薄膜样品的物相、光学特性和表面形貌。600℃以内,在C、M、A、R面蓝宝石衬底上生长纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的温度窗口分别为420~480、480~550、590~600、540~600℃;对应纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜的光学带隙分别为5.12、5.23、5.25、5.21 eV。研究发现与C面蓝宝石衬底相比,在M、A、R面蓝宝石衬底上外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜需要更高的生长温度,同时在M、A、R面蓝宝石衬底上获得的薄膜禁带宽度更大。样品表面形貌的SEM表征结果显示,不同晶面的α-Ga_(2)O_(3)薄膜表面形貌差异显著,C面蓝宝石衬底上α-Ga_(2)O_(3)薄膜存在“连续薄膜+大尺寸柱状岛”结构。本文关于不同晶面蓝宝石衬底外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜的研究对α-Ga_(2)O_(3)材料的应用有一定参考价值。 展开更多
关键词 α-ga_(2)o_(3) 蓝宝石衬底 雾化学气相沉积 异质外延 生长温度 禁带宽度
在线阅读 下载PDF
S型异质结光催化剂ZnFe_(2)O_(4)/WO_(3)的构筑及光催化还原CO_(2)性能 被引量：1
6
作者 刘平 朱成才 +1 位作者 李艳阳 要红昌 《无机化学学报》 SCIE CSCD 北大核心 2024年第1期197-208,共12页
通过在WO_(3)纳米片表面负载ZnFe_(2)O_(4)纳米颗粒,构建了一系列S型异质结光催化剂ZnFe_(2)O_(4)/WO_(3),并研究了其光催化CO_(2)还原性能。在没有助催化剂和牺牲剂的条件下,所制备的ZnFe_(2)O_(4)/WO_(3)复合材料可对CO_(2)与水蒸汽... 通过在WO_(3)纳米片表面负载ZnFe_(2)O_(4)纳米颗粒,构建了一系列S型异质结光催化剂ZnFe_(2)O_(4)/WO_(3),并研究了其光催化CO_(2)还原性能。在没有助催化剂和牺牲剂的条件下,所制备的ZnFe_(2)O_(4)/WO_(3)复合材料可对CO_(2)与水蒸汽进行光催化反应。优化后的材料光照5 h后CO_(2)还原产物CO和CH_(4)的产量分别为7.87和4.88μmol·g^(-1)。相对于单相组分,CO和CH_(4)的产量明显提高。光催化活性的提高,归因于ZnFe_(2)O_(4)和WO_(3)异质结的形成以及光生载流子的S型电荷传输模式。 展开更多
关键词 Co_(2)还原 光催化活性 ZnFe_(2)o_(4)/Wo_(3) 异质结 S型电荷传输模式
在线阅读 下载PDF
基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结日盲光电探测器性能研究
7
作者 关幼幼 陈海峰 +2 位作者 郭天翔 陆芹 刘祥泰 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第5期528-537,共10页
采用原子层沉积法(ALD)在氧化硅衬底上沉积厚度为60 nm的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结结构的日盲光电探测器,研究器件的电极间距(d)、薄膜退火温度和欧姆退火温度对其光电性能的影响。研究结果显示,随着d... 采用原子层沉积法(ALD)在氧化硅衬底上沉积厚度为60 nm的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于β-Ga_(2)O_(3)/NiO异质结结构的日盲光电探测器,研究器件的电极间距(d)、薄膜退火温度和欧姆退火温度对其光电性能的影响。研究结果显示,随着d从30μm缩短至10μm时,器件的光电流(Iphoto)、暗电流(Idark)、光响应度(R)、外部量子效率(EQE)和比探测率(D^(*))增大,上升时间(τr)和下降时间(τd)缩短。随着薄膜退火温度从500℃升至900℃时,器件的Iphoto、Idark、R、 EQE和D^(*)增大,τr和τd缩短。随着欧姆退火温度从350℃升至550℃时,Iphoto、Idark、R和EQE增大,τr和τd缩短。研究表明器件的光电性能在d为10μm、薄膜退火温度为900℃且欧姆退火温度为550℃的条件下最优,在10 V偏压时对应的光暗电流比(PDCR)为1802.63,R为5.27×10^(2)A/W,EQE为257587.76%,D^(*)为5.45×10^(13)Jones。 展开更多
关键词 β-ga_(2)o_(3) 原子层沉积 NIo 异质结 光电探测器 退火温度
在线阅读 下载PDF
Co_(3)O_(4)/Fe_(2)O_(3)异质结复合材料的制备及其紫外光光电探测性能
8
作者 李丽华 彭韶龙 +3 位作者 从文博 王航 汪钰馨 黄金亮 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期420-425,共6页
分别采用旋涂法和水热法在FTO衬底上制备Co_(3)O_(4)种子层和Co_(3)O_(4)薄膜,再在Co_(3)O_(4)薄膜上水热生长Fe_(2)O_(3)纳米棒,获得了高质量的Co_(3)O_(4)/Fe_(2)O_(3)异质结复合材料。通过改变Fe_(2)O_(3)前驱体溶液浓度来改变异质... 分别采用旋涂法和水热法在FTO衬底上制备Co_(3)O_(4)种子层和Co_(3)O_(4)薄膜,再在Co_(3)O_(4)薄膜上水热生长Fe_(2)O_(3)纳米棒,获得了高质量的Co_(3)O_(4)/Fe_(2)O_(3)异质结复合材料。通过改变Fe_(2)O_(3)前驱体溶液浓度来改变异质结复合材料中Fe_(2)O_(3)组分的含量。结果表明,Fe_(2)O_(3)纳米棒覆盖在呈网状结构的Co_(3)O_(4)薄膜上,随着Fe_(2)O_(3)前驱体溶液浓度即Fe_(2)O_(3)组分含量的增加,Co_(3)O_(4)/Fe_(2)O_(3)异质结复合材料对紫外光的响应逐渐增强,当Fe_(2)O_(3)前驱体溶液浓度为0.015mol/L时,异质结复合材料有着很好的光电稳定性,并表现出较高的响应率(12.5mA/W)和探测率(4.4×10^(10)Jones)。 展开更多
关键词 Co_(3)o_(4) 紫外光电探测 Co_(3)o_(4)/Fe_(2)o_(3)复合材料 异质结
在线阅读 下载PDF
内电场增强管状Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结的可控合成及光催化性能
9
作者 牛志睿 彭欣悦 +4 位作者 王思雯 李孝义 雪文靖 夏国珺 袁淮钶 《延安大学学报（自然科学版）》 2024年第3期1-9,共9页
构建具有特殊形貌和增强内电场的异质结材料可以有效提高光催化剂的光生电子-空穴对的分离效率,从而提升光催化活性。采用两步溶剂热+热解可控合成了金属有机骨架(MOFs)衍生的Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结,利用表征分析、光催化降... 构建具有特殊形貌和增强内电场的异质结材料可以有效提高光催化剂的光生电子-空穴对的分离效率,从而提升光催化活性。采用两步溶剂热+热解可控合成了金属有机骨架(MOFs)衍生的Z型In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结,利用表征分析、光催化降解实验对构建的异质结物相、形貌、光学特性和活性进行了系统研究。结果表明,管状形貌的In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)具有强的光吸收响应,在In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)界面处形成的强内电场抑制了光生电子-空穴对的复合。在可见光照射下,质量比1∶1的In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)表现出最优异的光催化活性,在60 min内对盐酸四环素(TCH)的降解率达到68.44%,反应动力学常数分别比In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)提高了29.8和3.2倍,经3次循环表现出良好的稳定性。电化学测试和自由基捕获试验表明,In_(2)O_(3)/In_(2)S_(3)异质结内电场强度相比In_(2)O_(3)和In_(2)S_(3)分别提高了3.89和2.42倍,超氧自由基(·O_(2)^(-))和空穴(h^(+))是光催化过程中主要活性物质。该研究为强内电场异质结的高效光催化剂可控合成提供了一种有效策略。 展开更多
关键词 光催化 MoFs衍生物 In_(2)o_(3)/In_(2)S_(3) 异质结 内电场
在线阅读 下载PDF
Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S S型异质结的构筑及其光解水产氢性能研究 被引量：9
10
作者 于佳慧 姚欣彤 +4 位作者 苏萍 王仕凯 张大凤 葛博 蒲锡鹏 《聊城大学学报（自然科学版）》 2024年第1期52-61,共10页
采用超声辅助研磨煅烧法制备了Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S S型异质结光催化剂,通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、固体紫外漫反射等测试技术表征了样品的物相、形貌、化学元素组成以及光吸收能力等物理... 采用超声辅助研磨煅烧法制备了Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S S型异质结光催化剂,通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、固体紫外漫反射等测试技术表征了样品的物相、形貌、化学元素组成以及光吸收能力等物理化学性质。在可见光加近红外光照射下进行了光催化析氢性能测试,结果表明,Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S复合材料的光解水产氢性能均优于纯相的Mn_(0.3)Cd_(0.7)S和Cu_(3)Mo_(2)O_(9),其中Cu 3Mo 2O 9的质量分数为1%的Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S显示出最佳的产氢速率(1.554 mmol·h^(-1)·g^(-1)),是Mn 0.3 Cd_(0.7)S的5.5倍。且经过四次循环实验后仍保持较好的光催化活性。此外,根据电化学测试以及红外热成像结果提出了合理的机理,Cu 3Mo 2O 9的光热效应与S型异质结的协同作用是Cu_(3)Mo_(2)O_(9)/Mn_(0.3)Cd_(0.7)S光催化活性提高的关键。 展开更多
关键词 光解水产氢 S型异质结 Mn_(0.3)Cd_(0.7)S Cu_(3)Mo_(2)o_(9) 光热效应
在线阅读 下载PDF
Ⅱ/Z型Bi_(2)MoO_(6)/Ag_(2)O/Bi_(2)O_(3)异质结可见光催化降解四环素
11
作者 叶茂森 王耀 +3 位作者 许冰 王康康 张胜楠 冯建情 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期321-329,I0005-I0008,共13页
构建异质结能够有效抑制光催化剂中光生电子和空穴的快速复合。本研究采用水热法、煅烧法以及溶剂热法合成了Ⅱ/Z型Bi_(2)MoO_(6)/Ag_(2)O/Bi_(2)O_(3)异质结光催化剂,利用不同研究手段分析材料的组成、形貌以及光电化学性能。结果发现... 构建异质结能够有效抑制光催化剂中光生电子和空穴的快速复合。本研究采用水热法、煅烧法以及溶剂热法合成了Ⅱ/Z型Bi_(2)MoO_(6)/Ag_(2)O/Bi_(2)O_(3)异质结光催化剂,利用不同研究手段分析材料的组成、形貌以及光电化学性能。结果发现,复合材料的最佳组成为25%ABOBM(Ag_(2)O/Bi_(2)O_(3)和Bi_(2)MoO_(6)的质量比为1:4)。在可见光照射下25%ABOBM对四环素(TC)的降解效率可达85.6%,明显高于Ag_(2)O/Bi_(2)O_(3)和Bi_(2)MoO_(6),而且三次循环实验后仍具有良好的稳定性。25%ABOBM光催化性能的提高可归因于Ag_(2)O、Bi_(2)O_(3)以及Bi_(2)MoO_(6)之间异质结的构建和特殊形貌的形成。自由基捕获实验和电子顺磁共振谱(EPR)结果表明,h+和·O2-在TC的降解过程中发挥着主要作用,而·OH和1O2发挥着次要作用。实验还探索了相关光催化机理,并利用液相色谱-质谱联用仪(LC-MS)对TC可能的降解路径进行了分析。本研究为双异质结光催化剂的制备及其在有机污染物降解应用方面提供了新的思路。 展开更多
关键词 Bi_(2)Moo_(6) Ag_(2)o Bi_(2)o_(3) 光催化降解 四环素 异质结
在线阅读 下载PDF
CeO_(2)-In_(2)O_(3)异质结复合材料的制备及其在三乙胺气敏监测中的应用
12
作者 钟彩丽 莫秋莲 +3 位作者 孙建华 丁宁宁 廖丹葵 孙丽霞 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1446-1455,共10页
以In(NO_(3))_(3)∙4.5H_(2)O和Ce(NO^(3))_(3)∙6H_(2)O为原料,对苯二甲酸为配体,N,N-二甲基甲酰胺为有机溶剂,通过热解金属有机骨架法(MOFs)成功制备了CeO_(2)-In_(2)O_(3)复合材料。采用X射线双晶粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM... 以In(NO_(3))_(3)∙4.5H_(2)O和Ce(NO^(3))_(3)∙6H_(2)O为原料,对苯二甲酸为配体,N,N-二甲基甲酰胺为有机溶剂,通过热解金属有机骨架法(MOFs)成功制备了CeO_(2)-In_(2)O_(3)复合材料。采用X射线双晶粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见漫反射吸收光谱(UV-vis)和比表面积与孔隙度分析仪(BET)对材料的微观结构进行表征,研究了CeO_(2)-In_(2)O_(3)复合材料的气敏性能。结果表明,当In/Ce摩尔比为3∶1时,CeO_(2)-In_(2)O_(3)对1×10^(5)μg/L三乙胺(TEA)的响应值(48.37)最高,是纯In_(2)O_(3)(9.45)的5倍,响应/恢复时间缩短至36s/22s,且该复合材料在173℃的最佳工作温度下具有优异的选择性和长期稳定性。复合材料传感性能的增强可归因于热解金属有机骨架法提供的大比表面积以及n-n异质结的形成。 展开更多
关键词 Ceo_(2)-In_(2)o_(3) 三乙胺 气敏性能 气敏机理 异质结
在线阅读 下载PDF
Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)异质结的构筑及其光催化合成H_(2)O_(2)性能研究 被引量：1
13
作者 高美超 孙兆楠 +2 位作者 巩云云 于光龙 冯媛媛 《聊城大学学报（自然科学版）》 2024年第6期39-48,共10页
通过燃烧法和水热法制备了一种新型的S型异质结催化剂Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)。采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见漫反射光谱对所得样品进行了表征和测试。通过光催化实验和光电化学测试,表征... 通过燃烧法和水热法制备了一种新型的S型异质结催化剂Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)。采用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和紫外可见漫反射光谱对所得样品进行了表征和测试。通过光催化实验和光电化学测试,表征了样品的光催化合成H_(2)O_(2)性能,提出了光催化反应机理。结果表明随着水热温度的升高,样品中Bi_(2)O_(2)(OH)Cl的含量越高,当水热温度为120℃时,复合材料表现出最佳的光催化活性。在模拟太阳光照射下,H_(2)O_(2)的生成效率达到571.43μmol·h^(-1)·g^(-1),分别是Bi/Bi_(2)O_(3)和Bi_(2)O_(2)(OH)Cl的47.8倍和3.6倍。其高效的光催化性能归因于复合材料中异质结界面电场的形成,提高了光生电子-空穴的分离效率。自由基淬灭实验表明Bi_(2)O_(2)(OH)Cl/Bi/Bi_(2)O_(3)光催化生成H_(2)O_(2)反应的主要活性物种为超氧自由基和单线态氧。 展开更多
关键词 Bi_(2)o_(2)(oH)Cl/Bi/Bi_(2)o_(3) 异质结 光催化 双氧水
在线阅读 下载PDF
类羽毛状Bi_(2)S_(3)/Bi_(2)O_(3)异质结制备及光催化还原Cr(Ⅵ)的性能研究
14
作者 赵宇 李美娟 +3 位作者 许志豪 高晨光 刘明学 胡文远 《西南科技大学学报》 CAS 2024年第4期32-39,48,共9页
异质结构建可有效促进电子-空穴对分离和转移,延长载流子的寿命,提升光催化剂性能。以L-半胱氨酸作为模板剂,采用原位水热法合成了类羽毛状Bi_(2)S_(3)/Bi_(2)O_(3)(BSO)异质结,考察了模板剂用量和溶液pH值对光催化还原六价铬(Cr(Ⅵ))... 异质结构建可有效促进电子-空穴对分离和转移,延长载流子的寿命,提升光催化剂性能。以L-半胱氨酸作为模板剂,采用原位水热法合成了类羽毛状Bi_(2)S_(3)/Bi_(2)O_(3)(BSO)异质结,考察了模板剂用量和溶液pH值对光催化还原六价铬(Cr(Ⅵ))性能的影响,并通过活性自由基捕获实验和光电化学表征探讨了其光催化机制。结果表明:在Bi原子和半胱氨酸的摩尔比为1∶1及溶液pH=2条件下,经过4 h的可见光照射,Cr(Ⅵ)的还原率达98.69%,较纯Bi_(2)O_(3)和Bi_(2)S_(3)分别提升了54.55倍、32.04倍;高光催化活性归因于高比表面积、有效的可见光响应及Bi_(2)S_(3)/Bi_(2)O_(3)异质结的形成,界面内建电场生成可为光生电子和空穴有效分离提供途径。 展开更多
关键词 Bi_(2)S_(3)/Bi_(2)o_(3) 类羽毛状 异质结 可见光催化
在线阅读 下载PDF
化学刻蚀法制备BiOBr/Bi_(2)O_(2)CO_(3)异质结及其高效脱除Hg^(0)性能
15
作者 张景繁 栗敏 +5 位作者 张倩倩 张旭 王晨凯 刘艳雯 路好 张安超 《能源研究与管理》 2024年第4期98-108,共11页
为增强BiOBr对可见光的利用率和提高其光催化活性,采用简单的化学刻蚀法制备出p-n型BiOBr/Bi_(2)O_(2)CO_(3)异质结光催化剂,并研究其在荧光灯下脱除单质汞(Hg^(0))的性能;采用多种表征技术对光催化剂的物理化学结构属性进行分析,阐明... 为增强BiOBr对可见光的利用率和提高其光催化活性,采用简单的化学刻蚀法制备出p-n型BiOBr/Bi_(2)O_(2)CO_(3)异质结光催化剂,并研究其在荧光灯下脱除单质汞(Hg^(0))的性能;采用多种表征技术对光催化剂的物理化学结构属性进行分析,阐明复合物表面或界面处电荷分离和转移的过程。结果表明:所制备Bi_(2)O_(2)CO_(3)-3光催化剂的脱汞效率效果高达95%;SO_(2)对Bi_(2)O_(2)CO_(3)-3光催化剂脱汞性能抑制明显,但停止通入SO_(2)后,脱汞性能可以恢复;荧光灯辐照对脱汞效率至关重要;强碱性环境下,过量的OH^(-)与光照产生的空穴(h^(+))反应,会略微影响BiOBr/Bi_(2)O_(2)CO_(3)的汞脱除性能。研究发现BiOBr和Bi_(2)O_(2)CO_(3)异质结的形成会降低光生电子和空穴的复合,增强光催化能力。机制分析表明,在光催化脱汞过程中,·O_(2)^(-)和h^(+)为主要活性物种,·OH未参与反应。 展开更多
关键词 湿法光催化 BioBr/Bi_(2)o_(2)Co_(3) 单质汞脱除 p-n型异质结
在线阅读 下载PDF
基于VO_(2)相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结器件建模与仿真
16
作者 冯云松 周长祺 +5 位作者 王思雨 路远 金伟 商袁昕 李亚繁 陈友才 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1883-1888,共6页
利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面... 利用COMSOL multiphysics软件对基于Ga_(2)O_(3)/VO_(2)的异质结光电器件进行了二维物理仿真。分析并报道了基于VO2相变调控的Ga_(2)O_(3)/VO_(2)异质结光电器件的掺杂曲线、能级图、电场分布与电势分布等。探索了器件在光电探测器方面的应用,通过模拟器件在1 V偏压和10μW的光照条件下峰值响应率为0.068 A/W,抑制比(R250 nm/R450 nm)达到105量级。该模拟计算数据为进一步优化Ga_(2)O_(3)/VO_(2)光电二极管实验研究和应用有所裨益。 展开更多
关键词 Ga_(2)o_(3)/Vo_(2)异质结 CoMSoL Vo_(2)相变 能级结构 仿真
在线阅读 下载PDF
Ga_(2)O_(3)基新型结构光电探测器的制备与测试
17
作者 张涛 张帆 吴真平 《信息记录材料》 2024年第9期21-23,26,共4页
由于衬底的限制,目前Ga_(2)O_(3)基垂直结构器件的研究仍然十分有限,这极大地制约了新型多样化Ga_(2)O_(3)基器件的发展。本文采用先进的湿法转移技术和激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE)技术,解决无法在MoTe_(2)生... 由于衬底的限制,目前Ga_(2)O_(3)基垂直结构器件的研究仍然十分有限,这极大地制约了新型多样化Ga_(2)O_(3)基器件的发展。本文采用先进的湿法转移技术和激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE)技术,解决无法在MoTe_(2)生长单一取向Ga_(2)O_(3)薄膜的问题,成功制备出高性能的Ga_(2)O_(3)/MoTe_(2)异质结光电探测器,并对其光电性能进行了系统测试与分析。结果显示,该探测器具有出色的整流特性,其雪崩增益、响应度及外量子效率在-51 V反向偏压下分别达到171.767、183.348 A/W和(8.966×10^(4))%,展现出在日盲光电探测领域的巨大应用潜力。本研究不仅为制备高性能光电探测器提供了新方法,也为新型光电材料和器件结构的探索提供了重要参考。 展开更多
关键词 Ga_(2)o_(3) MoTe_(2) 光电探测器 异质结
在线阅读 下载PDF
AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结电子输运机制 被引量：1
18
作者 周展辉 李群 贺小敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期338-346,共9页
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大、击穿电场强的优点,在射频及功率器件领域具有广阔的应用前景.β-Ga_(2)O_(3)(2¯01)晶面和AlN(0002)晶面较小的晶格失配和较大的导带阶表明二者具有结合为异质结并形成二维电子气(two-dimensional el... β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大、击穿电场强的优点,在射频及功率器件领域具有广阔的应用前景.β-Ga_(2)O_(3)(2¯01)晶面和AlN(0002)晶面较小的晶格失配和较大的导带阶表明二者具有结合为异质结并形成二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)的理论基础,引起了众多研究者关注.本文利用AlN的表面态假设,通过求解薛定谔-泊松方程组计算了AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结导带形状和2DEG面密度,并将结果应用于玻尔兹曼输运理论,计算了离化杂质散射、界面粗糙散射、声学形变势散射、极性光学声子散射等主要散射机制限制的迁移率,评估了不同散射机制的相对重要性.结果表明,2DEG面密度随AlN厚度的增加而增加,当AlN厚度为6 nm,2DEG面密度可达1.0×10^(13)cm^(-2),室温迁移率为368.6 cm^(2)/(V·s).在T<184 K的中低温区域,界面粗糙散射是限制2DEG迁移率的主导散射机制,T>184 K的温度区间,极性光学声子散射是限制2DEG迁移率的主导散射机制. 展开更多
关键词 AlN/β-ga_(2)o_(3)异质结 二维电子气 电子输运 迁移率
在线阅读 下载PDF
自供电β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管的制备与特性
19
作者 李惜雨 刘艳 +4 位作者 苏妍 张琼 李磊 边昂 刘增 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期645-651,共7页
成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均... 成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均展现了极高线性度(1.08、1.04)。进一步系统地研究了深紫外光电二极管的高温探测性能。随着温度的升高,由于载流子迁移率降低,导致其深紫外光响应特性有所降低,R从300 K下的2.5 mA/W降低至500 K下的0.4 mA/W。基于β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结的深紫外探测器展现了优异的探测水平,但是由于温度升高导致散射更强,其整体探测性能有所下降。 展开更多
关键词 异质结 紫外探测 高温 自供电 光电二极管 β-ga_(2)o_(3) 钙钛矿
在线阅读 下载PDF
增强型β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结VDMOS的设计与研究
20
作者 王海林 栾苏珍 +1 位作者 程梅霞 贾仁需 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第6期666-672,680,共8页
由于β-Ga_(2)O_(3)材料难以形成P型掺杂,目前β-Ga_(2)O_(3)功率器件大多为无结耗尽型。为了解决β-Ga_(2)O_(3)器件难以形成增强型的问题,提出了一种具有β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的纵向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDM... 由于β-Ga_(2)O_(3)材料难以形成P型掺杂,目前β-Ga_(2)O_(3)功率器件大多为无结耗尽型。为了解决β-Ga_(2)O_(3)器件难以形成增强型的问题,提出了一种具有β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的纵向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS)。添加P型4H-SiC后,利用形成的PN结的单向导通性得到了正阈值电压,实现了增强型器件。使用Sentaurus TCAD仿真软件模拟了器件结构并研究了其电学特性,通过调节SiC厚度、SiC沟道浓度、外延层厚度和外延层浓度四个重要结构参数,对器件的功率品质因数进行优化设计。优化后的器件具有1.62 V的正阈值电压、39.29 mS/mm的跨导以及5.47 mΩ·cm^(2)的比导通电阻。最重要的是器件的关态击穿电压达到了1838 V,功率品质因数高达617 MW/cm^(2)。结果表明,该β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结VDMOS为实现高性能增强型β-Ga_(2)O_(3)功率器件提供了一种可行的设计思路。 展开更多
关键词 β-ga_(2)o_(3)MoSFET 异质结 增强型 击穿电压 功率品质因数
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 4 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部