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影响生长大尺寸和高质量β-BBO晶体的因素 被引量：4
1
作者 陈伟 江爱栋 王国富 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期227-230,共4页
本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶体生长工艺参数。采用NaF作为助熔剂、〔001〕向的定向籽晶、接近液面温度梯度为3～8℃/cm、5～20r/min... 本文讨论顶部籽晶法各种生长条件对大尺寸、高质量β BaB2O4晶体的影响,诸如助熔剂、温度梯度、晶体转速、降温速率、籽晶方向等晶体生长工艺参数。采用NaF作为助熔剂、〔001〕向的定向籽晶、接近液面温度梯度为3～8℃/cm、5～20r/min的转速、0.05～0.1℃/h降温速率的生长工艺,使用直径为100mm的铂坩埚,成功地生长出100mm×40mm、光学均匀性为4.326×10 6的大尺寸高质量的β BBO晶体。 展开更多
关键词 β-bbo晶体 低温相偏硼酸钡 非线性光学晶体 晶体生长工艺 助熔剂 降温速率 光学均匀性
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β－BBO晶体压电应变系数的测量 被引量：2
2
作者 尹鑫 程瑞平 刘耀岗 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期134-135,共2页
用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０^（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０^（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）... 用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０^（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０^（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０^（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０^（１２）Ｃ／Ｎ。 展开更多
关键词 β-bbo晶体 压电应变系数 测量 非线性光学晶体
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β—BBO晶体的电光性能 被引量：4
3
作者 尹鑫 刘耀岗 程瑞平 《应用激光》 CSCD 北大核心 1995年第6期257-257,246,共2页
用干涉法测量了β－ＢＢＯ晶体的电光系数：γ２２＝２．６，γ３３＝０．２３，γ３１＝０．２５，γ５１＝－３．５×１０－１２ｍ／Ｖ。结果表明如果在Ｙ方向加电场，Ｚ方向通光，β—ＢＢＯ晶体可能制作成有应用价值的光开关。
关键词 β-bbo晶体 电光系数 干涉法 非线性光学晶体
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