0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究 被引量：10

1

作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善潮 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2165-2169,共5页

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。 展开更多

关键词 CM OS电路 脉冲激光 剂量率翻转 翻转阈值 特征尺寸

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64K CMOS随机存储器瞬时辐射损伤模式分析 被引量：4

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作者 王桂珍 郭晓强 +4 位作者 李瑞斌 白小燕 杨善潮 林东生 龚建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期121-123,共3页

对64K CMOS随机存储器6264进行了"强光一号"长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研究了6264的辐射损伤模式。对于6264,其存储单元... 对64K CMOS随机存储器6264进行了"强光一号"长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研究了6264的辐射损伤模式。对于6264,其存储单元的翻转主要由内部路轨塌陷引起。 展开更多

关键词 随机存储器 剂量率 翻转阈值 路轨塌陷

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CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究 被引量：2

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作者 王桂珍 白小燕 +4 位作者 郭晓强 杨善潮 李瑞宾 林东生 龚建成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期742-744,共3页

在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应... 在"强光一号"加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20 ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150 ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阈值在20 ns脉冲宽度辐照下为150 ns脉冲宽度辐照下的3倍。 展开更多

关键词 CMOS电路 辐照效应 闩锁阈值 翻转阈值 脉冲宽度 剂量率

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单粒子翻转脉冲激光模拟的能量阈值的计算 被引量：2

4

作者 李华 陈雨生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期436-440,共5页

根据光的吸收机理 ,分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点 ,探讨了脉冲激光单粒子效应的 Monte Carlo计算模拟途径。在只考虑光电效应的简化下 ,得到存储器硅片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临界电荷的计算... 根据光的吸收机理 ,分析了单粒子效应脉冲激光模拟实验中所需用的脉冲激光的特点 ,探讨了脉冲激光单粒子效应的 Monte Carlo计算模拟途径。在只考虑光电效应的简化下 ,得到存储器硅片单粒子翻转时入射脉冲激光能量阈值与临界电荷的计算关系式 ,进而给出该硅片的翻转截面的计算公式。在给定了存储器硅片的临界电荷的情况下 ,对入射脉冲激光能量阈值和单粒子翻转截面进行了计算。 展开更多

关键词 单粒子翻转 脉冲激光模拟 脉冲激光能量阈值 翻转截面 蒙特卡罗模拟 储存器

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特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响 被引量：1

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作者 张科营 郭红霞 +4 位作者 罗尹虹 何宝平 姚志斌 张凤祁 王园明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期215-219,共5页

采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,... 采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。 展开更多

关键词 特征尺寸 临界电荷 LET阈值 单粒子翻转 cM()s SRAM

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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

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作者 刘岩 陈伟 +5 位作者 杨善潮 齐超 王桂珍 林东生 郭晓强 金军山 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期723-726,共4页

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。 展开更多

关键词 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM

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Q235-A 钢带直流电阻对焊接头变形的研究

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作者 吴丰顺 王士元 +3 位作者 史耀武 董仕节 孙守礼 孙智富 《武汉汽车工业大学学报》 CAS 1997年第4期59-63,共5页

采用位移门槛电压控制焊接过程，对Ｑ２３５－Ａ钢进行了变压式和等压式扁钢带直流电阻对焊试验。其结果表明，增大位移门槛值或者减小预压力，可增大塑性金属的变形程度，这有利于将杂质从接合界面挤出。接头的“开花”现象是界面拉应... 采用位移门槛电压控制焊接过程，对Ｑ２３５－Ａ钢进行了变压式和等压式扁钢带直流电阻对焊试验。其结果表明，增大位移门槛值或者减小预压力，可增大塑性金属的变形程度，这有利于将杂质从接合界面挤出。接头的“开花”现象是界面拉应力产生的。 展开更多

关键词 直流电阻对焊 门槛电压 焊接 试验 接头变形

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扁钢带直流电阻对焊接头变形的研究

8

作者 吴丰顺 王士元 +1 位作者 史耀武 董仕节 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期45-48,共4页

研究了扁钢带直流电阻对焊工艺，分析了变形机理．试验结果表明，增大位移门槛电压值或者减小预压力，可增大塑性金属的变形程度，这有利于将杂质从接合界面挤出．

关键词 直流电阻对焊 顶锻 门槛电压 扁钢带 焊接接头

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高功率微波和电磁脉冲对半导体器件辐射损伤的研究 被引量：5

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作者 王长河 《半导体情报》 1997年第1期9-16,共8页

主要讨论高功率微波(HPM)和电磁脉冲(EMP)对半导体分立器件和集成电路的辐射损伤机理。在此基础上提出有关对策,以便提高器件抗 HPM 和 EMP 的能力。

关键词 损伤阈值 半导体器件 HPM EMP 辐射损伤

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重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值等效性研究 被引量：4

10

作者 薛玉雄 曹洲 +1 位作者 杨世宇 田恺 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期653-658,共6页

根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了... 根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了几种器件和集成电路的单粒子翻转实验研究。利用获得的计算公式计算激光等效LET阈值,并与国内外重离子实测数据进行比较。结果表明,脉冲激光能量等效LET阈值与重离子试验LET阈值较为一致。 展开更多

关键词 单粒子翻转 重离子 脉冲激光 激光能量阈值 LET阈值

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一种抗单粒子多节点翻转的存储单元 被引量：1

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作者 胡春艳 岳素格 +2 位作者 陆时进 刘琳 张晓晨 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期348-352,358,共6页

为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T)。在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存"0"节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁(DICE)存储单元的一半... 为解决纳米CMOS工艺下单粒子多节点翻转的问题,提出了一种加固存储单元(RH-12T)。在Quatro-10T存储单元基础上对电路结构进行改进,使存"0"节点不受高能粒子入射的影响,敏感节点对的数目是晶体管双立互锁(DICE)存储单元的一半。基于敏感节点对分离和SET缩减原理,进行了加固存储单元版图设计。在相同设计方法下,该存储单元的敏感节点间距是DICE存储单元的3倍。抗SEU仿真结果表明,该存储单元具备单节点翻转全加固能力。全物理模型单粒子瞬态仿真结果表明,该存储单元的线性能量转移(LET)翻转阈值为DICE存储单元的2.8倍,能有效缓解单粒子多节点翻转的问题。 展开更多

关键词 存储单元 SEU 多节点翻转 敏感节点对 LET翻转阈值

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