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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析
被引量：
5
1
作者
薛玉明
孙云
+4 位作者
李凤岩
朴英美
刘维一
周志强
李长健
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期841-844,共4页
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对...
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0-0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好。
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关键词
铜铟硒薄膜太阳电池
异质结
结构
制备
半导体材料
能带边失调值
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职称材料
题名
CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析
被引量：
5
1
作者
薛玉明
孙云
李凤岩
朴英美
刘维一
周志强
李长健
机构
南开大学光电子所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期841-844,共4页
文摘
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGs)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值△EC、△EV。其中,CdS／CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0-0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好。
关键词
铜铟硒薄膜太阳电池
异质结
结构
制备
半导体材料
能带边失调值
Keywords
heterojunction
energy band offset
CIGS
ordered
vacancy
compound
(
ovc
)
solar cells
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析
薛玉明
孙云
李凤岩
朴英美
刘维一
周志强
李长健
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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