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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响
1
作者
石金川
张丛春
+2 位作者
侯捷
杨春生
饶瑞
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期393-396,共4页
利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM),研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明:BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生...
利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM),研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明:BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为(100)择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.
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关键词
钛酸锶钡薄膜
镍酸镧缓冲层
射频磁控溅射
介电性能
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职称材料
镍酸镧缓冲层的制备及对钙锶铋钛的影响
2
作者
赵亮培
冯博楷
于冉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012年第4期597-600,共4页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3(LNO)薄膜的影响。研究结果表明,当热分解温度为350℃、退火温度为750℃,厚为250nm时,制备的LNO薄膜的(...
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3(LNO)薄膜的影响。研究结果表明,当热分解温度为350℃、退火温度为750℃,厚为250nm时,制备的LNO薄膜的(110)衍射峰取向择优最明显,电阻率也较低,(为1.8×10-3Ω.cm)。LNO缓冲层的引入促进钙锶铋钛薄膜沿A轴方向生长,明显改善了钙锶铋钛薄膜的电性能,即剩余极化强度Pr=15.2μC/cm2,矫顽电场Ec=70kV/cm。
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关键词
镍酸镧
缓冲层
钙锶铋钛
制备
电性能
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职称材料
题名
LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响
1
作者
石金川
张丛春
侯捷
杨春生
饶瑞
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期393-396,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60701012)
应用材料基金(0511)
国家高技术研究发展计划(863)项目(2007AA04Z338)
文摘
利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM),研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明:BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为(100)择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.
关键词
钛酸锶钡薄膜
镍酸镧缓冲层
射频磁控溅射
介电性能
Keywords
Ba0. 5 Sr0. 5 TiO3 thin films
lanio3 buffer layer
RF magnetron sputtering
dielectric properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
镍酸镧缓冲层的制备及对钙锶铋钛的影响
2
作者
赵亮培
冯博楷
于冉
机构
莱芜职业技术学院机电工程系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012年第4期597-600,共4页
基金
山东省教育厅高校科研发展计划基金资助项目(J10LD55)
文摘
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3(LNO)薄膜的影响。研究结果表明,当热分解温度为350℃、退火温度为750℃,厚为250nm时,制备的LNO薄膜的(110)衍射峰取向择优最明显,电阻率也较低,(为1.8×10-3Ω.cm)。LNO缓冲层的引入促进钙锶铋钛薄膜沿A轴方向生长,明显改善了钙锶铋钛薄膜的电性能,即剩余极化强度Pr=15.2μC/cm2,矫顽电场Ec=70kV/cm。
关键词
镍酸镧
缓冲层
钙锶铋钛
制备
电性能
Keywords
lanio3
buffer
layer
Cao. 4 Sro 6 Bi
Ti4 O15
preparation
electric property
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN804 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响
石金川
张丛春
侯捷
杨春生
饶瑞
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
镍酸镧缓冲层的制备及对钙锶铋钛的影响
赵亮培
冯博楷
于冉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
已选择
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