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Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器特性
1
作者 袁兆林 许庆鹏 +3 位作者 谢志文 何剑锋 游胜玉 汪雪元 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期116-124,共9页
采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向... 采用简便水热法,在具有叉指图案的氟掺杂氧化锡导电玻璃基底上,生长出几种Al掺杂浓度ZnO纳米线阵列,Al/Zn原子比分别为0%(未掺杂)、0.5%、1%、2%和4%。实验结果显示:所有样品均为六方纤锌矿结构,Al掺杂ZnO纳米线沿近似垂直基底表面方向生长,形成良好取向阵列。并且用这些Al掺杂ZnO纳米线阵列作为光敏层,制备了五种紫外光探测器,系统研究了器件性能。经分析,所有器件对365 nm紫外光表现出良好响应。1%Al掺杂ZnO纳米线阵列紫外光探测器具有最佳性能,在365 nm波长处,该探测器响应度、比探测率、灵敏度、外量子效率、响应时间和衰减时间分别为6180 mA/W、1.51×10^(12)Jones、83.2、6090%、4.12 s和14.45 s。该研究证实在ZnO纳米线阵列中进行适量Al掺杂,可有效提高其紫外光探测器性能。 展开更多
关键词 紫外光探测器 氧化锌 al掺杂 掺杂浓度 水热法 光响应
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Al-Eu共掺杂ZnO薄膜的制备与光电性质研究
2
作者 郭正广 《科技创新与应用》 2024年第35期86-89,共4页
该文采用射频磁控溅射技术在c面蓝宝石和p型硅衬底上制备Al-Eu共掺杂ZnO(AEZO)薄膜,探讨不同衬底类型及退火处理对薄膜的物相结构、电子性能以及光学性能的作用。XRD分析确认AEZO薄膜呈六角纤锌矿结构,Al^(3+)和Eu^(3+)离子成功掺杂,且... 该文采用射频磁控溅射技术在c面蓝宝石和p型硅衬底上制备Al-Eu共掺杂ZnO(AEZO)薄膜,探讨不同衬底类型及退火处理对薄膜的物相结构、电子性能以及光学性能的作用。XRD分析确认AEZO薄膜呈六角纤锌矿结构,Al^(3+)和Eu^(3+)离子成功掺杂,且薄膜高度织构化。蓝宝石衬底的AEZO薄膜结晶度更优,退火提升其结晶质量。表面分析显示,蓝宝石衬底使AEZO薄膜更致密,退火改善表面均匀性。电学测试表明,硅衬底AEZO薄膜导电性更佳,但退火减弱导电性。光学特性表明AEZO薄膜不仅在相同范围透射率更高,且吸收边有向短波方向移动的趋势。该研究揭示衬底和退火对AEZO薄膜性能的影响,为透明导电薄膜的设计提供指导。 展开更多
关键词 (al Eu)-zno 磁控溅射 电学性质 光学特性 导电薄膜
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不同Al掺杂对ZnO薄膜结构及光学性质的影响 被引量：5
3
作者 马书懿 史新福 +3 位作者 袁玉凤 毛雷鸣 丁继军 周婷婷 《西北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第5期48-51,共4页
采用磁控溅射法(RF)在玻璃衬底上沉积不同Al含量的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计研究了不同浓度的掺杂对薄膜结构和光学性能的影响.结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向... 采用磁控溅射法(RF)在玻璃衬底上沉积不同Al含量的ZnO薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计研究了不同浓度的掺杂对薄膜结构和光学性能的影响.结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有较好的c轴择优取向;薄膜表面平整光滑,晶界较明显;薄膜的平均透射率均在85%以上,并随着Al掺杂量的增加而降低;随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小,吸收边先蓝移,后红移.这与量子限制模型计算结果的变化趋势完全一致. 展开更多
关键词 磁控溅射法 al-zno薄膜 掺杂 透射
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In_2O_3∶Sn和ZnO∶Al透明导电薄膜的结构及其导电机制 被引量：40
4
作者 陈猛 白雪冬 +1 位作者 黄荣芳 闻立时 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期394-399,共6页
基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格... 基于对锡掺杂三氧化铟 ( Sn- doped In2 O3,简称 ITO)和铝掺杂氧化锌 ( Al- doped Zn O,简称 ZAO)薄膜退火前后 XRD数据的分析 ,研究了薄膜晶格常数畸变的原因 ,同时讨论了 ITO和ZAO薄膜的导电机制 .结果表明 ,低温沉积 ITO薄膜的晶格膨胀来源于 Sn2 +对 In3-的替换 ,导电电子则由氧缺位提供 ;高温在位制备和退火处理后薄膜的晶格收缩来源于 Sn4 + 对 In3+ 的替换 ,导电电子则主要由 Sn4 + 取代 In3+ 后提供 .低温 ZAO薄膜的晶格畸变来源于薄膜中的残余应力 ,导电电子的来源则同高温在位和退火处理后的薄膜一致 ,即由 Al3+ 对 Zn2 + 展开更多
关键词 导电薄膜 结构 导电机制 氧化锌 氧化铟
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 被引量：9
5
作者 秦秀娟 韩司慧智 +2 位作者 赵琳 左华通 宋士涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期607-612,共6页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 展开更多
关键词 气溶胶 化学气相沉积法 al:zno 透明导电薄膜
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Al-ZnO反应球磨制备Zn/Al_2O_3复合粉末研究 被引量：3
6
作者 罗成 张红霞 +2 位作者 杨明 胡树兵 涂江平 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期209-212,共4页
采用X射线衍射仪、电子扫描和DTA差热分析等手段,研究了在Ar气氛保护下Al-ZnO粉在高能球磨过程中发生的机械合金化反应。分析了不同球磨时间对粉体颗粒大小、成分、形貌、热稳定性及Al2O3粒子反应生成的影响。结果表明高能球磨可以有效... 采用X射线衍射仪、电子扫描和DTA差热分析等手段,研究了在Ar气氛保护下Al-ZnO粉在高能球磨过程中发生的机械合金化反应。分析了不同球磨时间对粉体颗粒大小、成分、形貌、热稳定性及Al2O3粒子反应生成的影响。结果表明高能球磨可以有效实现Al-ZnO固相置换反应。经过30h球磨后,Al-ZnO能完全发生机械合金化反应,60h后可获得Zn-Al2O3复合粉末。置换生成Zn的熔点降低到398℃。 展开更多
关键词 高能球磨 机械合金化 al-zno 固相反应
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 被引量：10
7
作者 李微 孙云 +2 位作者 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期761-764,815,共5页
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制... 本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 展开更多
关键词 孪生对靶 磁控溅射 zno:al
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N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性 被引量：11
8
作者 吕建国 叶志镇 +3 位作者 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期730-734,共5页
利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N A... 利用直流反应磁控溅射技术制得N Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N Al键的形式存在.N Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Hall迁移率为0.43cm2/(V·s).N Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%. 展开更多
关键词 N—al共掺zno薄膜 P型传导 N2O生长气氛 直流反应磁控溅射
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溶胶-凝胶法制备的ZnO:Al薄膜的微观结构及光学、电学性能 被引量：18
9
作者 周宏明 易丹青 +3 位作者 余志明 肖来荣 李荐 王斌 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期505-510,共6页
采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜．通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响．结果表明,退火... 采用溶胶-凝胶法制备了ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜．通过X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计 (UV-Vis)、扫描电镜(SEM)和电阻测量装置,考察了Al掺杂量、退火温度及镀膜层数等工艺参数对薄膜的微观结构和光电性能的影响．结果表明,退火温度越高,多晶AZO薄膜的(001)晶面择优取向生长的趋势越强,并且随退火温度升高,薄膜的晶粒尺寸增大,透光率增加．薄膜晶体结构为纯ZnO的六角纤锌矿结构．在掺杂浓度1％(摩尔分数)、退火温度500℃及镀膜层数10的条件下,得到了电阻率为3．2×10-3Ω·cm、可见光区的平均透射率超过90％的AZO薄膜． 展开更多
关键词 zno:al(AZO)薄膜 溶胶-凝胶法 微观结构 光学 电学性能
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(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响 被引量：10
10
作者 陈洪存 王矜奉 +3 位作者 臧国忠 苏文斌 王春明 亓鹏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期27-29,共3页
研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势... 研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。 展开更多
关键词 半导体技术 (Nb Mg al)掺杂的zno压敏电阻 势垒 漏电流 残压比 非线性系数
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Al-N共掺杂ZnO的第一性原理研究 被引量：5
11
作者 张小超 樊彩梅 +2 位作者 丁永波 梁镇海 韩培德 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1518-1523,共6页
为了研究p型ZnO的掺杂改性,本文运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO晶体的几何结构、能带结构、电子态密度。计算结果表明:未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO的超晶胞体积分别为0.2043 nm3、0.2034 nm... 为了研究p型ZnO的掺杂改性,本文运用第一性原理密度泛函理论研究了未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO晶体的几何结构、能带结构、电子态密度。计算结果表明:未掺杂,Al、N单掺杂和Al-N共掺杂ZnO的超晶胞体积分别为0.2043 nm3、0.2034 nm3、0.2027 nm3、0.1990 nm3,带隙分别为0.72 eV、0.71 eV、0.60 eV、0.55 eV;N是比较理想的p型掺杂受主,若在禁带中再引入激活施主Al后,可填充的电子数由原来的19个增加到24个,N原子接受从价带跃迁的电子使价带产生非局域化空穴载流子,从而提高了晶体的导电性。与未掺杂,Al、N单掺杂相比,Al-N共掺杂ZnO具有更稳定的结构,更窄的带隙,更好的导电性,更有利于实现p型化。 展开更多
关键词 第一性原理 P型zno al-N共掺杂zno
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背入射Au/ZnO/Al结构肖特基紫外探测器 被引量：13
12
作者 赵延民 张吉英 +7 位作者 张希艳 单崇新 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 申德振 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期527-530,共4页
设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明：Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于... 设计制作了一种Au/ZnO/Al结构的紫外探测器,光的入射方式采用背入射式。ZnO薄膜是用磁控溅射在蓝宝石衬底上制备的。I-V测试表明：Au与ZnO形成了肖特基接触。得到探测器的光响应峰值在352nm,截止边为382nm,可见抑制比达一个量级。由于该探测器是一种垂直结构器件,对于进一步实现ZnO紫外探测器阵列及单光子探测有很好的研究价值。 展开更多
关键词 紫外探测器 背入射 Au/zno/al垂直结构
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退火处理对N掺杂Al:ZnO薄膜结构及性能的影响 被引量：4
13
作者 高松华 高立华 陈礼炜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期117-120,共4页
采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构... 采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构和光电性能的影响。结果表明真空400℃退火15 min时成功制备出性能优异的p型ZnO薄膜,其空穴载流子浓度为3.738×1020cm^(-3),电阻率为1.299×10^(-2)Ω·cm,样品可见光透射率达到了85%以上。XPS分析说明No受主缺陷的含量大于(N2)o施主缺陷导致薄膜实现了p型转变。 展开更多
关键词 al:zno薄膜 P型zno 退火处理 光电性能
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Sol-Gel法制备ZnO∶Al透明导电薄膜 被引量：17
14
作者 吕敏峰 崔作林 张志焜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期224-227,共4页
采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准... 采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+ 离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现 ,当Al3+ 离子掺杂浓度为 0 8%时 ,前处理温度为 40 0℃ ,退火温度为 5 5 0℃ ,真空退火温度为 5 5 0℃时 ,薄膜具有较好的导电性 ,电阻率为 3 0 3× 10 - 3Ω·cm ,其在可见光区的透过率超过 80 %。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 制备 透明导电薄膜 氧化锌 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 性能
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Al_2O_3缓冲层对以ZnO∶Al为阳极的有机电致发光器件性能的影响 被引量：4
15
作者 姚宁 邢宏伟 +4 位作者 穆慧慧 崔娜娜 葛亚爽 王英俭 张兵临 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期144-148,共5页
采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层... 采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。 展开更多
关键词 掺铝氧化锌 缓冲层 al2O3 有机电致发光器件
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La助剂对甲醇水蒸气转化制氢CuO-ZnO/Al_2O_3催化剂性能的影响 被引量：14
16
作者 蔡迎春 刘淑文 +1 位作者 徐贤伦 李树本 《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期429-432,共4页
研究了La助剂对CuO -ZnO/Al2 O3催化剂性能的影响 ,得到了活性和稳定性较好的CuO -ZnO -La2 O3/Al2 O3催化剂。应用TPR、XRD、SEM及XPS等方法对催化剂进行了表征 ,结果表明 :La助剂的加入使催化剂表面的Cu组份含量增加并使Cu/Zn摩尔比提... 研究了La助剂对CuO -ZnO/Al2 O3催化剂性能的影响 ,得到了活性和稳定性较好的CuO -ZnO -La2 O3/Al2 O3催化剂。应用TPR、XRD、SEM及XPS等方法对催化剂进行了表征 ,结果表明 :La助剂的加入使催化剂表面的Cu组份含量增加并使Cu/Zn摩尔比提高 ;La助剂的加入极大地提高了催化剂的稳定性 ;反应过程中催化剂表面Cu组份含量逐渐下降是催化剂活性下降的直接原因。 展开更多
关键词 甲醇 水蒸气转化 催化剂 稳定性 铜基 镧 制氢 活性
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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响 被引量：7
17
作者 刘金铭 赵小如 +5 位作者 赵亮 张安 王丹红 邵继峰 曹萌萌 常晓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1130-1135,共6页
采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火... 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 al掺杂zno(ZAO) 热处理 晶体结构 光电性能
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有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究 被引量：5
18
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期329-333,共5页
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃... 讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6～5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 铝掺杂 薄膜结构 光电性能 射频磁控溅射法
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透明导电薄膜ZnO:Al(ZAO)的性能及其在有机发光二极管中的应用 被引量：9
19
作者 曹鸿涛 裴志亮 +4 位作者 孙超 黄荣芳 闻立时 白峰 邓振波 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期332-336,共5页
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向, c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之问的成分不均匀导致了电学性能的不均匀; ZAO薄膜的电阻率和在可... 研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向, c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之问的成分不均匀导致了电学性能的不均匀; ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4 Ω·cm和80.8％.其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳极的有机发光二极管的发射光谱,在5.38 A/m2电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A. 展开更多
关键词 zno:al薄膜 电学 光学性能 电致发光 有机发光二极管
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Al掺杂ZnO纳米粉体的EPR谱研究 被引量：3
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作者 吴彩平 殷春浩 +3 位作者 徐振坤 路璐 李佩欣 李少波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期937-944,共8页
采用溶胶凝胶方法制备了Al掺ZnO纳米粉体。并用X射线衍射仪(XRD)和电子顺磁共振(EPR)对样品进行表征。结果表明:Al以替位形式掺入ZnO,未改变原有结构,掺杂Al离子浓度为2%时,其结晶性最好。Al掺杂ZnO粉末在g=1.96和2.00处具有明显信号峰... 采用溶胶凝胶方法制备了Al掺ZnO纳米粉体。并用X射线衍射仪(XRD)和电子顺磁共振(EPR)对样品进行表征。结果表明:Al以替位形式掺入ZnO,未改变原有结构,掺杂Al离子浓度为2%时,其结晶性最好。Al掺杂ZnO粉末在g=1.96和2.00处具有明显信号峰。g=1.96位置的信号是制备过程中产生的Zn-H键的信号位置,该信号与ZnO导电特性有密切关系;g=2.00是晶体中锌空位对应的信号。g=1.96处信号峰强度与煅烧时间的长短无关;煅烧时间越长越有利于晶体结构的完善,减少空穴的产生;Al的掺入不仅替代了部分Zn的位置,也填补了部分的锌空位;温度变化起到了和Al离子同样的功效,Al离子的掺入增强了温度变化对ZnO的影响。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 al掺杂 zno EPR谱
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