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敲低DRAM2抑制肺癌细胞系A549的增殖和迁移
1
作者 楼海均 童卓云 +3 位作者 张振宇 阿合叶尔克·马合沙提 孟·孟根 乌都木丽 《基础医学与临床》 2025年第2期197-202,共6页
目的探讨DNA损伤调节自噬因子2(DRAM2)如何通过调节p53和自噬对非小细胞肺癌(NSCLC)细胞增殖和迁移的影响。方法利用慢病毒技术敲低A549细胞系DRAM2基因,免疫荧光和Western blot检测自噬标志物。CCK8和Transwell实验检测细胞增殖和迁移... 目的探讨DNA损伤调节自噬因子2(DRAM2)如何通过调节p53和自噬对非小细胞肺癌(NSCLC)细胞增殖和迁移的影响。方法利用慢病毒技术敲低A549细胞系DRAM2基因,免疫荧光和Western blot检测自噬标志物。CCK8和Transwell实验检测细胞增殖和迁移,同时探究激活自噬和p53敲低对DRAM2敲低细胞自噬及功能的影响。结果敲低DRAM2抑制A549细胞p62表达上调(P<0.05)和LC3-Ⅱ降低(P<0.05)。敲低DRAM2抑制了NSCLC细胞的增殖(P<0.001)和迁移(P<0.001)。激活自噬能够部分消除敲低DRAM2对细胞增殖(P<0.01)和迁移(P<0.01)的抑制作用。当DRAM2和p53同时敲低时,恢复自噬、细胞增殖(P<0.05)和迁移能力(P<0.001)。结论敲低DRAM2抑制肺瘤细胞系A549的增殖和迁移,为未来非小细胞肺癌的治疗策略提供了可能的干预方向。 展开更多
关键词 非小细胞肺癌 DNA损伤调节自噬调节因子2(dram2) 肿瘤蛋白p53 自噬
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DRAM研究现状与发展方向
2
作者 牛君怡 孙锴 《电子技术应用》 2024年第12期21-30,共10页
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。... 动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。其次,详细介绍了DDR SDRAM的关键性能指标以及专用DRAM的发展。然后,介绍了提高DRAM访问速度、容量与密度的创新DRAM架构和技术,以及无电容存储单元结构、3D堆叠DRAM技术以及Rowhammer安全问题及其防御机制。最后,展望了DRAM技术的未来发展方向,阐述了为了应对日益增长的高速、低功耗和高可靠性的存储需求,对现有DRAM技术的进行深入研究和创新的重要性。 展开更多
关键词 dram 无电容存储单元 3D dram Rowhammer 2T0C dram
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基于miR-665/DRAM1信号介导的自噬探讨补阳还五汤延缓血管衰老的作用 被引量：2
3
作者 叶才博 陈祥宇 +3 位作者 杜杰勇 杨玉彬 舒尊鹏 张莉 《南京中医药大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期369-378,共10页
目的研究补阳还五汤对血管衰老的延缓作用,探讨其机制是否与microRNA-665(miR-665)/DNA损伤调节自噬调控因子1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1,DRAM1)信号介导的自噬有关。方法将自然衰老雄性SD大鼠随机分为衰老组,补阳还... 目的研究补阳还五汤对血管衰老的延缓作用,探讨其机制是否与microRNA-665(miR-665)/DNA损伤调节自噬调控因子1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1,DRAM1)信号介导的自噬有关。方法将自然衰老雄性SD大鼠随机分为衰老组,补阳还五汤低、中、高(9.25、18.5、37.0 g·kg^(-1))剂量组和白藜芦醇组(80 mg·kg^(-1)),同时设立年轻组。分离胸主动脉,ELISA法测定血管组织衰老相关β-半乳糖苷酶(Senescence associatedβ-galactosidase,SA-β-Gal)活性和晚期糖基化终末产物(Advanced glycation end products,AGEs)水平;HE、Masson和EVG染色观察血管组织形态结构;qPCR检测血管组织miR-665表达;生物信息学分析和双荧光素酶报告基因实验验证miR-665与DRAM1靶向关系;透射电镜观察血管内自噬小体;Western blot法检测血管组织p16、DRAM1蛋白及自噬相关蛋白LC3、Beclin1和p62的表达;免疫组织化学法检测血管组织DRAM1的蛋白表达。结果与年轻组相比,衰老组大鼠血管中SA-β-Gal活性、AGEs水平和p16蛋白表达增加(P<0.01);血管组织排列紊乱,中膜增厚,胶原纤维增加,弹力纤维出现断裂、紊乱;miR-665基因表达上调(P<0.01);自噬小体数量减少,Beclin1和LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达降低(P<0.01),p62蛋白表达升高(P<0.01);DRAM1蛋白表达降低(P<0.01)。与衰老组相比,补阳还五汤和白藜芦醇干预能够降低衰老大鼠血管中SA-β-Gal活性(P<0.01)、AGEs水平和p16蛋白表达(P<0.05,P<0.01);改善血管形态和弹力纤维结构,降低血管组织胶原纤维含量。高剂量补阳还五汤明显下调miR-665基因表达(P<0.01),增加血管内自噬小体数量;不同剂量补阳还五汤明显上调Beclin1蛋白表达(P<0.05,P<0.01),中剂量和高剂量补阳还五汤显著上调LC3Ⅱ/Ⅰ蛋白表达(P<0.01),下调p62蛋白表达(P<0.01);高剂量补阳还五汤明显上调DRAM1蛋白表达(P<0.05)。生物信息学分析显示,miR-665与DRAM1基因序列存在特异性互补结合位点,双荧光素酶报告实验证实miR-665靶向DRAM1基因并负调控DRAM1蛋白表达。结论补阳还五汤可能通过靶向抑制miR-665促进DRAM1蛋白表达,进而促进血管自噬,延缓血管衰老。 展开更多
关键词 补阳还五汤 miR-665 dram1 自噬 转录后调控 血管衰老
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利用FPGA实现SDRAM控制器的设计 被引量：9
4
作者 刘云清 佟首峰 姜会林 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2005年第4期47-50,共4页
介绍了SDRAM的工作原理和使用方法。以一个数据通信中实际使用的SDRAM控制器为例,设计了用可编程逻辑器件(FPGA)实现SDRAM控制器的方法,给出了具体实现时需要注意的地方。
关键词 VHDL Sdram(Synchorous dram) Sdram控制器
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新潮DRAM芯光灿烂
5
作者 Giani 《电脑硬件（现代电子技术）》 2000年第9期18-21,共4页
关键词 dram 动态读写存储器 Cdram Edram Rdram
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吉位规模DRAM的发展和挑战
6
作者 甘学温 霍宗亮 莫邦燹 《世界科技研究与发展》 CSCD 2000年第2期35-39,共5页
本文从工艺技术、单元结构、单元阵列及电路设计方面讨论了吉位规模DRAM的发展和面临的挑战 ;
关键词 存储单元 存储器 嵌入式dram 吉拉规模dram
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DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势 被引量：11
7
作者 成立 王振宇 高平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期1-5,14,共6页
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM和BiCMOS技术的开发前景与发展趋势。
关键词 dram 动态随机存取存储器 数字集成电路 FRAM 相变RAM MRAM BICMOS 发展趋势
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基于DRAM的水质模拟不确定性分析和风险决策 被引量：2
8
作者 张庆庆 许月萍 +1 位作者 张徐杰 徐晓 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2231-2236,2242,共7页
将点源作为未知参数,结合一种新的马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法——延迟拒绝适应性Metropolis算法(DRAM),对钱塘江支流东阳江许村至义东桥河段的化学需氧量、氨氮、饱和溶解氧等3种指标的水质模型进行了贝叶斯参数估计.DRAM算法兼有延... 将点源作为未知参数,结合一种新的马尔科夫链蒙特卡罗(MCMC)算法——延迟拒绝适应性Metropolis算法(DRAM),对钱塘江支流东阳江许村至义东桥河段的化学需氧量、氨氮、饱和溶解氧等3种指标的水质模型进行了贝叶斯参数估计.DRAM算法兼有延迟拒绝算法和适应性Metropolis算法的优点,且稳定收敛速度更快.基于抽样得到的马尔科夫链,对参数和模型误差项的后验分布进行了量化,并实现了点源的不确定性反演.用这个不确定性模型对污染物质量浓度的后验分布进行模拟,表现了良好的拟合效果.基于马尔科夫链,可对各类情景(如不同的水温、流量或点源排放情况)下的污染物超标风险进行直观的分析和预测,也易于实现敏感性分析.研究结果能帮助管理者制定不同水期的减排和调水风险决策,为钱塘江流域的水污染风险管理提供支持. 展开更多
关键词 dram MCMC 贝叶斯估计 不确定性分析 风险决策
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MiR-199a-5p通过靶向DRAM1调控急性髓系白血病对阿柔比星的敏感性 被引量：5
9
作者 李旸 孙颖 +3 位作者 苗苗 石雪 杨威 刘卓刚 《中国实验血液学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1096-1104,共9页
目的:比较miR-199a-5p在急性髓系白血病(AML)耐药细胞株K562/ADM以及敏感细胞株K562中的表达,研究其对AML耐药的调控效应并探索其机制。方法:采用MTT法检测阿柔比星(ADM)对K562/ADM和K562细胞的生长抑制率并计算IC50。采用实时荧光定量R... 目的:比较miR-199a-5p在急性髓系白血病(AML)耐药细胞株K562/ADM以及敏感细胞株K562中的表达,研究其对AML耐药的调控效应并探索其机制。方法:采用MTT法检测阿柔比星(ADM)对K562/ADM和K562细胞的生长抑制率并计算IC50。采用实时荧光定量RT-PCR的方法检测2种细胞株(K562/ADM和K562)以及患者骨髓标本(复发难治AML患者和化疗后完全缓解AML患者)中miR-199a-5p的表达。通过细胞转染的方法在K562/ADM细胞中转入miR-199a-5p mimic使其表达上调,在K562细胞中转入miR-199a-5p inhibitor使其表达下调,采用CCK-8法检测ADM对2种细胞的增殖抑制率,实时荧光定量PCR和Western blot法分别检测转染后2种细胞中DRAM1基因和蛋白的表达。双荧光素酶报告基因实验检测miR-199a-5p与DRAM13′UTR是否存在直接结合位点。采用siRNA的方法下调K562/ADM细胞中DRAM1表达,CCK-8法检测ADM对细胞增殖抑制率的变化。结果:ADM对K562/ADM和K562细胞的IC50分别为146.14±0.079和3.08±0.056μg/ml。miR-199a-5p在复发难治AML患者骨髓中的表达明显低于完全缓解患者,在K562/ADM细胞中的表达明显低于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中miR-199a-5p表达上调时,ADM对细胞的增殖抑制率升高,DRAM1基因和蛋白表达明显下降。当K562细胞中miR-199a-5p表达下调时,ADM对细胞的增殖抑制率明显下降,DRAM1基因和蛋白表达明显升高(P<0.05)。双荧光素酶报告基因实验显示,miR-199a-5p与DRAM1的3′UTR区存在直接结合位点。K562/ADM细胞中DRAM1在基因和蛋白水平表达均明显高于K562细胞(P<0.05)。当K562/ADM细胞中DRAM1基因表达下调后,细胞对ADM的敏感性显著升高(P<0.05)。结论:miR-199a-5p在耐药白血病细胞中呈低表达。miR-199a-5p表达能够调控AML细胞对ADM的敏感性。DRAM1是miR-199a-5p调控AML耐药的功能性靶基因。 展开更多
关键词 miR-199a-5p dram1 化疗耐药 急性髓系白血病
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基于 ispLSI 器件的 DRAM 控制器的设计(一) 被引量：2
10
作者 曾晓洋 王晓东 魏仲慧 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第4期90-94,共5页
对空间应用的大容量固态图像存贮器联试结果进行了分析。为提高系统的集成度和抗干扰性，我们采用了ｉｓｐＬＳＩ器件对该系统的ＤＲＡＭ控制器进行改进设计。详细分析了基于ｉｓｐＬＳＩ器件，利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓｔｅｍ软... 对空间应用的大容量固态图像存贮器联试结果进行了分析。为提高系统的集成度和抗干扰性，我们采用了ｉｓｐＬＳＩ器件对该系统的ＤＲＡＭ控制器进行改进设计。详细分析了基于ｉｓｐＬＳＩ器件，利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓｔｅｍ软件进行设计的过程，并给出了微机上的仿真结果。 展开更多
关键词 固态图像 存贮器 ISPLSI器件 dram控制器
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基于SoC的嵌入式DRAM存储器内建自测试设计 被引量：2
11
作者 田勇 丁学君 《计算机测量与控制》 CSCD 北大核心 2012年第9期2350-2352,共3页
内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM... 内建自测试(Built-in Self Test,BIST)是测试片上系统(System-on-Chip,SoC)中嵌入式存储器的重要技术;但是,利用BIST技术采用多种算法对嵌入式存储器进行测试仍面临诸多挑战;对此,提出了一种基于SoC的可以带有多种测试算法的嵌入式DRAM存储器BIST设计,所设计的测试电路可以复用状态机的状态,利用循环移位寄存器(Cyclic Shift Register,CSR)产生操作命令,利用地址产生电路产生所需地址;通过对3种BIST电路支持的算法,全速测试,面积开销3个方面的比较,表明提出的嵌入式DRAM存储器BIST设计在测试时间,测试故障覆盖率和测试面积开销等各方面都取得了较好的性能。 展开更多
关键词 片上系统 嵌入式dram 内建自测试 循环移位寄存器
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敲减SET8表达通过上调p53/DRAM1信号通路促进大鼠血管平滑肌细胞自噬和凋亡 被引量：1
12
作者 刘兰 张东雪 +4 位作者 朱荣芳 李晖 梁向楠 张胜雷 白亚玲 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期427-433,共7页
目的:探讨赖氨酸甲基转移酶SET8(SET domain-containing protein 8)低表达通过p53/DRAM1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1)通路调控大鼠血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)自噬和凋亡的作用及机制。方法:... 目的:探讨赖氨酸甲基转移酶SET8(SET domain-containing protein 8)低表达通过p53/DRAM1(DNA damage-regulated autophagy modulator 1)通路调控大鼠血管平滑肌细胞(vascular smooth muscle cells,VSMCs)自噬和凋亡的作用及机制。方法:体外原代培养大鼠VSMCs,敲减SET8表达,将细胞分为3组:正常组、空载体对照组和SET8-shRNA组。流式细胞术检测细胞凋亡,MTT法检测细胞活力,Western blot检测SET8、p53、DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。过表达DRAM1,将大鼠VSMCs分为3组:正常组、空载体对照组和DRAM1组。检测各组细胞活力,凋亡及DRAM1、LC3、Bax和Bcl-2的蛋白水平。敲减SET8表达的同时敲减p53或DRAM1表达,观察LC3、Bax和Bcl-2的蛋白表达情况。结果:(1)敲减SET8表达后,大鼠VSMCs凋亡显著增多,活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,敲减SET8表达后,SET8和Bcl-2表达显著降低(P<0.05),p53、DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05)。(2)过表达DRAM1后,大鼠VSMCs凋亡显著增多(P<0.05),活力显著降低(P<0.05)。Western blot结果显示,过表达DRAM1后,DRAM1、LC3-II和Bax表达显著升高(P<0.05),Bcl-2表达显著降低(P<0.05)。(3)敲减p53或DRAM1表达后,LC3-II和Bax表达降低,Bcl-2表达升高(P<0.05)。结论:敲减SET8表达可促进大鼠血管平滑肌细胞发生自噬和凋亡,可能机制是通过上调p53和DRAM1表达,促进自噬蛋白LC3-II及凋亡蛋白Bax表达实现的。 展开更多
关键词 血管平滑肌细胞 SET8蛋白 dram1蛋白 自噬 细胞凋亡
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面向高性能数值计算的并行计算模型DRAM(h) 被引量：16
13
作者 张云泉 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第12期1660-1670,共11页
提出了一个基于存储层次的新并行计算模型DRAM (h) ,并在该模型下对两个经典并行数值计算算法的不同实现形式 :四种形式并行下三角方程求解 (PTRS)和六种形式无列选主元并行LU分解 (PLU) ,进行了分析 .模型分析表明 ,具有近乎相同时间... 提出了一个基于存储层次的新并行计算模型DRAM (h) ,并在该模型下对两个经典并行数值计算算法的不同实现形式 :四种形式并行下三角方程求解 (PTRS)和六种形式无列选主元并行LU分解 (PLU) ,进行了分析 .模型分析表明 ,具有近乎相同时间和空间复杂性的同一算法不同实现形式 ,在该模型下会有完全不同的存储复杂度 .作者在日立公司SR2 2 0 1MPP并行机、曙光 3 0 0 0超级服务器和中国科学院科学与工程计算国家重点实验室(LSEC)的 12 8节点LinuxCluster等三种并行计算平台上对模型分析结果进行了实验验证 .结果表明 ,该模型分析在绝大多数情况下都能较好地与不同实验平台上的实验结果吻合 .个别出现偏差的分析结果 ,在根据计算平台的存储层次特点修改模型分析的假定后 ,也能够进行解释 .这说明了该模型对不同形式的算法实现进行存储访问模式区分的有效性 .对在计算模型中加入指令 /线程级并行的可行性和方法的研究是下一步的工作 . 展开更多
关键词 存储器 并行计算模型 高性能数值计算 dram(h) 计算模型 存储复杂性
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基于 ispLSI 器件的 DRAM 控制器的设计(二) 被引量：1
14
作者 魏仲慧 曾晓洋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第4期95-100,共6页
以ＤＲＡＭ控制器的设计为例，介绍了在系统可编程技术。基于美国Ｌａｔｉｃｅ半导体公司的ｉｓｐＬＳＩ器件，提出了ＤＲＡＭ控制器的设计方法，并利用ＩＳＰＳｙｎａｒｉｏＳｙｓ－ｔｅｍ软件对系统进行了仿真。
关键词 dram控制器 在系统可编程 图象 存贮器
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基于FPGA技术的DRAM分时存取方法 被引量：1
15
作者 刘华珠 陈雪芳 黄海云 《现代电子技术》 2005年第10期111-112,115,共3页
介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块... 介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求,提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法,讨论了该方法的实现机制,结合具体的项目设计,给出了分时存取方法的关键时序,避开了复杂的DRAM控制器,节省了设计资源,简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。 展开更多
关键词 FPGA dram 同步化 分时存取方法
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嵌入式DRAM的BIST测试方法的研究 被引量：3
16
作者 张必超 蒋大文 于鹏 《中国测试技术》 2005年第1期69-71,共3页
通过对比分析了嵌入式DRAM的传统测试方法和内建自测试 (BIST)方法 ,提出了嵌入式DRAM的内建自测试 (BIST)方案 ,该方案具有测试生成快 ,节约测试成本等优点 ,对其它类型电路的测试也有很好的借鉴价值。
关键词 片上系统(SOC) 超大规模集成电路 嵌入式dram 内建自测试
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用8031,DRAM和高速A/D实现快速数据采集 被引量：1
17
作者 曹茂永 《数据采集与处理》 EI CSCD 1999年第1期75-79,共5页
介绍了一个用８０３１，ＤＲＡＭ和高速Ａ／Ｄ等芯片构成的快速数据采集系统。该系统使Ａ／Ｄ转换的数据不经ＣＰＵ“中转”，而直接存入ＤＲＡＭ中。它具有硬件结构简单、价格低廉、易实现大容量存储等优点。本系统对模拟信号的采集并... 介绍了一个用８０３１，ＤＲＡＭ和高速Ａ／Ｄ等芯片构成的快速数据采集系统。该系统使Ａ／Ｄ转换的数据不经ＣＰＵ“中转”，而直接存入ＤＲＡＭ中。它具有硬件结构简单、价格低廉、易实现大容量存储等优点。本系统对模拟信号的采集并将采集数据送入存储器的周期为８μｓ。 展开更多
关键词 数据采集 模-数转换器 单片机 dram 8031系列
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基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现 被引量：1
18
作者 杨奇 杨莹 《国外电子元器件》 2006年第10期63-66,共4页
分别基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E,介绍了采用两种不同的RAM结构,通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。
关键词 SRAM dram CPLD 大容量FIFO
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基于二维数据DRAM访问的缓冲管理器设计
19
作者 刘政林 赵慧波 +1 位作者 周云明 邹雪城 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期55-57,共3页
根据DVD数据处理速度的要求和纠错数据块的特征,提出一种基于数据重排的数据访问管理方式,实现高速高效DRAM访问的数据缓冲管理器设计,达到比较高的RS PC行和列译码速度,以实现全程流水线处理的RS PC译码器设计.本设计采用MT4 8LC8M 16A... 根据DVD数据处理速度的要求和纠错数据块的特征,提出一种基于数据重排的数据访问管理方式,实现高速高效DRAM访问的数据缓冲管理器设计,达到比较高的RS PC行和列译码速度,以实现全程流水线处理的RS PC译码器设计.本设计采用MT4 8LC8M 16A2 ,可以达到二维数据访问方式,其DRAM带宽80Mbyte×16bit/s ,满足RS PC译码4 0Mbyte/s码字处理的缓冲要求,该设计为其他二维结构数据的DRAM访问提供一种可供参考的设计方法,具有很好的实用性. 展开更多
关键词 缓冲管理器 动态随机存储器(dram) 数据重排 DVD 里得-所罗门乘积码
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基于DRAM牺牲Cache的异构内存页迁移机制
20
作者 裴颂文 钱艺幻 +2 位作者 叶笑春 刘海坤 孔令和 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2022年第3期568-581,共14页
当海量数据请求访问异构内存系统时,异构内存页在动态随机存储器(dynamic random access memory, DRAM)和非易失性存储器(non-volatile memory, NVM)之间进行频繁的往返迁移.然而,应用于传统内存页的迁移策略难以适应内存页"冷&quo... 当海量数据请求访问异构内存系统时,异构内存页在动态随机存储器(dynamic random access memory, DRAM)和非易失性存储器(non-volatile memory, NVM)之间进行频繁的往返迁移.然而,应用于传统内存页的迁移策略难以适应内存页"冷""热"度的快速动态变化,这使得从DRAM迁移至NVM的"冷"页面可能在短时间内变"热"从而产生大量冗余的迁移操作.当前的相关研究都仅着眼于正在执行迁移的页面而忽视了等待迁移和完成迁移的页面,且判断"冷""热"程度的标准不一,使得冗余的迁移大量产生.因此,提出了一个基于DRAM牺牲Cache的异构内存页迁移机制(VC-HMM),使用非易失性存储器中工艺较为成熟的相变存储器(phase change memory, PCM),通过在DRAM和PCM之间增加一个由DRAM构成的小容量牺牲Cache将系统主存DRAM中变"冷"的页面迁移到牺牲Cache中,以避免主存页面在短时间内再次变"热"而造成的冗余迁移.同时,还使得迁回PCM的部分页面不需要写回,减少PCM存储单元的写入操作次数,延长PCM的使用寿命.另外,对于不同的工作负载,VC-HMM可以自适应设置迁移操作的参数,增加迁移的合理性.实验结果表明:与其他迁移策略(CoinMigrator, MQRA,THMigrator)相比,VC-HMM平均减少了至少62.97%的PCM写操作次数、22.72%的平均访问时延、38.37%的重复迁移操作以及3.40%的系统能耗. 展开更多
关键词 VC-HMM 异构内存系统 dram牺牲Cache 内存页迁移 非易失性存储器
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