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基于FPGA的MobileNetV1目标检测加速器设计
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作者 严飞 郑绪文 +2 位作者 孟川 李楚 刘银萍 《现代电子技术》 北大核心 2025年第1期151-156,共6页
卷积神经网络是目标检测中的常用算法,但由于卷积神经网络参数量和计算量巨大导致检测速度慢、功耗高,且难以部署到硬件平台,故文中提出一种采用CPU与FPGA融合结构实现MobileNetV1目标检测加速的应用方法。首先,通过设置宽度超参数和分... 卷积神经网络是目标检测中的常用算法,但由于卷积神经网络参数量和计算量巨大导致检测速度慢、功耗高,且难以部署到硬件平台,故文中提出一种采用CPU与FPGA融合结构实现MobileNetV1目标检测加速的应用方法。首先,通过设置宽度超参数和分辨率超参数以及网络参数定点化来减少网络模型的参数量和计算量;其次,对卷积层和批量归一化层进行融合,减少网络复杂性,提升网络计算速度;然后,设计一种八通道核间并行卷积计算引擎,每个通道利用行缓存乘法和加法树结构实现卷积运算;最后,利用FPGA并行计算和流水线结构,通过对此八通道卷积计算引擎合理的复用完成三种不同类型的卷积计算,减少硬件资源使用量、降低功耗。实验结果表明,该设计可以对MobileNetV1目标检测进行硬件加速,帧率可达56.7 f/s,功耗仅为0.603 W。 展开更多
关键词 卷积神经网络 目标检测 FPGA MobileNetV1 并行计算 硬件加速
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一种抗辐射16位25 MS/s流水线ADC
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作者 周晓丹 苏晨 +6 位作者 刘涛 付东兵 王健安 陈光炳 李强 刘杰 郭刚 《电子科技大学学报》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低... 设计了一款抗辐射16位25 MS/s流水线型模数转换器(ADC)。根据电容失配等因素确定了第一级4位的流水线结构,并设计了改进的自举开关来提高采样线性度。为了降低系统功耗,设计了一种开关电容动态偏置电路,通过减小放大器的平均电流来降低ADC的系统功耗。为了满足抗辐射的要求,针对电离总剂量效应和单粒子闩锁效应的机理,对电路进行抗辐射加固设计。该款抗辐射ADC在0.18μm CMOS工艺上进行制造,转换器的芯片面积为2.5 mm^(2),经过辐射试验后,在采样率25 MHz、1.8 V电源电压和30.1 MHz正弦输入的条件下,ADC的信噪比(SNR)达到了76.7 dBFS,无杂散动态范围(SFDR)为95.1 dBFS,功耗为38.76 mW,抗辐射能力达到电离总剂量100 Krad(Si)和单粒子闩锁阈值75 MeV·cm^(2)/mg,可满足空间环境的使用要求。 展开更多
关键词 模数转换器 流水线 信噪比 无杂散动态范围 抗辐射
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人工智能器件宇航应用面临的挑战与应对措施
3
作者 李家强 祝名 +6 位作者 刘承溪 张大宇 张松 梁培哲 杨舒文 刘一帆 张磊 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第1期18-22,共5页
人工智能器件是提供实现系统功能的微小型化器件,是实现空间环境感知、自主判断、自主任务规划等的硬件载体和基础。此类新型元器件在宇航应用前,仍然面临成熟度、可靠性、抗辐射能力、宇航适用性等诸多挑战。本文从分析人工智能器件国... 人工智能器件是提供实现系统功能的微小型化器件,是实现空间环境感知、自主判断、自主任务规划等的硬件载体和基础。此类新型元器件在宇航应用前,仍然面临成熟度、可靠性、抗辐射能力、宇航适用性等诸多挑战。本文从分析人工智能器件国内外发展现状出发,分析人工智能器件宇航应用面临的挑战与应对措施,给出典型人工智能器件质量保证案例,并归纳和总结后续人工智能器件宇航应用的相关建议。 展开更多
关键词 人工智能器件 宇航应用 GPU FPGA+DSP
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面向工控MCU的超越函数单元设计
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作者 宋敏特 刘楠 +5 位作者 茹占强 殷志珍 丁朋 王争光 程素珍 宋贺伦 《中国科学院大学学报(中英文)》 北大核心 2025年第2期260-267,共8页
设计一种基于数字迭代算法的多线程、高性能、可配置的超越函数的硬件单元,支持正余弦、反正切、求模长、指数和对数的计算,可配置4~24 bit定点小数精度。该设计使用SMIC 40 nm eFlash平台的标准单元库进行综合,最终实现了200 MHz的时... 设计一种基于数字迭代算法的多线程、高性能、可配置的超越函数的硬件单元,支持正余弦、反正切、求模长、指数和对数的计算,可配置4~24 bit定点小数精度。该设计使用SMIC 40 nm eFlash平台的标准单元库进行综合,最终实现了200 MHz的时钟频率,面积为301074μm^(2)。 展开更多
关键词 超越函数 加速器 控制算法 数字迭代算法 CORDIC
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一种具有低调制深度和低功耗的自适应抗噪超高频RFID解调器设计
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作者 王翊 陈冲 +1 位作者 许耀华 柏娜 《安徽大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期61-69,共9页
超高频射频识别技术(radio frequency identification,简称RFID)是目前RFID发展的主流,但是传统的RFID幅度调制(amplitude shift keying,简称ASK)解调器在应对低调制深度的射频输入信号时难以实现精准解调.针对这种情况,该文基于GJB7377... 超高频射频识别技术(radio frequency identification,简称RFID)是目前RFID发展的主流,但是传统的RFID幅度调制(amplitude shift keying,简称ASK)解调器在应对低调制深度的射频输入信号时难以实现精准解调.针对这种情况,该文基于GJB7377.1B标准系统的超高频RFID ASK解调器,设计了一个由包络检测、低通滤波、放大器和比较器组成的低功耗、自适应抗噪ASK解调器.与传统的RFID ASK解调器相比,使用了迟滞放大器来实现低调制深度下的精准解调,使用了偏置电路来降低功耗,并使用了迟滞单元来抗噪.经过测试和验证,该RFID ASK解调器可以在2.31%的最小调制深度下解调信号,其功耗仅为421.63 nW,且在射频信号(radio frequency,简称RF)加入噪声的情况下也能实现精准解调. 展开更多
关键词 低调制深度 低功率 自适应抗噪 超高频射频识别技术
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融合AES算法和Hopfield ANN的网络数据加密传输技术
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作者 孟轩 昝风彪 刘昕 《电子设计工程》 2025年第4期174-178,共5页
为有效保障网络数据的传输安全性,提出融合AES算法和Hopfield ANN的网络数据加密传输技术。在AES算法下实现基于AES算法的数据密钥生成。设计Hopfield ANN网络架构,利用AES算法的数据密钥定义传输序列,标定目标传输位置,实现网络数据加... 为有效保障网络数据的传输安全性,提出融合AES算法和Hopfield ANN的网络数据加密传输技术。在AES算法下实现基于AES算法的数据密钥生成。设计Hopfield ANN网络架构,利用AES算法的数据密钥定义传输序列,标定目标传输位置,实现网络数据加密传输技术方法的设计。实验结果表明,经上述方法加密后再向外传输的数据只能得到目标主机的认证,其他开放主机对于该类传输数据始终保持非响应状态,有效控制计算机网络的运行风险,提高了数据传输安全性。 展开更多
关键词 AES算法 Hopfield ANN网络 网络数据 加密传输 字节代换
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Buck-Boost转换器总剂量辐射效应分析与抗辐射加固设计方法
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作者 郭仲杰 卢沪 +1 位作者 刘楠 吴龙胜 《北京航空航天大学学报》 北大核心 2025年第2期389-396,共8页
DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实... DC-DC转换器在总剂量辐射环境下会带来输出电压漂移、线性调整率与负载调整率下降等影响,使得电路的输出稳定性能变差。针对传统基于工艺与版图的抗总剂量辐射效应加固方法会带来成本较高、版图面积过大及普适性较差等问题,提出一种实时监测与自适应加固并行的抗总剂量辐射效应加固设计方法,可脱离工艺实现在电路级层面的总剂量辐射效应加固,提升了Buck-Boost转换器的抗总剂量辐射能力。基于0.18μm BCD工艺对所提方法进行具体电路设计与物理实现验证,结果表明:在剂量值为2000 Gy(Si)的条件下,可将系统增益的下降率从19.26%补偿至6.65%,输出电压漂移率从0.0663%改善至0.0074%,负载调整率和线性调整率分别降低2.15%/A和0.0389%/V,为电路与系统级的抗总剂量辐射效应加固设计提供了一种新方法。 展开更多
关键词 总剂量辐射效应 加固设计 Buck-Boost转换器 误差放大器 实时监测
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适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计
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作者 莫愁 王艳芳 +1 位作者 李嘉威 陆楠楠 《电子与封装》 2025年第1期29-34,共6页
自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电... 自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电压相差较大,影响器件寿命,低温时写电压与临界翻转电压接近,甚至可能低于临界翻转电压,导致写入困难。针对MTJ的临界翻转电压的负温度特性,设计了一款宽温区温度自适应的写电压产生电路,在-40~125℃下为MTJ提供稳定的写电压,实现宽温度范围尤其是低温下数据的正常写入,并提高了高温下器件的寿命。经过后仿真验证,该电路在-40~125℃温度范围内均能实现MTJ成功写入,且写入电压与临界翻转电压的差值在100 mV左右。 展开更多
关键词 自旋转移力矩随机磁存储器 磁隧道结 宽温区 温度自适应 写电压产生电路
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低功耗增量式Sigma-Delta ADC的设计
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作者 岳佳琪 李敬国 喻松林 《激光与红外》 北大核心 2025年第1期75-80,共6页
通过将模-数转换器(ADC)集成到红外焦平面读出电路中实现模拟信号的数字化以及基于数字信号的智能化的技术,是目前国际上最先进的红外焦平面数字化技术。作为数字化读出电路的核心组成部分,ADC的性能指标直接影响着整体电路性能。ADC的... 通过将模-数转换器(ADC)集成到红外焦平面读出电路中实现模拟信号的数字化以及基于数字信号的智能化的技术,是目前国际上最先进的红外焦平面数字化技术。作为数字化读出电路的核心组成部分,ADC的性能指标直接影响着整体电路性能。ADC的系统架构可以分为芯片级ADC,列级ADC和像素级ADC,列级ADC是目前在红外焦平面应用最广泛的结构。依据列级数字化读出电路对ADC的要求,本文设计了一种二阶前馈增量式Sigma-Delta ADC,采用1.8 V的电源电压,ADC转换速率为26kS/s,要实现14 bit的量化精度,单个ADC功耗小于100μW。采用CMOS工艺进行电路设计,仿真结果表明,所设计的增量式Sigma-Delta ADC能够满足系统设计指标。 展开更多
关键词 低功耗电路 列级ADC 增量式Sigma-Delta ADC
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面向商业航天卫星成本效益的三模冗余软错误防护技术:近似计算的实践 被引量:2
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作者 李炎 胡岳鸣 曾晓洋 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1604-1612,共9页
三模冗余(TMR)作为如今集成电路可靠性领域中最为常用且有效的软错误加固技术,在满足高容错要求之时,不可避免地牺牲了庞大的硬件损耗。为实现面积、功耗等硬件性能和容错电路加固能力的折中考虑,适应低成本高可靠性加固的时代需求,针... 三模冗余(TMR)作为如今集成电路可靠性领域中最为常用且有效的软错误加固技术,在满足高容错要求之时,不可避免地牺牲了庞大的硬件损耗。为实现面积、功耗等硬件性能和容错电路加固能力的折中考虑,适应低成本高可靠性加固的时代需求,针对基于近似计算的三模冗余加固技术(ATMR)进行研究,该文提出一种基于近似门单元(ApxLib)的动态调整多目标优化框架(ApxLib+DAMOO)。首先,其基本优化框架采用非支配排序遗传算法(NSGA-Ⅱ)实现,通过极性分析与预创建的近似库对电路实现快速近似。随后,该框架提出动态概率调整和极性扩张两种创新机制,根据可测性分析对遗传算法中门单元的突变概率进行动态更新,对双向门单元进行定向识别和重构,以实现寻优效率和寻优效果的双重优化。实验结果表明,该文提出的优化框架与传统NSGA-Ⅱ相比,在相同硬件损耗下可实现最大10%~20%的额外软错误率(SER)降低,且其执行时间平均降低18.7%。 展开更多
关键词 容软错误加固 三模冗余 近似计算 多目标优化
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面向边缘计算的可重构CNN协处理器研究与设计 被引量:1
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作者 李伟 陈億 +2 位作者 陈韬 南龙梅 杜怡然 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1499-1512,共14页
随着深度学习技术的发展,卷积神经网络模型的参数量和计算量急剧增加,极大提高了卷积神经网络算法在边缘侧设备的部署成本。因此,为了降低卷积神经网络算法在边缘侧设备上的部署难度,减小推理时延和能耗开销,该文提出一种面向边缘计算... 随着深度学习技术的发展,卷积神经网络模型的参数量和计算量急剧增加,极大提高了卷积神经网络算法在边缘侧设备的部署成本。因此,为了降低卷积神经网络算法在边缘侧设备上的部署难度,减小推理时延和能耗开销,该文提出一种面向边缘计算的可重构CNN协处理器结构。基于按通道处理的数据流模式,提出的两级分布式存储方案解决了片上大规模的数据搬移和重构运算时PE单元间的大量数据移动导致的功耗开销和性能下降的问题;为了避免加速阵列中复杂的数据互联网络传播机制,降低控制的复杂度,该文提出一种灵活的本地访存机制和基于地址转换的填充机制,使得协处理器能够灵活实现任意规格的常规卷积、深度可分离卷积、池化和全连接运算,提升了硬件架构的灵活性。本文提出的协处理器包含256个PE运算单元和176 kB的片上私有存储器,在55 nm TT Corner(25°C,1.2 V)的CMOS工艺下进行逻辑综合和布局布线,最高时钟频率能够达到328 MHz,实现面积为4.41 mm^(2)。在320 MHz的工作频率下,该协处理器峰值运算性能为163.8 GOPs,面积效率为37.14GOPs/mm^(2),完成LeNet-5和MobileNet网络的能效分别为210.7 GOPs/W和340.08 GOPs/W,能够满足边缘智能计算场景下的能效和性能需求。 展开更多
关键词 硬件加速 卷积神经网络 可重构 ASIC
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一种低功耗高稳定性的LDO设计 被引量:2
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作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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基于Amdahl定律的异构多核密码处理器能效模型研究
13
作者 李伟 郎俊豪 +1 位作者 陈韬 南龙梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期849-862,共14页
边缘计算安全的资源受限特征及各种新型密码技术的应用,对多核密码处理器的高能效、异构性提出需求,但当前尚缺乏相关的异构多核能效模型研究.本文基于扩展Amdahl定律,引入密码串并特征、异构多核结构、数据准备时间、动态电压频率调节... 边缘计算安全的资源受限特征及各种新型密码技术的应用,对多核密码处理器的高能效、异构性提出需求,但当前尚缺乏相关的异构多核能效模型研究.本文基于扩展Amdahl定律,引入密码串并特征、异构多核结构、数据准备时间、动态电压频率调节等因素,将核划分空闲、活跃状态,建立异构多核密码处理器的能效模型.MATLAB仿真结果表明,数据准备时间占比小于10%时,对能效的负面影响大幅下降;固定电压,频率缩放会影响能效值大小;处理器核空闲/活跃能耗比例越小,能效值越大.架构上,固定异构核,同构核数量与密码任务最大并行度相等时能效值最大,最佳异构核数可由模型变化参数仿真得到;多任务调度执行上,流水与并发执行有利于能效值的进一步提升.多核密码处理器芯片板级测试结果表明,仿真结果与实测数据相关系数接近1,芯片实测的数据准备时间、电压频率缩放等因素的影响与仿真分析基本一致,验证了所提能效模型的有效性.该文重点从影响能效变化趋势因素上,为多核密码处理器异构、高能效设计提供一定的理论分析基础与建议. 展开更多
关键词 密码处理器 多核处理器 异构 AMDAHL定律 能效模型
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用于SPAD阵列的高速主被动混和淬灭电路
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作者 郑丽霞 尤旺巧 +3 位作者 胡康 吴金 孙伟锋 周幸叶 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期78-85,共8页
单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)具有响应速度快、抗干扰能力强等优点,具备优异的单光子检测能力,因而在激光雷达、量子通信应用、荧光光谱分析等弱光探测领域得到了广泛应用。在单光子探测成像领域中,为了获得... 单光子雪崩二极管(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)具有响应速度快、抗干扰能力强等优点,具备优异的单光子检测能力,因而在激光雷达、量子通信应用、荧光光谱分析等弱光探测领域得到了广泛应用。在单光子探测成像领域中,为了获得更高的分辨率和更快的扫描探测速度,探测器正朝着大规模阵列化和高度集成化的方向发展,阵列应用要求淬灭电路较小的电路面积。基于盖革模式下SPAD的探测成像应用,建立了雪崩信号检测与淬灭的信号模型,并通过数学分析得到了混和淬灭电路中的最优检测电阻取值,在理论分析基础上对混合淬灭电路的结构和参数进行了设计与优化。根据建模分析结果,设计了一种主被动混合的高速淬灭电路结构,以较小的电路面积实现了雪崩信号快速检测与淬灭。基于TSMC 0.35μm CMOS工艺完成了电路版图的设计与流片。芯片测试结果表明,电路的淬灭时间约为2.9 ns,复位时间为1.75 ns。结合版图面积的占用情况,所设计的电路具有较高的“性价比”,可以满足SPAD阵列型读出电路的需求,具有快速雪崩淬灭和复位的特点。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 主被动混合淬灭 最优检测电阻 阵列应用
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器
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作者 张翼 戚骞 +4 位作者 张有涛 韩春林 王洋 张长春 郭宇锋 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2024年第3期42-47,共6页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。 展开更多
关键词 数模转换器 SiGe HBT 电流模逻辑 电流舵
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一种使用Flash阵列存储数据的方法研究
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作者 翟成瑞 林天鹏 张彦军 《电子设计工程》 2024年第7期42-46,共5页
在航空航天领域,随着飞行器性能的提升,研制过程中试验所需的数据存储量和数据存储速度也在不断提高。该文基于高速大容量数据存储的目的,利用FPGA的强大数据处理能力,进行Flash存储阵列及流水线管理的设计,并针对Flash阵列坏块检测和... 在航空航天领域,随着飞行器性能的提升,研制过程中试验所需的数据存储量和数据存储速度也在不断提高。该文基于高速大容量数据存储的目的,利用FPGA的强大数据处理能力,进行Flash存储阵列及流水线管理的设计,并针对Flash阵列坏块检测和突发坏块提出了对应处理方法。通过对不同组合方式的存储阵列速度及存储容量进行研究对比,得到了一种使用Flash阵列进行高速数据存储的设计方法。相较单片存储,设计的存储阵列数据存储容量和速度成倍增加,且存储阵列的有效块利用率在99%以上。 展开更多
关键词 存储阵列 流水线管理 坏块检测 RAM映射 FPGA
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存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法
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作者 刘必慰 熊琪 +1 位作者 杨茗 宋雨露 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期198-203,共6页
为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷... 为了提高片上缓存的速度、降低面积和功耗,提出了一种存储体编译和布局协同的片上缓存设计方法。该方法基于存储体在芯片上的不同空间位置预估该存储体的时序余量,分别采用拆分/合并、尺寸调整、阈值替换和长宽比变形等多种配置参数穷举组合进行存储体编译,根据时序余量选择最优的静态随机存取存储器存储体编译配置。将该方法与现有的物理设计步骤集成为一个完整的设计流程。实验结果表明,该方法能够降低约9.9%的功耗,同时缩短7.5%的关键路径延时。 展开更多
关键词 片上缓存 静态随机存取存储器 协同设计 低功耗
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一种基于三角数分解的可配置2-D卷积器优化方法
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作者 黄继业 肖强 +4 位作者 田大海 高明裕 王俊帆 董哲康 黄汐威 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期3054-3062,共9页
多尺寸2-D卷积通过特征提取在检测、分类等计算机视觉任务中发挥着重要作用。然而,目前缺少一种高效的可配置2-D卷积器设计方法,这限制了卷积神经网络(CNN)模型在边缘端的部署和应用。该文基于乘法管理以及奇平方数的三角数分解方法,提... 多尺寸2-D卷积通过特征提取在检测、分类等计算机视觉任务中发挥着重要作用。然而,目前缺少一种高效的可配置2-D卷积器设计方法,这限制了卷积神经网络(CNN)模型在边缘端的部署和应用。该文基于乘法管理以及奇平方数的三角数分解方法,提出一种高性能、高适应性的卷积核尺寸可配置的2-D卷积器。所提2-D卷积器包含一定数量的处理单元(PE)以及相应的控制单元,前者负责运算任务,后者负责管理乘法运算的组合,二者结合以实现不同尺寸的卷积。具体地,首先根据应用场景确定一个奇数列表,列表中为2-D卷积器所支持的尺寸,并利用三角数分解得到对应的三角数列表;其次,根据三角数列表和计算需求,确定PE的总数量;最后,基于以小凑大的方法,确定PE的互连方式,完成电路设计。该可配置2-D卷积器通过Verilog硬件描述语言(HDL)设计实现,由Vivado 2 022.2在XCZU7EG板卡上进行仿真和分析。实验结果表明,相比同类方法,该文所提可配置2-D卷积器,乘法资源利用率得到显著提升,由20%~50%提升至89%,并以514个逻辑单元实现1 500 MB/s的吞吐率,具有广泛的适用性。 展开更多
关键词 2-D卷积器 可配置架构 乘法管理 三角数分解
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太赫兹波化合物半导体材料研究进展
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作者 时翔 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1167-1180,共14页
继微波、毫米波技术之后,太赫兹(THz)波技术已被证实在下一代探测与通信领域具有重要的应用前景。作为微波、毫米波芯片衬底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,正逐渐成为太赫兹单片集成电路(TMIC)材料科学的研究热点。本文介绍了以砷... 继微波、毫米波技术之后,太赫兹(THz)波技术已被证实在下一代探测与通信领域具有重要的应用前景。作为微波、毫米波芯片衬底材料主流的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,正逐渐成为太赫兹单片集成电路(TMIC)材料科学的研究热点。本文介绍了以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体材料在TMIC制造领域的研究与应用进展,分析了国内外研究现状与未来发展趋势。 展开更多
关键词 太赫兹 化合物半导体 综述 集成电路 固态技术
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一种应用于12 bit SAR ADC C-R混和式DAC
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作者 谢海情 陈振华 +1 位作者 谷洪波 曹武 《电子设计工程》 2024年第12期113-117,共5页
针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟... 针对ADC中功耗、精度与成本之间相互制约的问题,提出一种应用于12 bitSARADC的混合电容电阻型(C-R)DAC结构。高6位采用温度计编码的电容阵列结构;低6位选择电阻阵列结构。对电路进行非线性分析选取合理的元件尺寸。另外,采用非交叠时钟电路作为开关控制时序,避免开关切换时引起瞬态毛刺导致电容电荷泄露。基于GSMC 95 nm工艺,完成电路、版图设计与仿真,并完成流片测试,DAC版图总面积为317.2μm×262.5μm,流片测试结果表明,DNL的范围为-0.38~+0.44 LSB,INL的范围为-0.73~+0.4 LSB,满足12位ADC的设计要求。 展开更多
关键词 数模转换器 逐次逼近型 电容电阻结构 温度计编码
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