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对单晶金刚石进行高温退火处理的研究进展
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作者 贾元波 满卫东 +4 位作者 伍正新 梁凯 范冰庆 付萍 赵洪阳 《广州化工》 2025年第2期7-9,19,共4页
单晶金刚石具有良好的物理化学性质,既可以被应用于磨削等传统行业也可适用于半导体、5G等新型领域,而工业制备的单晶金刚石会存在缺陷多、光学性质差和应力大等问题,高温退火是一种转化金刚石内部缺陷的常见方法,对单晶金刚石进行退火... 单晶金刚石具有良好的物理化学性质,既可以被应用于磨削等传统行业也可适用于半导体、5G等新型领域,而工业制备的单晶金刚石会存在缺陷多、光学性质差和应力大等问题,高温退火是一种转化金刚石内部缺陷的常见方法,对单晶金刚石进行退火处理是可以有效转变缺陷、降低单晶内应力和提高光学性质的,根据退火条件可以分为高温低压法和高温高压法,本文综述了高温退火对单晶金刚石性质的影响,并介绍了最近的相关研究进展。 展开更多
关键词 单晶金刚石 缺陷 高温低压退火 高温高压退火
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金刚石在富氧环境下的高效抛光及其材料去除机制研究 被引量:1
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作者 刘帅伟 关春龙 +3 位作者 鲁云祥 易剑 江南 西村一仁 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2094-2103,共10页
金刚石独特的性能使其成为声、光、电、热等领域非常理想的应用材料,但其极低的材料去除率导致其加工时间极长,如何在保证抛光质量的前提下提高抛光效率一直是金刚石加工领域的热门课题。本文对常规环境与富氧环境下用金刚石砂轮抛光多... 金刚石独特的性能使其成为声、光、电、热等领域非常理想的应用材料,但其极低的材料去除率导致其加工时间极长,如何在保证抛光质量的前提下提高抛光效率一直是金刚石加工领域的热门课题。本文对常规环境与富氧环境下用金刚石砂轮抛光多晶金刚石进行了对比实验,发现在富氧环境下材料的抛光去除率达2.29μm/h,是常规环境下抛光去除率0.25μm/h的9倍以上,且表面质量良好。原子力显微镜表征结果表明,在30μm×30μm的测量范围内,富氧环境下抛光后的金刚石表面粗糙度Sa可达2 nm以下,SEM和TEM观测未发现明显的结构损伤。此外,借助XPS分析了金刚石抛光加工过程中的材料去除机制,发现在抛光加工过程中,金刚石在机械作用下表面会发生从sp^(3)到sp^(2)结构的相变,形成的相变层在机械和氧气的作用下被去除。同时发现在富氧环境下,相变层可以更快地被去除,说明氧化在金刚石材料去除过程中扮演着更重要的角色。 展开更多
关键词 金刚石 抛光 富氧环境 材料去除率 去除机制 氧化
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原位热处理对碲锌镉晶体质量和性能的影响
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作者 王坤元 梁小燕 +1 位作者 闵嘉华 张继军 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第12期2079-2084,共6页
Te夹杂是碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体中的一种常见缺陷。本研究旨在通过改进移动加热器法(THM)生长CZT晶体的工艺参数和设计原位热处理方案,以减少晶体中Te夹杂的数量和尺寸,从而优化CZT晶体的质量和性能。综合考虑了晶体生长速度、生长温... Te夹杂是碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体中的一种常见缺陷。本研究旨在通过改进移动加热器法(THM)生长CZT晶体的工艺参数和设计原位热处理方案,以减少晶体中Te夹杂的数量和尺寸,从而优化CZT晶体的质量和性能。综合考虑了晶体生长速度、生长温度、富Te料的配比及温场之间的相互影响,对工艺参数进行了优化。研究基于Te在不同温度下的溶解度差异,选择800℃作为CZT晶体的生长温度,设计了高温溶解-低温脱溶的原位热处理方案,在860℃下进行长时间恒温退火,以最大限度地吸收Te夹杂,并采用快速降温以减小大尺寸Te夹杂的数量。结果显示,相较于未经过原位热处理的CZT晶体,经过原位热处理的CZT晶体大尺寸Te夹杂显著减少,小尺寸Te夹杂的浓度有所增加,杂质缺陷和Te间隙(Te_(i))减少,但Te反位(Te_(Cd)^(2+))浓度有所增加。电流-电压特性测试和能谱响应测试结果表明,经原位热处理的CZT晶体具有较高的电阻率和更优的能量分辨率。 展开更多
关键词 碲锌镉 移动加热器法 晶体生长 原位热处理 Te夹杂
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超精密磨削YAG晶体的脆塑转变临界深度预测
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作者 敖萌灿 黄金星 +3 位作者 曾毓贤 吴跃勤 康仁科 高尚 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期84-94,共11页
钇铝石榴石(YAG)晶体是制造固体激光器的重要材料,超精密磨削是加工YAG晶体等硬脆材料零件的重要方法,研究硬脆材料加工表面的微观变形、脆塑转变机理对超精密磨削加工具有重要的指导作用。为了实现YAG晶体低损伤磨削加工,获得高质量表... 钇铝石榴石(YAG)晶体是制造固体激光器的重要材料,超精密磨削是加工YAG晶体等硬脆材料零件的重要方法,研究硬脆材料加工表面的微观变形、脆塑转变机理对超精密磨削加工具有重要的指导作用。为了实现YAG晶体低损伤磨削加工,获得高质量表面,基于弹塑性接触理论和压痕断裂力学,通过分析单磨粒划擦作用下材料表面的变形过程,考虑材料的弹性回复、微观下力学性能的尺寸效应,建立了脆塑转变临界深度的预测模型,并计算得到YAG晶体的脆塑转变临界深度为66.7 nm。在此基础上,通过不同粒度砂轮超精密磨削YAG晶体试验对建立的脆塑转变临界深度预测模型进行验证,并计算不同粒度砂轮在相应工艺条件下的磨粒切深。结果表明,磨粒切深高于脆塑转变临界深度时,YAG晶体磨削表面材料以脆性方式被去除,磨削表面损伤严重;磨粒切深低于脆塑转变临界深度时,磨削表面材料以塑性方式被去除,能够获得高质量磨削表面,加工表面粗糙度达到1 nm。建立的脆塑转变临界深度预测模型能够为YAG晶体的低损伤超精密磨削加工提供理论指导。 展开更多
关键词 超精密磨削 YAG晶体 纳米压痕 纳米划痕 脆塑转变
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光伏单晶硅切割片断裂强度的仿真分析与实验研究
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作者 谭慧莹 邢旭 +1 位作者 葛培琪 毕文波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1369-1377,共9页
单晶硅被广泛应用于光伏行业,随着切片加工厚度的逐步减小和锯丝的细径化,切片过程中存在的黏附等现象导致单晶硅切割片发生弯曲甚至断裂,进而引起破片率的提高,对光伏太阳能电池的成本造成较大影响。本工作针对光伏单晶硅片切割加工过... 单晶硅被广泛应用于光伏行业,随着切片加工厚度的逐步减小和锯丝的细径化,切片过程中存在的黏附等现象导致单晶硅切割片发生弯曲甚至断裂,进而引起破片率的提高,对光伏太阳能电池的成本造成较大影响。本工作针对光伏单晶硅片切割加工过程,采用三轴弯曲实验,测量并分析硅片的断裂强度及相应的破片率,利用有限元方法建立硅切割片断裂强度的三维仿真分析模型。研究结果表明:硅切割片断裂强度分散性大,平均断裂强度为97.7 MPa;硅切割片的弯曲刚度随着厚度减小而降低,平均弯曲刚度为441.2 N/m,当厚度规格为60μm时,弯曲刚度最低,达103.5 N/m;硅切割片的破片率范围随着厚度的减小而增大,60μm厚度的切割片破片率范围最大,为0.6%~99.9%。仿真与实验结果基本一致,表明仿真模型及方法适用于光伏单晶硅切割片的断裂强度和破片率的模拟分析。 展开更多
关键词 光伏单晶硅 切割加工 断裂强度 有限元分析 厚度 破片率
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单晶SiC基片干式摩擦化学机械抛光初探
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作者 薛明普 肖文 +2 位作者 李宗唐 王占奎 苏建修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期101-108,共8页
针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、... 针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光载荷、固相氧化剂含量)对单晶SiC基片抛光效率和表面质量的影响规律。研究结果表明:金刚石磨粒更适合SiC的摩擦化学机械抛光;当磨粒粒径为W1,磨粒质量为4 g,抛光盘转速为70r/min,抛光载荷为20.685 k Pa,固相氧化剂过碳酸钠添加量为10g时,其为最优工艺参数。采用最优工艺参数对表面粗糙度约为20nm的单晶6H-SiC基片进行干式抛光加工,最终获得表面粗糙度R_(a)为3.214 nm。DTCMP方法抛光SiC基片比水基抛光法热量损失少,所产生的界面温度更高,反应所需的活化能更低,可以实现SiC基片的绿色、高效和高质量抛光。 展开更多
关键词 SiC基片 干式摩擦化学机械抛光 材料去除率 表面粗糙度
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结构化砂轮磨削蓝宝石微沟槽底面质量的研究
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作者 周飞 许金凯 +1 位作者 张文通 于化东 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期20-26,共7页
针对蓝宝石这类超硬材料表面微结构难加工的问题,提出一种基于结构化砂轮的磨削表面微结构方法.采用电火花线切割(Wire Electrical Discharge Machining,WEDM)技术对砂轮表面进行结构化修整,利用修整后的结构化砂轮磨削蓝宝石表面微结构... 针对蓝宝石这类超硬材料表面微结构难加工的问题,提出一种基于结构化砂轮的磨削表面微结构方法.采用电火花线切割(Wire Electrical Discharge Machining,WEDM)技术对砂轮表面进行结构化修整,利用修整后的结构化砂轮磨削蓝宝石表面微结构,研究顺磨和逆磨方式下,结构化砂轮磨削速度、磨削深度和进给速度对蓝宝石微沟槽底部表面粗糙度的影响规律.研究结果表明,结构化砂轮磨削蓝宝石表面微沟槽形貌基本完整,且相对120µm的加工深度,尺寸误差仅为1.4µm,微沟槽的垂直度较好,垂直度偏差仅为4.9°;顺、逆磨方式下,随着磨削速度增大,磨削深度和进给速度减小,都可以减小蓝宝石微沟槽底部表面粗糙度;相较于逆磨方式,顺磨方式下微沟槽底面微坑较小,底面质量更优;在较优加工参数砂轮磨削速度35m/s、磨削深度1µm、工件进给速度200mm/min下,表面粗糙度从4.487µm降低至2.923µm. 展开更多
关键词 蓝宝石 磨削 表面粗糙度 结构化砂轮 磨削方式 微沟槽
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气囊抛光蓝宝石弧面研究分析
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作者 付振峰 王振忠 +2 位作者 黄雪鹏 申冰怡 刘祖辉 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2024年第15期94-101,119,共9页
随着国防军工和LED产业发展,对蓝宝石衬底的需求和形状复杂度的要求逐步提升。蓝宝石传统抛光方式如化学机械抛光存在效率低、曲面加工效果不佳等问题,而气囊抛光作为快速抛光方式之一,适用于各种曲面的抛光,故将气囊抛光技术应用于蓝... 随着国防军工和LED产业发展,对蓝宝石衬底的需求和形状复杂度的要求逐步提升。蓝宝石传统抛光方式如化学机械抛光存在效率低、曲面加工效果不佳等问题,而气囊抛光作为快速抛光方式之一,适用于各种曲面的抛光,故将气囊抛光技术应用于蓝宝石弧面抛光。首先基于机器人平台建立抛光运动模型,随后通过单因素试验和正交试验得到较优工艺参数,最后在较优工艺参数下进行整弧面抛光并探究抛光时间对蓝宝石表面质量的影响。结果表明,抛光时间为8 min时,工件弧面表面粗糙度Ra从541.5 nm下降至41.2 nm并成功保形,验证了气囊抛光蓝宝石弧面的工艺可行性。 展开更多
关键词 蓝宝石 气囊抛光 弧面 快速抛光 正交试验
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Etching of quartz crystals in liquid phase environment:A review
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作者 Yide Dong Yike Zhou +5 位作者 Haizhou Huang Bosong Zhang Xihan Li Kaiwen Chen Litao Sun Guangbin Dou 《Nanotechnology and Precision Engineering》 EI CAS CSCD 2024年第2期87-109,共23页
Quartz crystals are the most widely used material in resonant sensors,owing to their excellent piezoelectric and mechanical properties.With the development of portable and wearable devices,higher processing efficiency... Quartz crystals are the most widely used material in resonant sensors,owing to their excellent piezoelectric and mechanical properties.With the development of portable and wearable devices,higher processing efficiency and geometrical precision are required.Wet etching has been proven to be the most efficient etching method for large-scale production of quartz devices,and many wet etching approaches have been developed over the years.However,until now,there has been no systematic review of quartz crystal etching in liquid phase environments.Therefore,this article provides a comprehensive review of the development of wet etching processes and the achievements of the latest research in thisfield,covering conventional wet etching,additive etching,laser-induced backside wet etching,electrochemical etching,and electrochemical discharge machining.For each technique,a brief overview of its characteristics is provided,associated problems are described,and possible solutions are discussed.This review should provide an essential reference and guidance for the future development of processing strategies for the manufacture of quartz crystal devices. 展开更多
关键词 Quartz crystal Materials processing Wet etching MICROFABRICATION Quartz MEMS
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金刚石化学机械抛光研究进展
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作者 安康 许光宇 +7 位作者 吴海平 张亚琛 张永康 李利军 李鸿 张旭芳 刘峰斌 李成明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1675-1687,共13页
金刚石以优异的性能在力学、光学、热学和电子学(如半导体)等领域发挥着重要作用。然而,金刚石表面质量会影响其在这些领域的应用效果,因此通过高效抛光技术获得高质量表面一直是金刚石研究的重点内容。金刚石抛光技术主要有机械抛光、... 金刚石以优异的性能在力学、光学、热学和电子学(如半导体)等领域发挥着重要作用。然而,金刚石表面质量会影响其在这些领域的应用效果,因此通过高效抛光技术获得高质量表面一直是金刚石研究的重点内容。金刚石抛光技术主要有机械抛光、热化学抛光、激光抛光和化学机械抛光等,其中化学机械抛光(CMP)具有设备运行成本低、工艺简单、抛光后表面损伤小等优点。本文在对上述几种抛光方法进行分析对比的基础上,聚焦于CMP领域,对其发展历程进行了较详尽的对比与分析。早期CMP技术虽在工艺和抛光效率上存在一定局限,但为后续技术的创新与优化奠定了基础;H_(2)O_(2)及其混合物的应用,不仅增强了CMP过程中的化学反应活性,提高了材料去除率,还有效降低了表面粗糙度,改善了金刚石表面质量;光催化辅助化学机械抛光可使金刚石达到高表面质量,但设备相对复杂,无法满足大规模生产的需求,需要进一步研究和优化。此外,本文还对化学机械抛光的未来发展进行了预测,为相关领域研究人员提供参考。 展开更多
关键词 金刚石 化学机械抛光 表面粗糙度 抛光液 去除机理
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KDP晶体加工表面的亚表面损伤检测与分析 被引量:31
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作者 吴东江 曹先锁 +3 位作者 王强国 王奔 高航 康仁科 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1721-1726,共6页
采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损... 采用截面显微法和择优蚀刻法分别对磷酸二氢钾(KDP)晶体从线切割样品制备到磨削、抛光亚表面损伤进行检测,利用OLYMPUS MX40光学显微镜对表面腐蚀现象与亚表面裂纹形状进行观测,并对裂纹深度进行测量。结果表明,由线切割产生的亚表面损伤裂纹形状以"斜线状"为主,裂纹深度最大值为85.59μm;由#600砂轮磨削产生的亚表面损伤深度最大值为8.55μm。在(001)晶面出现了四方形的分布密度较高的位错腐蚀坑;而在三倍频晶面上出现的是密度较低、形状类似梯形的位错腐蚀坑。该研究为KDP晶体亚表面损伤提供了一种检测与分析手段。 展开更多
关键词 KDP晶体 损伤检测 裂纹形状 裂纹深度
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固结磨料研磨蓝宝石单晶过程中研磨液的作用 被引量:24
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作者 王建彬 朱永伟 +2 位作者 谢春祥 徐俊 居志兰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3004-3011,共8页
开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝... 开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝石单晶,研磨液仅为去离子水时,材料去除率(MRR)为149.8nm/min、表面粗糙度(Ra)为76.2nm;而研磨液中加入2%的乙二醇后,相应的MRR为224.1nm/min,Ra为50.7nm。用光电子能谱仪(XPS)分析了工件表面,结果表明含有乙二醇的研磨液能够增加蓝宝石工件表面的活性。得到的结果显示:在溶液中加入乙二醇有利于表面软化层的生成并增加蓝宝石表面的活性,说明研磨液对蓝宝石单晶研磨效率的提升和表面质量的改善具有促进作用。 展开更多
关键词 固结磨料 研磨液 乙二醇 蓝宝石晶片
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单晶硅反射镜的超精密磨削工艺 被引量:13
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作者 王紫光 康仁科 +2 位作者 周平 高尚 董志刚 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1087-1095,共9页
为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究... 为了实现单晶硅反射镜高效低损伤的超精密加工,研究了基于工件旋转法磨削原理的单晶硅反射镜超精密磨削工艺。通过形貌检测和成份测试的方法分析了该工艺采用的超细粒度金刚石砂轮的组织结构特征,并对单晶硅进行了超精密磨削试验,研究了超细粒度金刚石砂轮的磨削性能。通过砂轮主轴角度与工件面形之间的数学关系实现对磨削工件面形的控制。最后,采用超细粒度金刚石砂轮对Φ100mm×5mm的单晶硅反射镜进行了超精密磨削试验验证。试验结果表明,超细粒度金刚石砂轮磨削后的单晶硅表面粗糙度Ra值小于10nm,亚表面损伤深度小于100nm,磨削后的单晶硅反射镜面形PV值从初始的8.1μm减小到1.5μm。由此说明采用该工艺磨削单晶硅反射镜能够高效地获得低损伤表面和高精度面形。 展开更多
关键词 单晶硅反射镜 工件旋转法磨削 表面/亚表面损伤 面形控制 超细粒度金刚石砂轮
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LaB_(6)阴极的制备、应用与展望
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作者 徐跃凡 茹亚东 +6 位作者 左婷婷 伍岳 王鹏飞 刘俊标 高召顺 韩立 肖立业 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期240-250,共11页
六硼化镧(LaB_(6))阴极作为一种优异的热发射电子源,应用领域广泛,是高端电子束仪器及设备的关键元器件。本文系统介绍了LaB_(6)材料的制备和加工方法、阴极常见的装卡方式,总结了其在各领域应用现状,并对其发展前景进行了展望。
关键词 LaB_(6) 单晶 阴极器件 电子束设备
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SiC单晶片的超精密加工 被引量:21
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作者 李娟 陈秀芳 +8 位作者 马德营 姜守振 李现祥 王丽 董捷 胡小波 徐现刚 王继扬 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期70-72,共3页
半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度<5nm,且应力较小。
关键词 化学机械抛光 粗糙度 平整度
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蓝宝石晶体的双面研磨加工 被引量:18
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作者 文东辉 洪滔 +1 位作者 张克华 鲁聪达 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2493-2498,共6页
为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规... 为了实现对蓝宝石晶体的高效低损伤研磨加工,对蓝宝石晶体的双面研磨加工表面粗糙度、研磨均匀性和亚表面损伤层的深度进行实验研究。采用280#碳化硼磨粒双面研磨(0001)面蓝宝石晶体,考察了研磨时间对材料去除速率、表面粗糙度的作用规律,根据蓝宝石晶体切割表面状态确定了双面研磨的加工余量;通过WYKO粗糙度仪从微观上分析了蓝宝石晶体表面的研磨均匀性;最后,应用纳米压入测试分析了亚表面损伤层的深度。实验结果表明:蓝宝石晶体经过120 min的双面研磨加工后可以获得Ra为0.523μm,Rt<6.0μm的表面;其深度损伤层约为460 nm,亚表面损伤层<1μm。 展开更多
关键词 蓝宝石晶体 双面研磨 均匀性 亚表层损伤
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微波辐射法快速合成CaMoO_4:Eu^(3+)红色荧光粉及其性质研究 被引量:12
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作者 翟永清 王莉莉 +2 位作者 陈娟 李蕊 马玉柱 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1216-1220,共5页
以二氧化锰为微波吸收剂,采用微波辐射法成功合成了CaMoO4∶Eu3+红色发光材料。用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计分别对样品的物相结构、形貌和发光性质进行了分析和表征。结果表明:所合成的CaMoO4∶Eu3+晶体结构与Ca... 以二氧化锰为微波吸收剂,采用微波辐射法成功合成了CaMoO4∶Eu3+红色发光材料。用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计分别对样品的物相结构、形貌和发光性质进行了分析和表征。结果表明:所合成的CaMoO4∶Eu3+晶体结构与CaMoO4相似,属四方晶系结构;样品大颗粒呈立方形,尺寸约4~8μm,是由200~300nm的类球形颗粒组装而成。样品的激发光谱由位于200~350 nm的一个宽带和350~500 nm的一系列尖峰组成,最大激发峰位于305 nm处;发射光谱由位于550~750 nm的一系列尖峰组成,最强的发射峰位于617 nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。当反应时间为40 min,微波功率为中高火,电荷补偿剂Li+的掺杂量为8mol%时,样品的发光强度最大,约为未掺杂电荷补偿剂样品的4倍。 展开更多
关键词 微波辐射法 CaMoO4∶Eu3+ 红色荧光粉 发光
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声表面波器件用Y36°切LiTaO_3晶片表面加工研究 被引量:14
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作者 夏宗仁 李春忠 崔坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期419-421,共3页
采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2~ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光... 采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2~ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光法 ,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3 展开更多
关键词 LITAO3晶体 损伤层 Beiliby层 声表面波器件 锂酸锂晶片 表面加工 终端机
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A型禽流感病毒NS1蛋白的表达及其诱导细胞凋亡功能的研究 被引量:5
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作者 孙进华 马波 +2 位作者 于志丹 霍慧 王君伟 《中国兽医科学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期287-292,共6页
利用瞬时表达方法表达禽流感病毒(AIV)NS1蛋白,并初步研究了体外表达的NS1蛋白对宿主细胞凋亡的影响。应用脂质体介导法,将含有不同亚型AIV NS1基因的阳性质粒pcDNA3.1(+)-qNS1(H5N1)、pcDNA3.1(+)-rNS1(H9N2)转染Vero细胞系及MDCK细胞... 利用瞬时表达方法表达禽流感病毒(AIV)NS1蛋白,并初步研究了体外表达的NS1蛋白对宿主细胞凋亡的影响。应用脂质体介导法,将含有不同亚型AIV NS1基因的阳性质粒pcDNA3.1(+)-qNS1(H5N1)、pcDNA3.1(+)-rNS1(H9N2)转染Vero细胞系及MDCK细胞系。经SDS-PAGE及Western-blotting检测,qNS1和rNS1基因在Vero细胞及MDCK细胞中均获得了表达。应用AO/EB荧光染色法、Annexin V-PI法分别对转染后的Vero细胞及MDCK细胞进行细胞凋亡检测,结果显示,转染阳性质粒的MDCK细胞凋亡率增高,而转染空载体pcDNA3.1(+)的MDCK细胞及转染的Vero细胞均无明显变化。表明,qNS1、rNS1蛋白在体外培养的MDCK细胞中表达并能够诱导其发生凋亡,而在Vero细胞中却不能发挥此功能。 展开更多
关键词 禽流感病毒 NS1蛋白 MDCK细胞 VERO细胞 真核表达 细胞凋亡
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工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤分布 被引量:9
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作者 高尚 康仁科 +1 位作者 董志刚 郭东明 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期88-94,共7页
集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因... 集成电路制造过程中,基于工件旋转磨削原理的超精密磨削技术是硅片平整化加工和图形硅片背面减薄的重要加工方法,但磨削加工不可避免会在硅片的表面/亚表面产生损伤,研究磨削硅片的亚表面损伤分布对于分析硅片发生弯曲或翘曲变形的原因,确定后续工艺的材料去除厚度都具有重要的指导意义。采用角度截面显微观测法研究工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度沿晶向和径向的变化规律及光磨对磨削硅片的亚表面损伤分布的影响。结果表明,无光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面分布不均匀,亚表面损伤深度沿周向在<110>晶向处大于<100>晶向,沿径向从中心到边缘逐渐增大;光磨条件下磨削硅片的亚表面损伤深度在整个硅片表面几乎是均匀的,且光磨后的硅片亚表面损伤深度明显小于无光磨条件下硅片亚表面损伤深度。 展开更多
关键词 硅片 磨削 亚表面损伤 金刚石砂轮
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