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First‑principles study on electronic structure,optical and magnetic properties of rare earth elements X(X=Sc,Y,La,Ce,Eu)doped with two‑dimensional GaSe
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作者 QIU Shenhao XIAO Qingquan +1 位作者 tang huazhu XIE Quan 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第11期2250-2258,共9页
The electronic structure,magnetic,and optical properties of two-dimensional(2D)GaSe doped with rare earth elements X(X=Sc,Y,La,Ce,Eu)were calculated using the first-principles plane wave method based on den-sity funct... The electronic structure,magnetic,and optical properties of two-dimensional(2D)GaSe doped with rare earth elements X(X=Sc,Y,La,Ce,Eu)were calculated using the first-principles plane wave method based on den-sity functional theory.The results show that intrinsic 2D GaSe is a p-type nonmagnetic semiconductor with an indi-rect bandgap of 2.6611 eV.The spin-up and spin-down channels of Sc-,Y-,and La-doped 2D GaSe are symmetric,they are non-magnetic semiconductors.The magnetic moments of Ce-and Eu-doped 2D GaSe are 0.908μ_(B)and 7.163μ_(B),which are magnetic semiconductors.Impurity energy levels appear in both spin-up and spin-down chan-nels of Eu-doped 2D GaSe,which enhances the probability of electron transition.Compared with intrinsic 2D GaSe,the static dielectric constant of the doped 2D GaSe increases,and the polarization ability is strengthened.The ab-sorption spectrum of the doped 2D GaSe shifts in the low-energy direction,and the red-shift phenomenon occurs,which extends the absorption spectral range.The optical reflection coefficient of the doped 2D GaSe is improved in the low energy region,and the improvement of Eu-doped 2D GaSe is the most obvious. 展开更多
关键词 first principle two-dimensional GaSe electronic structure magnetic property optical property
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以Spiro-OMeTAD作为空穴传输层的ZnS/SnS太阳能电池模拟研究
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作者 唐华著 肖清泉 +1 位作者 付莎莎 谢泉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1394-1408,共15页
硫化亚锡(SnS)因其合适的电学和光学特性而被作为太阳能电池的吸收层进行研究。Spiro-OMeTAD常用作空穴传输层以提高太阳能电池性能。本文采用wxAMPS软件对SnS基太阳能电池ZnS/SnS/Spiro-OMeTAD进行模拟研究。主要研究分析Spiro-OMeTAD... 硫化亚锡(SnS)因其合适的电学和光学特性而被作为太阳能电池的吸收层进行研究。Spiro-OMeTAD常用作空穴传输层以提高太阳能电池性能。本文采用wxAMPS软件对SnS基太阳能电池ZnS/SnS/Spiro-OMeTAD进行模拟研究。主要研究分析Spiro-OMeTAD空穴传输层对太阳能电池性能的影响,其中包括:开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率及量子效率。研究结果表明:在加入Spiro-OMeTAD空穴传输层后,ZnS/SnS/Spiro-OMeTAD太阳能电池的开路电压(V_(OC))增加至0.958 V,短路电流(J_(SC))增加到32.96 mA/cm^(2),填充因子(FF)和光电转换效率(PCE)分别达到了79.26%和25.07%,电池性能取决于电池各层厚度、掺杂浓度、缺陷态密度及工作温度。通过研究表明Spiro-OMeTAD作为空穴传输层,有利于提高太阳能电池的各性能,并且ZnS/SnS/Spiro-OMeTAD是一种十分具有发展潜力的光伏器件结构。 展开更多
关键词 硫化亚锡 硫化锌 Spiro-OMeTAD 空穴传输层 异质结太阳能电池 wxAMPS 缺陷
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不同掺杂浓度Lu掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究
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作者 付莎莎 肖清泉 +4 位作者 唐华著 姚云美 邹梦真 叶建峰 谢泉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期182-190,共9页
采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征GaN和不同Lu掺杂浓度(原子数分数)Ga1-xLuxN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25)体系的电子结构和光学性质,研究了掺杂浓度为12.5%和18.75%时相同掺杂量下不同空间有序占位体... 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征GaN和不同Lu掺杂浓度(原子数分数)Ga1-xLuxN(x=0.0625、0.125、0.1875、0.25)体系的电子结构和光学性质,研究了掺杂浓度为12.5%和18.75%时相同掺杂量下不同空间有序占位体系结构的稳定性。计算结果表明:掺杂后体系晶格参数均有所增大,Lu的掺入诱导了浅能级杂质,使掺杂后体系带隙较本征带隙(3.40 eV)小;与本征GaN相比,掺杂体系的静介电常数均增加,当掺杂浓度为25%时,静介电常数增大为5.42,介电函数虚部和吸收谱往低能方向移动,发生了红移现象,吸收光谱范围增大,最终GaN的光催化性能得到提升。 展开更多
关键词 材料 氮化镓 替位掺杂 电子结构 光学性质
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Ga_(1-x)Ti_(x)Sb(x=0.25,0.50,0.75)电学、磁学及光学性质的第一性原理研究 被引量:1
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作者 姚云美 肖清泉 +4 位作者 付莎莎 邹梦真 唐华著 张瑞亮 谢泉 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期3571-3580,共10页
直接带隙半导体锑化镓(GaSb)凭借其优异的性能在光纤通信、光电器件等领域具有应用价值。为了拓展GaSb在光电器件中应用及探索新的自旋电子学材料,采用第一性原理计算了不同Ti掺杂浓度的GaSb(Ga_(1-x)Ti_(x)Sb,其中x为Ti原子的掺杂原子... 直接带隙半导体锑化镓(GaSb)凭借其优异的性能在光纤通信、光电器件等领域具有应用价值。为了拓展GaSb在光电器件中应用及探索新的自旋电子学材料,采用第一性原理计算了不同Ti掺杂浓度的GaSb(Ga_(1-x)Ti_(x)Sb,其中x为Ti原子的掺杂原子分数)的电学、磁学及光学性质。计算结果表明:Ga_(1-x)Ti_(x)Sb的能带结构和态密度在费米能级附近产生自旋劈裂并形成净磁矩,使Ga_(1-x)Ti_(x)Sb(x=0.25,0.50,0.75)分别表现为半金属铁磁体、稀磁半导体、磁性金属。Ga_(1-x)Ti_(x)Sb优化后晶格常数变大。Ga_(1-x)Ti_(x)Sb的折射率、反射率、吸收系数发生红移且在中远红外波段光吸收系数高于GaSb;Ga_(1-x)Ti_(x)Sb随着Ti掺杂浓度的增加对中远红外波段光子的吸收效果变得更好。计算结果为拓展GaSb基半导体材料在红外探测器、红外半导体激光器等领域的应用以及新的自旋电子学材料的发现提供理论参考。 展开更多
关键词 第一性原理 GASB Ti掺杂 电子结构 磁学性质 光学性质
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