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XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
被引量：
3
1
作者
王金忠
闫玮
+9 位作者
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
r.p.h.chang
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期169-172,共4页
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮...
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。
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关键词
等离子体MOCVD
X射线衍射
氧化锌薄膜
退火工艺
生长条件
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职称材料
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
2
作者
赵永生
杜国同
+8 位作者
韩伟华
付艳萍
李雪梅
宋俊峰
姜秀英
高鼎三
Gregory Devane
Kathleen A.Stair
r.p.h.chang
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
1998年第4期488-492,共5页
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器...
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
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关键词
超辐射发光管
锥形光放大器
单片集成
半导体
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职称材料
紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质
被引量：
3
3
作者
金艳波
章蓓
+7 位作者
王永忠
陈 晶
张会珍
曹昌其
杨述明
黄春辉
H.Cao
r.p.h.chang
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期45-48,共4页
利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比Ｚ...
利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ＺｎＯ粉末有所减小,并更具择优取向的趋势．室温下光致发光测量给出,ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜在小于３８０ｎｍ的紫外波段出现较强的半宽小于２０ｎｍ的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ＺｎＯ粉末有明显改善,表明这种ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜具有优良的紫外发光特性．
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关键词
宽禁带半导体薄膜
II-VI族氧化物半导体
MgxZn1-xO
X射线衍射
光致发光.
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职称材料
AlGaAs短波长超辐射集成光源
4
作者
赵永生
孙中哲
+7 位作者
李雪梅
宋俊峰
王之岭
姜秀英
杜国同
GregoryDevane
KathleenA.Stair
r.p.h.chang
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期789-792,共4页
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷ...
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。
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关键词
超幅射器件
半导体光放大器
集成光源
铝镓砷
原文传递
题名
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
被引量：
3
1
作者
王金忠
闫玮
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
r.p.h.chang
机构
吉林大学电子工程系
美国西北大学材料研究中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期169-172,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目! (6 9896 2 6 0
5 9910 16 1983)
吉林省科学基金资助项目! (19990 5 18- 1)
文摘
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。
关键词
等离子体MOCVD
X射线衍射
氧化锌薄膜
退火工艺
生长条件
Keywords
plasma-assisted MOCVD
XRD
sapphire
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
2
作者
赵永生
杜国同
韩伟华
付艳萍
李雪梅
宋俊峰
姜秀英
高鼎三
Gregory Devane
Kathleen A.Stair
r.p.h.chang
机构
吉林大学电子工程系及集成光电子学国家重点实验室
Northwestern University
出处
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
1998年第4期488-492,共5页
基金
国家自然科学基金(批准号:69577008)
文摘
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
关键词
超辐射发光管
锥形光放大器
单片集成
半导体
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
TN201 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质
被引量：
3
3
作者
金艳波
章蓓
王永忠
陈 晶
张会珍
曹昌其
杨述明
黄春辉
H.Cao
r.p.h.chang
机构
北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心介观物理国家重点实验室
北京大学化学学院和稀土材料和应用国家重点实验室
University
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第z1期45-48,共4页
基金
国家自然科学基金(批准号69896260
60077022)资助项目
文摘
利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研究显示,薄膜由ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ＺｎＯ粉末有所减小,并更具择优取向的趋势．室温下光致发光测量给出,ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜在小于３８０ｎｍ的紫外波段出现较强的半宽小于２０ｎｍ的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ＺｎＯ粉末有明显改善,表明这种ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜具有优良的紫外发光特性．
关键词
宽禁带半导体薄膜
II-VI族氧化物半导体
MgxZn1-xO
X射线衍射
光致发光.
Keywords
wide band-gap semiconductor thin films, Ⅱ-Ⅵ oxide semiconductors, MgxZn1 -x ,O, X-ray diffraction, pho-toluminescence.
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
AlGaAs短波长超辐射集成光源
4
作者
赵永生
孙中哲
李雪梅
宋俊峰
王之岭
姜秀英
杜国同
GregoryDevane
KathleenA.Stair
r.p.h.chang
机构
吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期789-792,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。
关键词
超幅射器件
半导体光放大器
集成光源
铝镓砷
分类号
TN203 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化
王金忠
闫玮
王新强
殷景志
姜秀英
杨树人
杜国同
高鼎三
Xiang Liu
Hui Cao
Junying Xu
r.p.h.chang
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2001
3
在线阅读
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职称材料
2
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
赵永生
杜国同
韩伟华
付艳萍
李雪梅
宋俊峰
姜秀英
高鼎三
Gregory Devane
Kathleen A.Stair
r.p.h.chang
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》
1998
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质
金艳波
章蓓
王永忠
陈 晶
张会珍
曹昌其
杨述明
黄春辉
H.Cao
r.p.h.chang
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
AlGaAs短波长超辐射集成光源
赵永生
孙中哲
李雪梅
宋俊峰
王之岭
姜秀英
杜国同
GregoryDevane
KathleenA.Stair
r.p.h.chang
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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