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深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应
1
作者
k.konrad young
宋湘云
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期92-95,共4页
用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大的影响,减薄硅膜的厚度就可以大大地削弱短沟道效应。
关键词
SOI
MOSFET
短沟道效应
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职称材料
题名
深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应
1
作者
k.konrad young
宋湘云
机构
麻省理工学院林肯实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1989年第5期92-95,共4页
文摘
用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大的影响,减薄硅膜的厚度就可以大大地削弱短沟道效应。
关键词
SOI
MOSFET
短沟道效应
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应
k.konrad young
宋湘云
《微电子学》
CAS
CSCD
1989
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