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基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
被引量：
2
1
作者
赵阳
Parke Stephen
burke franklyn
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期841-844,共4页
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL...
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .
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关键词
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
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职称材料
题名
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
被引量：
2
1
作者
赵阳
Parke Stephen
burke franklyn
机构
南京师范大学电气与电子工程学院
美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期841-844,共4页
基金
江苏省自然科学基金(No.BK2003099)
教育部留学回国人员科研启动基金(No.教外司[2003]406)
部分受美国国家自然科学基金(No.EPS9977454)
文摘
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .
关键词
MOSFET器件
建模与特征提取
短沟道效应
BSIM模型
Keywords
Computer simulation
Integrating circuits
Mathematical models
Parameter estimation
Test facilities
Threshold voltage
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究
赵阳
Parke Stephen
burke franklyn
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
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