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层状Ti_(3)C_(2)T_(x)层间距调控及其电容性质研究
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作者 邓玲娟 袁荣华 +4 位作者 胡颖茹 高樊季洁 邓旭欢 王磊 王嘉怡 《咸阳师范学院学报》 2025年第2期26-31,共6页
层状Ti_(3)C_(2)T_(x)以其卓越的导电性、良好的亲水性以及可调节的表面特性,在能源存储领域备受关注。借助刻蚀和离子交换技术制备了4种具有不同层间距的阳离子插层Ti_(3)C_(2)T_(x)材料(H^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)、K^(+)-Ti_(3)C_(2)T_... 层状Ti_(3)C_(2)T_(x)以其卓越的导电性、良好的亲水性以及可调节的表面特性,在能源存储领域备受关注。借助刻蚀和离子交换技术制备了4种具有不同层间距的阳离子插层Ti_(3)C_(2)T_(x)材料(H^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)、K^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)、NH_(4)^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)和TMA^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)),利用XRD、SEM和XPS表征了材料的结构与形貌,通过三电极体系对制备材料电容性质进行了详细研究。研究结果表明层间距越大,层状Ti_(3)C_(2)T_(x)材料的电容性质越优异,其中TMA^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)材料在0.5MH_(2)SO_(4)电解质中,当比电流为1A·g^(-1)时,比容量高达265 F·g^(-1),远远高于前驱体H^(+)-Ti_(3)C_(2)T_(x)的比容量(106 F·g^(-1)),且显示出优异的倍率性质。该工作为提升基于MXene材料的电容性能提供了一种有效的策略。 展开更多
关键词 Ti_3C_2T_x MXene 层间距 电容性质
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