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石墨烯-金纳米材料修饰电极用于L-酪氨酸的检测
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作者 马勤政 王伟 梁旭婷 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期10-18,共9页
采用一种绿色简单的电化学方法将还原氧化石墨烯-金纳米复合薄膜共沉积到玻碳电极(GCE)上,作为传感器用于L-酪氨酸(L-Tyr)的检测.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对修饰电极进行了表征.采用差分脉冲伏安法(... 采用一种绿色简单的电化学方法将还原氧化石墨烯-金纳米复合薄膜共沉积到玻碳电极(GCE)上,作为传感器用于L-酪氨酸(L-Tyr)的检测.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)和电化学阻抗谱(EIS)对修饰电极进行了表征.采用差分脉冲伏安法(DPV)研究了0.1 mol/L磷酸盐缓冲溶液中L-Tyr在修饰电极上的电化学行为,发现L-Tyr在修饰电极上的伏安响应比裸GCE明显提高.对复合薄膜的厚度、支撑电解质的p H值、沉积电位和积累时间进行了优化;在最佳实验条件下, L-Tyr的氧化峰电流在0.1~50μmol/L及50~1000μmol/L浓度范围内呈现良好的线性关系.该传感器的检出限为50 nmol/L,灵敏度为0.553μA·μmol·L^(-1),具有良好的重复性、稳定性和抗干扰性. 展开更多
关键词 电化学 还原氧化石墨烯 金纳米粒子 共沉积 L-Tyr传感器
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基于Kubernetes的列控系统测试容器云平台设计 被引量：1
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作者 马勤政 徐中伟 梅萌 《计算机技术与发展》 2021年第6期52-58,共7页
为降低列控系统测试软件的研发运维成本,提升列控系统测试平台的测试效率与自动化水平,提出了基于Kubernetes集群技术的容器云平台的功能与架构设计,同时对容器云平台上的研发与测试流程进行了说明与规范。根据列控系统测试平台的功能特... 为降低列控系统测试软件的研发运维成本,提升列控系统测试平台的测试效率与自动化水平,提出了基于Kubernetes集群技术的容器云平台的功能与架构设计,同时对容器云平台上的研发与测试流程进行了说明与规范。根据列控系统测试平台的功能特征,应用微服务的思想,将平台拆分为若干逻辑子集群,子集群之间通过Kubernetes集群内部的网络服务进行通信,平台的各类功能在其对应的逻辑子集群中以容器微服务的形式各自独立执行。同时,在云平台中引入自动化测试脚本与测试案例自动生成的技术,以提高自动化测试的覆盖范围。这一平台设计能够降低列控系统测试平台各个功能之间的耦合程度,提升平台的可靠性与可扩展性,在满足现有的列控系统信号设备测试需求的基础上,为大量测试任务以及未来各类新型列控信号设备的测试任务提供支持。 展开更多
关键词 列控系统测试 云计算 Kubernetes 微服务 容器云平台 自动化测试
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H_(2)对HfO_(2)衬底上等离子体增强化学气相沉积石墨烯的影响
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作者 杨玉帅 王伟 +3 位作者 樊瑞祥 王凯 武海进 马勤政 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期78-84,共7页
HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高... HfO_(2)薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO_(2)衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而提高石墨烯场效应晶体管的性能。使用真空电子束蒸镀方法在重掺杂单抛硅片衬底上分别于50、150、250℃下沉积了100 nm厚的HfO_(2)薄膜样品;随后选用最优质量的HfO_(2)薄膜作为生长石墨烯的衬底,采用PECVD方法在温度为600℃、CH4流速为4 sccm的条件下,以不同的H2流速(0、5、10、15、20 sccm)原位生成石墨烯薄膜。结果显示,150℃下蒸镀的HfO_(2)薄膜粗糙度最低,表面最平整,同时也拥有最佳的介电性能。当H2流速为10 sccm时,可获得少层石墨烯薄膜,此时的石墨烯薄膜缺陷最小,表面平整且连续性好。通过对HfO_(2)衬底上石墨烯的生长机理进行分析发现,HfO_(2)衬底的低表面能导致含碳物种难以吸附到衬底上,石墨烯不易生长,但适当的H2参与可以有效降低CH4裂解反应的活化能,促进CH4的裂解,有利于生长出大面积的连续型石墨烯薄膜。 展开更多
关键词 HfO_(2)薄膜 石墨烯 真空电子束蒸镀 等离子体增强化学气相沉积 H2 生长机理
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PECVD法制备新型Cu-Gr复合材料用于未来互连
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作者 王璐伟 王伟 +1 位作者 梁旭婷 马勤政 《科学通报》 CSCD 北大核心 2024年第35期5183-5194,共12页
随着后端互连间距和横截面积的持续减小,Cu面临着电阻率、电迁移和RC延迟等挑战.石墨烯覆盖Cu后形成的复合材料(Cu-Gr),可以显著降低Cu线电阻率,提高其电流密度与抗电迁移性能,能有效应对当前纯Cu互连所面临的挑战.本文首先采用物理气... 随着后端互连间距和横截面积的持续减小,Cu面临着电阻率、电迁移和RC延迟等挑战.石墨烯覆盖Cu后形成的复合材料(Cu-Gr),可以显著降低Cu线电阻率,提高其电流密度与抗电迁移性能,能有效应对当前纯Cu互连所面临的挑战.本文首先采用物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)制备了100 nm厚的Cu膜,并通过Ar+射频清洗改善了其表面能.然后利用等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在Cu表面沉积石墨烯,通过调节衬底偏压至75 V,最终在Cu表面沉积出了具有低缺陷密度、较高平整度的少层石墨烯结构的碳薄膜.随后,对Cu-Gr进行了350℃热退火处理来改善其导电性能.结果表明,热退火处理前,在75 V衬底偏压下Cu-Gr的电导率最高,相比较热退火前的Cu,其电导率提升12.64%.热退火处理后,在50 V衬底偏压下Cu-Gr的电导率最高,相比较热退火后的Cu,其电导率提升12.75%.此外,ANSYS有限元分析表明将Cu-Gr应用于超大规模集成电路(very large scale integration circuit,VLSI)互连结构中,在通孔附近的等效热应力最高,其值为35.8 MPa.上层Cu-Gr互连位置等效弹性应变最大,其值为1.1×10^(-4). 展开更多
关键词 新型互连材料 石墨烯 等离子体化学气相沉积 衬底偏压 电导率 热应力
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