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小尺寸FFS产品Zara分析与改善研究 被引量：5
1
作者 刘利萍 吴涛 +3 位作者 刘俊豪 叶超前 陆相晚 崔完鎔 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期697-702,共6页
通过对大量Zara样品进行分析,构建了不良现象——对应原因（Phenomenon Cause）的4种理论模式,并基于此理论设计了改善Zara的实验.通过分析发现：约5μm左右可移动的Zara主要为摩擦工艺过程产生的碎屑;10～25 μm按压不动的Zara主要为... 通过对大量Zara样品进行分析,构建了不良现象——对应原因（Phenomenon Cause）的4种理论模式,并基于此理论设计了改善Zara的实验.通过分析发现：约5μm左右可移动的Zara主要为摩擦工艺过程产生的碎屑;10～25 μm按压不动的Zara主要为取向膜涂覆过程中的颗粒引起;轮廓清晰尺寸较大的Zara主要来自环境颗粒;无清晰轮廓且体积较大的Zara主要为摩擦取向失效形成的岛状漏光.为降低Zara不良进行实验,结果显示：增加取向膜在基板上的覆盖率以及变更彩膜涂层材料可有效降低Zara不良的发生率;此外,减小柱状隔垫物的坡度角度能够从源头上有效防止Zara的产生.Zara不良的研究与改善提升了小尺寸FFS产品的良率5％以上,为企业的稳定高效生产奠定了基础. 展开更多
关键词 TFT—LCD 小尺寸 ZARA 分类
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TFT-LCD四角发黑Mura的研究与改善 被引量：3
2
作者 操彬彬 刘幸一 +8 位作者 陈鹏 彭俊林 杨增乾 安晖 汪弋 栗芳芳 陆相晚 刘增利 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期122-127,共6页
研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进... 研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见,本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化,确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良,其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2),Cst持续增大,进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比,PVX2膜层致密性和阻水性加强,模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%,成功解决了该不良,避免了信赖性风险,提升了产品品质。 展开更多
关键词 Mura 信赖性 氮化硅 阻水 电容 灰阶
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ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响 被引量：2
3
作者 安晖 操彬彬 +12 位作者 栗芳芳 叶成枝 杨增乾 彭俊林 刘增利 吕艳明 陆相晚 张敏 陈婷婷 金珍 向康 金镇满 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期482-488,共7页
HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO... HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺。为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性。对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30min缩减至10min时,产品的透过率基本保持不变;2nd ITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性,但1st ITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低,其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1st ITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化,而配向膜涂覆后的2nd ITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应。在确保产品高透过率的前提下,选择从源头上减少了1st ITO内亚氧化物的产生,通过增加1st ITO成膜时的氧气流量也可以实现1st ITO退火的直接省略。最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性,最大化地提升了TFT产线的生产效率。 展开更多
关键词 氧化铟锡 退火 薄膜晶体管 透过率
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关于液晶联动的分析研究 被引量：2
4
作者 苗丹丹 董安鑫 +5 位作者 谭聪 任文明 陆相晚 黄寅虎 王章涛 唐文浩 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期543-547,共5页
目前京东方部分产品量产时易出现重力Mura、低温气泡等问题,本文针对问题产生的原因进行分析,并对PS高度测试方法、PS高度与液晶量的联动方法进行分析研究及实验验证。目前测试PS高度的方法并未考虑工艺波动造成的色阻段差的变化对盒内... 目前京东方部分产品量产时易出现重力Mura、低温气泡等问题,本文针对问题产生的原因进行分析,并对PS高度测试方法、PS高度与液晶量的联动方法进行分析研究及实验验证。目前测试PS高度的方法并未考虑工艺波动造成的色阻段差的变化对盒内体积的影响,本文首先提出了可以反映量产时色阻变化的PS高度测量方法,另根据LC Margin评价结果及PS形变量结果给出了PS高度与液晶量的联动关系。通过对PS高度与液晶量联动的分析研究,有效解决了因量产工艺波动造成的PS偏差引起的实际量产时滴下的液晶量并非对应的LC Margin中心的问题,从而避免出现重力Mura和低温气泡等LC Margin相关的问题,并且扩大了3%的工程管控范围,为企业的产品品质和竞争力的提升奠定了良好的基础。 展开更多
关键词 LC MARGIN PS高度 液晶量
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摩擦配向工艺对HADS产品像素漏光的影响分析 被引量：1
5
作者 栗芳芳 汪弋 +5 位作者 陆相晚 Eddie 蒋学兵 李恒滨 郭威 操彬彬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期241-244,共4页
从HADS产品像素漏光现象出发,分析了HADS产品产生像素漏光的主要原因和机理。通过分析发现,HADS产品像素漏光主要是因为摩擦弱区液晶配向角度异常导致的透过率差异产生的。并在此基础提供摩擦方向优化和PS形状优化以减少摩擦弱区对像素... 从HADS产品像素漏光现象出发,分析了HADS产品产生像素漏光的主要原因和机理。通过分析发现,HADS产品像素漏光主要是因为摩擦弱区液晶配向角度异常导致的透过率差异产生的。并在此基础提供摩擦方向优化和PS形状优化以减少摩擦弱区对像素漏光的影响。为更好画面品质的HADS产品提供了改善方向。 展开更多
关键词 像素漏光 摩擦弱区 液晶配向
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氮化硅膜层对侧视角白画面色偏的影响及发红改善
6
作者 叶成枝 操彬彬 +8 位作者 吕艳明 马力 安晖 彭俊林 冯耀耀 杨增乾 栗芳芳 陆相晚 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期467-474,共8页
研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考。通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白... 研究了TFT基板中氮化硅膜层对TFT-LCD终端产品侧视角白画面色偏的影响,填补了TFT膜层与TFT-LCD侧视角白画面色偏的研究欠缺,为类似的光学色度不良改善提供了有益的参考。通过大量的实验测试和仿真模拟,探索了氧化硅膜层厚度对侧视角白画面色偏的影响规律。结果表明,氮化硅膜层是一个影响色偏量和色偏方向的关键因素,其中栅极绝缘层(GI)和第一钝化绝缘层(PVX1)对色偏的影响较大,而第二钝化绝缘层(PVX2)对色偏的影响较小,氮化硅厚度与白画面侧视角色偏程度呈非线性相关。以某款HADS产品为例,其中氮化硅膜层包括栅极绝缘层(320nm)、第一钝化绝缘层(100 nm)和第二钝化绝缘层(200 nm)。基于单因子实验结果和模拟结果,综合考虑电学特性和产能影响,采用PVX1140 nm作为改善条件,对侧视角白画面发红改善有效,即宏观观察无发红现象且实测数据都满足产品规格。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 氮化硅膜层 光学色度 侧视角色偏 全白画面
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基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化
7
作者 吕艳明 操彬彬 +9 位作者 栗芳芳 安晖 叶成枝 李法杰 杨增乾 彭俊林 冯耀耀 刘增利 陆相晚 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2020年第3期219-226,共8页
HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HAD... HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。 展开更多
关键词 高开口率高级超维场转换技术 有机膜 等离子增强化学气相沉积 干法刻蚀
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氮化硅膜层对TFT白点色度均匀性的影响及其改善
8
作者 操彬彬 叶成枝 +11 位作者 安晖 马力 刘广东 吕艳明 彭俊林 杨增乾 栗芳芳 陆相晚 黄正峰 刘增利 廖伟经 李恒滨 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1166-1171,共6页
基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩... 基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩余厚度避免低速沉积GI(GL)的残留和降低PVX2膜层厚度以提升面内均一性的改善方案,最终使得产品的TFT WCU均值降低约0.000 7;最大值由改善前的0.007 0降至改善后的0.005 2,满足了最大值≤0.005 5的目标值,改善效果明显。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 氮化硅薄膜 白点色度均匀性 折射率
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