1
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Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤 |
郭达禧
贺朝会
臧航
席建琦
马梨
杨涛
张鹏
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
5
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2
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超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟 |
胡志良
贺朝会
张国和
郭达禧
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《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
5
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3
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UN基事故容错高铀密度核燃料芯块研究进展 |
陈明周
廖业宏
郭达禧
张显生
王继伟
任啟森
薛佳祥
李锐
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《材料导报》
CSCD
北大核心
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2023 |
1
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4
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微量Y对FeCrAl合金包壳力学与氧化性能的影响 |
刘洋
马海滨
吴利翔
郭达禧
严俊
杨荣坤
任啟森
薛佳祥
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《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2023 |
1
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5
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事故容错燃料锆合金包壳表面Cr涂层厚度设计 |
彭振驯
薛佳祥
郭达禧
任啟森
廖业宏
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《中国金属通报》
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2020 |
2
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