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多孔硅的形成与电流电压特性研究
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作者 沈桂芬 黄和鸾 +3 位作者 王正荣 高博静 刘岩 郭兴加 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。
关键词 多孔硅 阳极氧化 量子限制效应 电流-电压特性
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