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1
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一种优化设计的高频高压电力半导体器件 |
邹德恕
亢宝位
杜金玉
王东风
高国
王敬元
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
7
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2
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在液氮温度下具有高增益的SiGe/SiHBT |
邹德恕
陈建新
沈光地
高国
杜金玉
张时明
袁颖
王东凤
邓军
W.X.Ni
G.V.Hansson
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
4
|
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3
|
射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用 |
邹德恕
徐晨
罗辑
陈建新
高国
魏泽民
沈光地
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
3
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4
|
基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响 |
邹德恕
高国
陈建新
杜金玉
张京燕
沈光地
邓军
赵贞勇
黄绮
周钧铭
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
2
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5
|
新型聚酰亚胺电容式湿度传感器 |
邹德恕
王东凤
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《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
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1992 |
6
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6
|
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 |
邹德恕
徐晨
陈建新
史辰
杜金玉
高国
沈光地
黄大定
李建平
林兰英
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
1
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7
|
SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射 |
邹德恕
徐晨
罗辑
魏欢
董欣
周静
杜金玉
高国
陈建新
沈光地
王玉田
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
1
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8
|
SiGe/SiHBT及逆向制造方法 |
邹德恕
陈建新
沈光地
高国
杜金玉
张时明
袁颖
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1997 |
1
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9
|
f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管 |
邹德恕
陈建新
高国
沈光地
杜金玉
王东凤
张时明
袁颍
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《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
|
1996 |
1
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10
|
碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究 |
邹德恕
廉鹏
殷涛
李爽
刘莹
高国
罗辑
杜金玉
沈光地
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1999 |
1
|
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|
11
|
多发射极Si/SiGe异质结晶体管 |
邹德恕
袁颖
史辰
徐晨
杜金玉
陈建新
董欣
王东风
高国
沈光地
|
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
1
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12
|
SiGe/SiHBT制造中干法、湿法腐蚀技术的研究 |
邹德恕
陈建新
袁颖
董欣
高国
沈光地
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1997 |
1
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13
|
射频溅射法镀LD腔面光学薄膜的工艺研究 |
邹德恕
徐晨
鲁鹏程
杜金玉
崔碧峰
舒雄文
刘莹
沈光地
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
|
2003 |
1
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14
|
980nm半导体激光器远场特性的优化 |
邹德恕
廉鹏
张丽
王东凤
杜金玉
刘莹
韩金茹
徐晨
高国
沈光地
|
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
1
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15
|
SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究 |
邹德恕
高国
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1998 |
1
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16
|
电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si／Si_（1－x）Ge_x HBT中的应用研究 |
邹德恕
陈建新
沈光地
张时明
邓军
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1996 |
0 |
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17
|
77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT |
邹德恕
陈建新
徐晨
魏欢
史辰
杜金玉
高国
邓军
沈光地
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
0 |
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18
|
新型低温高增益SiGe/SiHBT的研究 |
邹德恕
陈建新
张时明
高国
杜金玉
董欣
沈光地
安玉芹
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1997 |
0 |
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19
|
MOS型集成氨敏传感器 |
邹德恕
王东风
高国
|
《传感器世界》
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1997 |
1
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20
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新型电容式湿度传感器简介 |
邹德恕
王东风
高国
|
《传感器世界》
|
1996 |
1
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