现场光热光谱法研究银电极行为 被引量：3

1

作者 江志裕 向阳 +3 位作者 王江涛 邬建根 时炳文 沈寿彭 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1992年第4期372-377,共6页

利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安... 利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安曲线上阳极电流增长(约0.22V)同步。类似情况亦发生在AgO层的生成过程。 展开更多

关键词 银电极氧化层 现场 光热光谱

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离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器 被引量：3

2

作者 郑国祥 邬建根 +3 位作者 王昌平 朱景兵 屈逢源 周寿通 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期915-921,共7页

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

关键词 光电探测器 离子注入 热退火

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快速热退火在硅中引入的缺陷的研究 被引量：2

3

作者 陆昉 陆峰 +1 位作者 孙恒慧 邬建根 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期48-54,共7页

快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在65... 快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。 展开更多

关键词 硅 热退火 缺陷 深能级 载流子寿命

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金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用 被引量：2

4

作者 郑国祥 周寿通 +3 位作者 邬建根 王昌平 屈逢源 丁志发 《应用科学学报》 CAS CSCD 1991年第3期263-268,共6页

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10p... 以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍. 展开更多

关键词 硅 金属 杂质 分凝 磷吸除

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部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低 被引量：1

5

作者 郑国祥 周寿通 +2 位作者 屈逢源 邬建根 郑凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期307-312,共6页

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

关键词 导体器件 工艺 PN结 反向电流

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含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究

6

作者 胡灿明 黄叶肖 +4 位作者 叶红娟 沈学础 祁明维 邬建根 李晓雷 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期327-331,共5页

报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分... 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。 展开更多

关键词 直拉硅 复合浅施主 光热电离谱 硅

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快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流 被引量：4

7

作者 郭慧 邬建根 +4 位作者 沈孝良 屈逢源 金辅政 张建平 朱景兵 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期369-373,共5页

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.

关键词 热退火 铝合金 P-N结 漏电流 硅

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硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法 被引量：1

8

作者 马碧兰 邬建根 +2 位作者 屈逢源 朱景兵 张继昌 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期465-467,共3页

硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅... 硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500～3500cm-1红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。 展开更多

关键词 硅 载流子浓度 载流子吸收法

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SiC_xN_y:H薄膜的FTIR研究

9

作者 郭慧 张伟 +4 位作者 朱景兵 苏诚培 邬建根 王季陶 屈逢源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期253-258,共6页

用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜... 用低温PECVD方法制备出成分连续可交的SiC_xN_y:H薄膜,用FTIR和AES方法分析了薄膜的组分。实验表明FTIR吸收谱可以快速地估计SiC_xN_y:H薄膜中N/N+C的比例,快速灯光退火薄膜的FTIR分析表明用PECVD制作的SiC_xN_y:H薄膜用做硅器件钝化膜具有较好的热稳定性。 展开更多

关键词 SiCxNy:H 薄膜 FTIR PECVD

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喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向

10

作者 吴华生 邬建根 屈逢源 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第7期500-507,共8页

测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方... 测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方法得到的结果和X射线衍射法得到的结果。 展开更多

关键词 锌矿 晶体 晶向 喇曼散射 光极值

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硅中氧的FTIR研究

11

作者 马碧兰 朱景兵 +3 位作者 邬建根 张继昌 周寿通 屈逢源 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期327-330,共4页

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.

关键词 硅 氧 红外辐射

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高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收

12

作者 张继昌 邬建根 +2 位作者 马碧兰 屈逢源 朱景兵 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期187-189,共3页

高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值... 高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。 展开更多

关键词 硅晶体 快速热退火 红外吸收

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灯光退火装置及其均匀性

13

作者 朱景兵 邬建根 屈逢源 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期374-378,共5页

设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.... 设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.此装置能快速、均匀、有效地对半导体中由于离子注入造成的晶格损伤进行退火,并能用于其他半导体热处理工艺. 展开更多

关键词 集成电路 离子注入 灯光退火装置

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注^(31)P^+硅片损伤层的喇曼光谱术研究

14

作者 劳浦东 邬建根 屈逢源 《复旦学报（自然科学版）》 CAS 1984年第3期347-354,共8页

离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格... 离子注入是一种制备半导体器件的重要工艺.离子注入会造成半导体材料晶格的损伤,从而引起材料光学性质的改变.随着注入剂量的增加,损伤区域不断扩大,以致形成非晶态层.制备半导体器件,通常必须对注入后的晶片进行热退火,以消除这种晶格损伤.因此,检测离子注入半导体中的晶格损伤具有重要的应用意义.检测离子注入后半导体中损伤层的方法已有多种,其中传统的方法包括背散射沟道方法和顺磁共振方法,在光学手段中包括反射率方法和椭圆偏振方法,1974年,法国的J.C.Bour- 展开更多

关键词 硅片 喇曼光谱 拉曼光谱 损伤层 注入剂量 离子掺杂 离子注入 光谱术 喇曼

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喇曼散射光极值法定金刚石结构薄层的晶向

15

作者 吴华生 劳浦东 +1 位作者 邬建根 屈逢源 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期111-117,共7页

本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向... 本文提出了一个测定任意取向的金刚石结构薄层晶向的方法——喇曼散射光极值法。文中推导了任意取向的金刚石结构薄层的喇曼散射光强与薄层晶向及入射光偏振方向间的函数关系,并利用此函数的极值定出晶向。利用本文方法所得硅单晶定向结果与X射线衍射法定向结果进行了比较。 展开更多

关键词 金刚石 薄层晶向 散射光极值法

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