-
题名p-on-n型碲镉汞小间距探测器研究
- 1
-
-
作者
王鑫
刘世光
张轶
赵旭豪
王娇
-
机构
华北光电技术研究所
-
出处
《激光与红外》
北大核心
2025年第3期395-398,共4页
-
文摘
p-on-n结构的碲镉汞红外探测器芯片的暗电流低、少子寿命长,是目前高性能红外探测器的主流发展方向,同时,为了满足未来红外探测器小型化的发展需求,本文主要针对p-on-n型长波10μm像元间距1280×1024探测器芯片进行了研究,采用了p-on-n异质结的技术路线,对小间距台面成型及钝化技术进行研究,通过SEM评价台面及钝化形貌,通过CV测试评价出钝化层质量,并进行了探测器的研制,采用半导体参数测试仪对芯片在77 K下进行pn结的I-V特性的评价,测试出IV特性曲线,并对芯片进行倒装互连电路进行了性能测试,获得了性能较好的探测器芯片。该研究对小间距长波p-on-n碲镉汞焦平面器件的制备具有重要意义。
-
关键词
碲镉汞
10μm间距
p-on-n
异质结
-
Keywords
HgCdTe
10μm pitch
p-on-n
heterojunction
-
分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
-
