集成电路陶瓷封装热阻R_(T-JC)的有限元分析 被引量：13

1

作者 贾松良 朱浩颖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期6-11,共6页

给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和外壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度、芯片面积、芯片粘接层热导率... 给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和外壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度、芯片面积、芯片粘接层热导率的关系。这些结果既为将采用热测试芯片测量的集成电路封装热阻值应用于实际器件提供了参考。 展开更多

关键词 集成电路 封装 热阻 有限元 热分析

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倒装焊芯片的焊球制作技术 被引量：11

2

作者 贾松良 胡涛 朱继光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期25-28,共4页

介绍了芯片倒装焊的重要意义、发展趋势、基本的焊球类型、制作方法及焊球质量的检测技术。

关键词 倒装焊 凸焊点 焊球制作技术 半导体

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功率VDMOSFET的瞬态热阻抗测量 被引量：2

3

作者 贾松良 邓志宏 张向民 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1994年第3期45-49,共5页

介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结... 介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结果，在一定条件下进行的瞬态热阻抗测量可用来监测ＶＤ－ＭＯＳ管的芯片粘接质量和用作功率ＶＤＭＯＳ管的快速热筛选。 展开更多

关键词 VDMOSFET 瞬态热阻抗 测量

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压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用 被引量：2

4

作者 贾松良 朱浩颖 罗艳斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期812-817,共6页

本文介绍了一种（１００）硅片上的压阻型集成电路封装应力测试芯片的设计、制造、校准和应用测量情况．该应力测试芯片包含双极性４元素应力测试单元和偏轴３元素压阻系数校准单元．所用应力测试单元具有温度补偿、灵敏度高、抑制工艺... 本文介绍了一种（１００）硅片上的压阻型集成电路封装应力测试芯片的设计、制造、校准和应用测量情况．该应力测试芯片包含双极性４元素应力测试单元和偏轴３元素压阻系数校准单元．所用应力测试单元具有温度补偿、灵敏度高、抑制工艺对准误差的特点．采用四点弯曲法进行了硅压阻系数校准测量．采用其中一种应力测试芯片，测量了ＩＣ卡按ＩＳＯ７８１６－１标准规定的弯曲和扭曲情况下的芯片应力，发现：ＩＣ卡弯曲时主要受正应力，剪切应力较小；而扭曲时剪切应力较大。 展开更多

关键词 压阻型 集成电路 封装 应力测试芯片

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集成电路芯片粘接质量的快速热筛选 被引量：1

5

作者 贾松良 朱浩颖 罗艳斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期23-24,共2页

介绍用集成电路瞬态热阻测试仪对集成电路进行快速热筛选的方法，该方法可快速剔除粘接质量不良、热性能不好及热阻过大的芯片。对提高产品可靠性和半导体器件芯片粘接质量，保证新品热性能等都是十分有用的。集成电路芯片；粘接质量；

关键词 集成电路 芯片 粘接质量 快速热筛选

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功率半导体器件芯片背面多层金属层技术 被引量：3

6

作者 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期26-30,共5页

本文阐述了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座间电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技术具有重大的经济效益。

关键词 功率 半导体器件 芯片 金属层技术

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有关QFN72和CQFN72的热阻计算 被引量：3

7

作者 贾松良 蔡坚 +1 位作者 王谦 丁荣峥 《电子与封装》 2014年第4期1-4,共4页

文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25 K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵... 文章介绍了QFN72和CQFN72结到外壳的等效热路分析及结到外壳热阻θJC的简化计算方法,结果表明原设计下CQFN72的热阻约为1.25 K·W-1,几乎是QFN72的一倍。优化CQFN热设计的主要途径是适当减薄陶瓷基板厚度、在陶瓷基板中嵌入钨柱阵列、芯片减薄和采用金基焊料焊接等。从CQFN热设计考虑,不应在主散热区热沉下采用4J29或4J42焊接垫片,否则会使热阻θJC增大10%以上。 展开更多

关键词 QFN CQFN 封装 热阻 热设计

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微电子封装的现状及发展 被引量：5

8

作者 贾松良 《电子产品世界》 2000年第6期38-39,共2页

关键词 微电子 封装 集成电路

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封装内水气含量的影响及控制 被引量：14

9

作者 贾松良 《电子与封装》 2002年第6期12-14,16,共4页

本文介绍了电子元器件气密封装内的水汽含量对器件可靠性的影响,封装内水气的三个主要来源及控制方法。

关键词 气密封装 水气 可靠性 寿命

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微电子封装业和微电子封装设备 被引量：7

10

作者 贾松良 《电子工业专用设备》 2003年第1期7-11,共5页

介绍了国际和国内半导体封装业的发展情况及几种新颖封装,指出中国即将成为国际半导体封装产业的重要基地之一,这为我国发展半导体封装设备提供了良好的市场前景,例举了有关半导体封装工艺、检测、试验及支撑所需的设备。

关键词 微电子 封装 封装设备 半导体 检测 试验 BGA CSP WLP

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一种新颖的微电子封装:圆片级封装 被引量：2

11

作者 贾松良 胡涛 《世界电子元器件》 2002年第2期7-9,共3页

本文介绍了一种当前正在快速发展的微电子器件的新颖封装—圆片级封装(WLP)的定义、主要优缺点、焊盘再分布和植球等主要工艺过程等。

关键词 微电子 封装 圆片级封装 WLP

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微电子封装的发展及封装标准 被引量：5

12

作者 贾松良 《信息技术与标准化》 2003年第3期35-37,共3页

分析了当前微电子封装的发展趋势,简要介绍了2002年国际电工委员会年会(北京)47D分组会上讨论和通过的半导体器件封装标准的情况。

关键词 半导体器件 微电子封装 标准 发展趋势 封装密度

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1000V50AGTR的芯片设计

13

作者 贾松良 张向民 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期15-20,共6页

本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可靠性等之间的矛盾,给出了高压GTR的一般设计原则;其次,文中给... 本文简要介绍了GTR(巨型晶体管)芯片设计中高压、大电流、高增益和高可靠性等之间的关系及解决方法。本文首先指出了在GTR设计中高压和大电流、大电流和高增益、大功率和高可靠性等之间的矛盾,给出了高压GTR的一般设计原则;其次,文中给出了BV_(CBo)≥1000V,BV_(CEo)_(3u3)≥880V器件的高阻区掺杂浓度N_c和高阻区厚度W_c的优化设计值及其它X_(iE)、X_(ic)、W_B等纵向设计值的选取范围;第三部分介绍了单片50A GTR的发射区单元图形设计、集成电阻设计及芯片周围所用终端技术的设计。 展开更多

关键词 巨型晶体管 GTR 功率器件 芯片设计

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功率GaAs　MESFET的热阻测试

14

作者 贾松良 袁永科 李祖华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期398-404,共7页

阐述了功率ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件热阻测试中温敏参数ＶＧＳＦ和测试电流Ｉｍ的选取，给出了１～５Ｗ器件典型温敏参数的温度测试系数Ｍ与测试电流Ｉｍ的关系。讨论了测试延迟时间ｔｍｄ对△ＶＧＳＦ测量值的影响和三种校正方法。

关键词 砷化镓 场效应管 热阻 测试

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微电子封装业在我国的发展 被引量：1

15

作者 贾松良 《世界电子元器件》 2001年第11期46-47,共2页

我国应积极发展微电子封装业 微电子器件是由芯片和封装通过封装工艺组合而成,因此封装是微电子器件的两个基本组成部分之一.封装为芯片提供信号和电源的互连,提供散热通路和机械、环境保护.随着微电子技术的发展,微电子器件的高频性能... 我国应积极发展微电子封装业 微电子器件是由芯片和封装通过封装工艺组合而成,因此封装是微电子器件的两个基本组成部分之一.封装为芯片提供信号和电源的互连,提供散热通路和机械、环境保护.随着微电子技术的发展,微电子器件的高频性能、热能性、可靠性和成本等越来越受封装性能的制约. 展开更多

关键词 微电子封装业 中国 半导体产业

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中国的半导体封装产业

16

作者 贾松良 王水弟 蔡坚 《中国集成电路》 2004年第4期47-50,共4页

本文简要地介绍了中国已进入了半导体产业的快速发展期，目前已占中国半导体产业产值50％以上的半导体封装产业的产值将在2006年进入世界半导体封装产业的第四位，从而使中国成为世界半导体封装产业的重要基地之一。文中介绍了正在全面... 本文简要地介绍了中国已进入了半导体产业的快速发展期，目前已占中国半导体产业产值50％以上的半导体封装产业的产值将在2006年进入世界半导体封装产业的第四位，从而使中国成为世界半导体封装产业的重要基地之一。文中介绍了正在全面发展的中国半导体封装业的情况及存在问题。 展开更多

关键词 中国 半导体封装产业 市场 微电子封装 先进封装

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微电子封装中等离子体清洗及其应用 被引量：20

17

作者 聂磊 蔡坚 +1 位作者 贾松良 王水弟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期30-34,共5页

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。

关键词 等离子体清洗 干法清洗 微电子封装

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先进的MEMS封装技术 被引量：10

18

作者 王海宁 王水弟 +1 位作者 蔡坚 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期7-10,共4页

从特殊的信号界面、立体结构、外壳、钝化和可靠性五个方面总结了MEMS封装的特殊性。介绍了几种当前先进的MEMS封装技术:倒装焊MEMS、多芯片 (MCP)和模块式封装(MOMEMS)。最后强调,必须加强MEMS封装的研究。

关键词 MEMS 封装技术 倒装焊 模块式封装 多芯片 微机电系统 集成电路制造工艺

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倒装芯片凸焊点的UBM 被引量：8

19

作者 郭江华 王水弟 +2 位作者 张忠会 胡涛 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期60-64,共5页

介绍了倒装芯片凸焊点的焊点下金属（ＵＢＭ）系统，讨论了电镀Ａｕ凸焊点用ＵＢＭ的溅射工艺和相应靶材、溅射气氛的选择，给出了凸焊点ＵＢＭ质量的考核试验方法和相关指标。

关键词 倒装芯片 凸焊点 UBM 微电子封装

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用于圆片级封装的金凸点研制 被引量：5

20

作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页

介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多

关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射

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