期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响 被引量:4
1
作者 苗英新 王胜利 +3 位作者 刘玉岭 王辰伟 孙铭斌 洪姣 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第7期465-469,474,共6页
化学机械抛光(CMP)过程中苯并三氮唑(BTA)与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu—BTA钝化膜,是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA/OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分,并对清洗过程中有效去除Cu—BTA的螯... 化学机械抛光(CMP)过程中苯并三氮唑(BTA)与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的Cu—BTA钝化膜,是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA/OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分,并对清洗过程中有效去除Cu—BTA的螯合剂体积分数进行了研究。通过Cu—BTA膜厚生长实验,确定Cu—BTA的生长方式。根据BTA在不同FA/O型螯合剂中溶解度对比实验,确定FA/OⅡ型螯合剂为清洗液的主要成分。通过大量实验得到,FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.0075%~0.015%时,能有效去除Cu—BTA钝化膜及表面其他残留物,接触角下降到29°,表面粗糙度得到改善约为3.91nm。此外,静态腐蚀速率实验进一步验证接触角的测试结果,确定有效去除Cu—BTA的螯合剂体积分数。 展开更多
关键词 螯合剂 清洗剂 Cu—BTA聚合物 接触角 静态腐蚀速率 粗糙度
在线阅读 下载PDF
新型碱性清洗剂对BTA去除的研究 被引量:3
2
作者 洪姣 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 苗英新 段波 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第7期470-474,共5页
为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯... 为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯合剂是影响铜光片上BTA去除的主要因素,FA/OⅠ型表面活性剂对铜光片上BTA的去除有一定的作用。利用扫描电镜测试采用不同体积分数和不同配比的清洗液清洗后的图形片上的BTA沾污,通过对比清洗后铜光片上残留的BTA沾污数量可知,清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.01%和FA/O I型表面活性剂体积分数为0.25%时,清洗剂清洗BTA沾污效果最好,基本上无BTA沾污残留,并且清洗后未发现氧化铜颗粒和硅溶胶颗粒沾污。 展开更多
关键词 碱性清洗剂 螯合剂 表面活性剂 苯并三氮唑(BTA) 接触角
在线阅读 下载PDF
Non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning 被引量:5
3
作者 孙铭斌 高宝红 +3 位作者 王辰伟 苗英新 段波 檀柏梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第2期156-160,共5页
The effect of a non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning was investigated. By changing the concentration of the non-ionic surfactant, a series of experiments were performed on the 12 inch Cu patt... The effect of a non-ionic surfactant on particles removal in post-CMP cleaning was investigated. By changing the concentration of the non-ionic surfactant, a series of experiments were performed on the 12 inch Cu pattern wafers in order to determine the best cleaning results. Then the effect of the surfactant on the reduction of defects and the removal of particles was discussed in this paper. What is more, the negative effect of a non-ionic surfactant was also discussed. Based on the experiment results, it is concluded that the non-ionic surfactant could cause good and ill effects at different concentrations in the post-CMP cleaning process. This understanding will serve as a guide to how much surfactant should be added in order to achieve excellent cleaning performance. 展开更多
关键词 post-CMP cleaning non-ionic surfactant particle removal organic contamination
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部