量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量 被引量：2

1

作者 程兴奎 连洁 +3 位作者 王青圃 周均铭 黄绮 闫循领 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期97-99,共3页

通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.

关键词 量子阱红外探测器 峰值波长 散射测量 响应 Raman散射谱 多量子阱材料 抛光处理 结构材料

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Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 被引量：2

2

作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 任红文 刘士文 蒋民华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期692-694,共3页

由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理... 由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 . 展开更多

关键词 多量子阱 电子干涉 砷化镓 ALGAAS

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MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性 被引量：1

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作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-36,共4页

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为... 对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致． 展开更多

关键词 多量子阱 子带 红外辐射 外延生长

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GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光 被引量：1

4

作者 程兴奎 周均铭 黄绮 《山东大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期190-194,共5页

在温度T =77K ,测量了GaAs/Al0 3Ga0 7As超晶格的光致发光 ,发现在波数 v =1 3 1 56cm- 1和 v =1 2 2 89cm- 1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰 .理论分析表明 ,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光 ;而弱峰与底层GaAs重掺Si有... 在温度T =77K ,测量了GaAs/Al0 3Ga0 7As超晶格的光致发光 ,发现在波数 v =1 3 1 56cm- 1和 v =1 2 2 89cm- 1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰 .理论分析表明 ,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光 ;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关 .由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度 .理论计算值与实验结果符合得很好 . 展开更多

关键词 GAAS/ALGAAS 超晶格 光致发光

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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 被引量：2

5

作者 程兴奎 CHINV.W.L. +3 位作者 OSOTCHANT. TANSYEYT.L. VAUGHANM.R. GRIFFITHSG.J. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期345-349,共5页

在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0... 在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0． 展开更多

关键词 调制掺杂 多量子阱 光致发光 半导体 结构

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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

6

作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期339-343,共5页

在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

关键词 多量子阱结构 电子干涉 红外吸收 砷化镓 铝镓砷

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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

7

作者 程兴奎 马洪磊 +1 位作者 周均铭 黄绮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期318-320,共3页

在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .

关键词 多量子阱结构 光电流 电子干涉

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超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

8

作者 程兴奎 马洪磊 +2 位作者 周均铭 黄绮 王文新 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期462-465,共4页

测量了 ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格在 Ｔ＝７７ Ｋ时的光电流谱，发现在波数 ■＝１５８９ ｃｍ－１存在一个强电流峰．理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关．据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致．

关键词 超晶格 电子反射 光电流特性

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掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子的耦合模

9

作者 程兴奎 王文新 +1 位作者 周均铭 黄绮 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期548-550,共3页

在 Ｔ＝７７ Ｋ；测量出掺杂（Ｓｉ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格的拉曼散射谱，观察到拉曼位移分别为２２３ｃｍ－１和４２２ｃｍ－１的两个光散射峰．理论分析认为，这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的... 在 Ｔ＝７７ Ｋ；测量出掺杂（Ｓｉ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格的拉曼散射谱，观察到拉曼位移分别为２２３ｃｍ－１和４２２ｃｍ－１的两个光散射峰．理论分析认为，这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的．这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致． 展开更多

关键词 超晶格 等离子激元 纵光学声子 耦合模 掺杂

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多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性

10

作者 程兴奎 周均铭 黄绮 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期166-168,共3页

根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光... 根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光电流峰位置与实验测量的结果符合较好。 展开更多

关键词 多量子阱 电子干涉 光电流特性 电子波动

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GaAs多量子阱的光电流谱

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作者 程兴奎 周均铭 黄绮 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期228-231,共4页

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm－1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。

关键词 GAAS量子阱 光电流谱 电子干涉 光跃迁

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实验室建设需改革 被引量：2

12

作者 程兴奎 《国际学术动态》 2005年第2期48-48,共1页

2003年12月赴香港参加全国(包括港澳台地区)半导体物理学术会议，这是两岸三地的半导体科学工作者举行的首次盛大聚会。会上半导体科学界几位著名的专家。中国科学院院士就半导体物理发展的几个前沿问题作了大会报告，并且与会者就个人... 2003年12月赴香港参加全国(包括港澳台地区)半导体物理学术会议，这是两岸三地的半导体科学工作者举行的首次盛大聚会。会上半导体科学界几位著名的专家。中国科学院院士就半导体物理发展的几个前沿问题作了大会报告，并且与会者就个人的研究成果也进行了分会交流。无疑，这对我国半导体科学的发展将会起到极大的推动作用。会后笔者访问了香港科技大学、 展开更多

关键词 实验室建设 2003年12月 中国科学院院士 半导体科学 改革 香港科技大学 半导体物理 科学工作者 学术会议 前沿问题 研究成果 推动作用 极大的

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掺钇非晶硅的电特性

13

作者 程兴奎 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期212-215,共4页

由射频溅射技术将稀土元素钇（Y）掺入非晶硅，制备出一种新的N型半导体材料．掺Y低于9％（原子百分数，下同）时，在测量温度范围内1ogσ～T^-1呈线性关系；当掺Y高于13％时，logσ~T-关系可拟合成有一个拐点的两条直线；当掺Y达～30... 由射频溅射技术将稀土元素钇（Y）掺入非晶硅，制备出一种新的N型半导体材料．掺Y低于9％（原子百分数，下同）时，在测量温度范围内1ogσ～T^-1呈线性关系；当掺Y高于13％时，logσ~T-关系可拟合成有一个拐点的两条直线；当掺Y达～30％时。 展开更多

关键词 溅射 掺Y非晶硅 电特性

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金属/α-Si:H(Y)结构的整流特性

14

作者 程兴奎 《光电子技术》 CAS 1993年第4期70-74,共5页

在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm^2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常... 在掺稀土元素钇(Y)制备的室温电阻率约为7Ω·cm的n型非晶硅,即α-Si:H(Y)薄膜上,蒸发一层面积为3mm^2的Au或Al膜,从而形成一种金属/α-Si:H(Y)结构。测量该结构的电流—电压特性,结果观察到明显的Schottky势垒整流效应。但与通常情况不同,当加偏压使金属为负时出现电流的导通态,而加偏压使金属为正时出现电流的截止态。这是由于α-Si:H(Y)表面反型。 展开更多

关键词 整流 反型层 金属/非晶硅 结构

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量子阱红外探测器光栅耦合参数的优化 被引量：4

15

作者 连洁 王青圃 +2 位作者 程兴奎 陈大明 张飒飒 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第2期197-200,共4页

基于傅里叶光学的知识,分别对量子阱红外探测器的一维和二维光栅耦合模式进行了研究,得到器件的相对吸收率随波长和光栅周期之比的变化曲线,把此曲线作为优化光栅常数的依据。对于给定峰值波长的探测器,在波长与一维光栅周期之比为1时,... 基于傅里叶光学的知识,分别对量子阱红外探测器的一维和二维光栅耦合模式进行了研究,得到器件的相对吸收率随波长和光栅周期之比的变化曲线,把此曲线作为优化光栅常数的依据。对于给定峰值波长的探测器,在波长与一维光栅周期之比为1时,吸收率最大;波长与二维光栅周期之比为0.7时,吸收效率最高,结果与已发表的数据相符。此外,还对刻蚀误差的影响进行了讨论,当实际刻蚀的光栅常数与优化的有偏差时,耦合效率降低。 展开更多

关键词 量子阱 光栅耦合 光栅参数

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Ca_(0.28)Ba_(0.72)Nb_2O_6单晶的光学常数及吸收特性 被引量：2

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作者 连洁 王青圃 +8 位作者 程兴奎 王玉荣 张瑞峰 魏爱俭 姜军 张飒飒 仪修杰 陈焕矗 韩建儒 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期995-998,共4页

山大晶体所采用提拉法生长出新晶体铌酸钙钡。本文通过分光光度计和椭偏光谱仪分别测得室温下铌酸钙钡的透射率和折射率随波长的变化关系。透射率光谱显示该晶体在波长大于 380nm的可见光谱区是透明的。色散关系表明此材料的双折射较大 ... 山大晶体所采用提拉法生长出新晶体铌酸钙钡。本文通过分光光度计和椭偏光谱仪分别测得室温下铌酸钙钡的透射率和折射率随波长的变化关系。透射率光谱显示该晶体在波长大于 380nm的可见光谱区是透明的。色散关系表明此材料的双折射较大 ,在短波区域寻常光及非常光的折射率之差约为 0 .1 2。此外 ,由透射率曲线计算了可见光范围内铌酸钙钡的吸收系数。从而得到吸收系数的平方根与光子能量的函数关系曲线。通过对该曲线的研究 ,发现铌酸钙钡晶体吸收边以下对应的跃迁为间接跃迁 ,计算出间接跃迁的禁带宽度Eg 以及声子能量EP。 展开更多

关键词 晶体 寻常光 非常光 光子能量 椭偏光谱 跃迁 光学常数 铌酸 透射率 单晶

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量子干涉效应在红外探测器能带结构设计中的应用 被引量：1

17

作者 连洁 王青圃 +5 位作者 程兴奎 张飒飒 姜军 张瑞峰 周均铭 黄绮 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第3期272-276,共5页

利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致。这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态。另外,用新方法对超晶格样... 利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致。这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态。另外,用新方法对超晶格样品的光电流谱进行了分析,所得结果比K-P方法更接近实验值。由此证实了量子干涉效应引起的电子能态的存在和新方法在量子阱红外探测器能带结构设计中的实用性。 展开更多

关键词 红外探测器 超晶格材料 量子干涉效应 K-P方法 能带结构

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掺钇非晶硅薄膜的激光退火 被引量：1

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作者 王青圃 杨旭东 +3 位作者 赵圣之 王公堂 程兴奎 岳书彬 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期11-15,共5页

本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H(Y)用CWCO_2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500(?),相应的室温电导率提高4个... 本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H(Y)用CWCO_2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500(?),相应的室温电导率提高4个数量级。当采用扫描式激光退火,提高了功率密度,平均晶粒尺寸为1060(?)。 另外,本文对CWCO_2激光退火机理作了初步讨论。 展开更多

关键词 掺钇 非晶硅 激光 退火 薄膜

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量子阱红外探测器光耦合模式的发展状况 被引量：1

19

作者 连洁 王青圃 程兴奎 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期150-153,共4页

根据子带跃迁的量子力学选择定则 ,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应 ,只有利用光耦合模式 ,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式 ,红外探测器的量子效率才能提高。文中介绍了几种主要光耦合模式及其发展现状 ,指出各耦合... 根据子带跃迁的量子力学选择定则 ,量子阱红外探测器对垂直于阱层的辐射无响应 ,只有利用光耦合模式 ,把正入射的光束转变成量子阱可吸收的形式 ,红外探测器的量子效率才能提高。文中介绍了几种主要光耦合模式及其发展现状 ,指出各耦合模式的设计思想和适用范围 。 展开更多

关键词 量子阱 光耦合 响应率

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掺杂GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格的光致发光特性分析 被引量：2

20

作者 李华 程兴奎 +1 位作者 周均铭 黄绮 《真空电子技术》 2005年第3期17-19,共3页

在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认。理论计算和实验结果符合很好。

关键词 GAAS/ALGAAS 超晶格 光致发光

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