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纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析 被引量：5
1
作者 檀柏梅 牛新环 +2 位作者 时慧玲 刘玉岭 崔春翔 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期881-884,共4页
二氧化硅是目前IC生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（CMP）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质CMP机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅... 二氧化硅是目前IC生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（CMP）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质CMP机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅水溶胶配制抛光浆料进行CMP实验研究，采用这种高浓度、易清洗、低分散度的硅溶胶纳米磨料达到了较高的去除速率和较好的表面状态，有效地减少了表面划伤。另外还分析了磨料粒径、浓度及浆料的流速对CMP的影响，并且对浆料中加入的表面活性剂的作用进行了讨论。 展开更多
关键词 化学机械抛光 纳米磨料 粒径 浓度 去除速率
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铌酸锂CMP速率的影响因素分析 被引量：4
2
作者 檀柏梅 牛新环 +2 位作者 韩丽丽 刘玉岭 崔春翔 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期574-578,共5页
对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速... 对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压力、流量等的实验研究,分析讨论了各因素对CMP速率的影响机制,并得出优化的CMP方案. 展开更多
关键词 铌酸锂 CMP 去除速率 抛光液
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ULSI制备中SiO_2介质的化学机械抛光 被引量：3
3
作者 檀柏梅 刘玉岭 连军 《河北工业大学学报》 CAS 2001年第3期32-36,共5页
对超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述，对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析，对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了... 对超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述，对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析，对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了讨论． 展开更多
关键词 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 超大规模集成电路 二氧化硅
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ULSI多层布线中SiO_2介质CMP技术 被引量：7
4
作者 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2001年第2期101-106,共6页
对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提... 对甚大规模集成电路 ( ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析 ,如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题及发展趋势进行了综述 ,对现存的一些难题提出了改进方案。 展开更多
关键词 化学机械抛光 全局平面化 多层布线 二氧化硅 CMP技术
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ULSI硅衬底片清洗技术的分析研究
5
作者 檀柏梅 刘玉岭 +1 位作者 李薇薇 张楷亮 《洗净技术》 2003年第2期4-8,共5页
本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术。
关键词 ULSI 衬底单晶片 清洗方法 表面活性剂 兆声清洗
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表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用 被引量：22
6
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 赵之雯 郝子宇 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第2期72-76,共5页
表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理... 表面活性剂以其特有的降低表面张力特性、分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和污染的必不可少的辅助材料.本文主要对表面活性剂的作用机理及对硅表面性能的影响进行分析讨论. 展开更多
关键词 硅片 表面活性剂 渗透 分散 清洗
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硅单晶片研磨液的研究 被引量：11
7
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 孙光英 蒋建国 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期431-433,共3页
论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况 ,通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮、金属离子的去除及表面颗粒吸附问题 ,并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析。
关键词 研磨液 悬浮 金属离子 颗粒吸附 表面活性剂 单晶硅
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蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究 被引量：18
8
作者 赵之雯 牛新环 +2 位作者 檀柏梅 袁育杰 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期16-19,46,共5页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 影响因素 表面状态
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蓝宝石衬底片的精密加工 被引量：12
9
作者 王娟 刘玉岭 +2 位作者 檀柏梅 李薇薇 周建伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期46-48,共3页
对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究。结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30℃;12.0>pH值≥9.0。并且,在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为... 对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究。结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30℃;12.0>pH值≥9.0。并且,在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除了可以应用于蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 硅溶胶 SiO2磨料
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Bi_2Te_3热电材料研究现状 被引量：12
10
作者 周欢欢 檀柏梅 +3 位作者 张建新 牛新环 王如 潘国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期765-770,777,共7页
Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔。Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主要集中在如何提高热电材料的能量转换效率上。... Bi2Te3热电材料是半导体材料,室温下具有良好的热电特性,能够实现热能和电能的相互转化,应用前景十分广阔。Bi2Te3热电材料的转换效率低是影响其应用的瓶颈之一,目前世界范围内的研究热点主要集中在如何提高热电材料的能量转换效率上。综述了热电材料的种类、国内外关于Bi2Te3热电薄膜的制备方法和性能研究,对多种典型制备方法进行分析对比,探讨了影响Bi2Te3热电薄膜质量的因素及机制。结合Bi2Te3热电薄膜在温差发电和热电制冷方面的应用,如果微型热电制冷器实现与大功率LED芯片集成封装,那么芯片级低温散热问题有望解决。 展开更多
关键词 热电材料 热电性能 碲化铋 温差发电 热电制冷
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多晶Si太阳电池表面酸腐蚀制绒的研究 被引量：11
11
作者 肖文明 檀柏梅 +2 位作者 刘玉岭 牛新环 边征 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第10期627-631,共5页
研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V(HF... 研究了采用HF和HNO3非择优腐蚀多晶硅表面制备绒面的机理。通过实验分析了酸混合液的体积浓度配比、添加剂、温度和时间等因素对腐蚀速率和腐蚀后表面形貌的影响;总结出了多晶Si的酸腐蚀规律,得到了制备理想绒面的酸混合液体积配比(V(HF):V(HNO3):V(CH3COOH)=1∶12∶6)。在此基础上提出了优化设计方案:采用廉价的水代替醋酸作为缓蚀剂,腐蚀过程置于超声槽中进行,利用超声波的振动使反应生成的气泡快速脱离多晶Si片表面,同时使腐蚀液浓度分布更加均匀,从而制备出效果更佳的多晶Si绒面。 展开更多
关键词 多晶硅太阳电池 酸腐蚀 表面形貌 腐蚀速率 多晶硅片制绒
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固体表面高精密平面化技术研究进展 被引量：9
12
作者 刘玉岭 牛新环 +1 位作者 檀柏梅 肖文明 《河北工业大学学报》 CAS 北大核心 2009年第2期1-8,共8页
随着国内外市场的极大需求及激烈竞争,固体表面高精密加工质量要求日益提高.化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术几乎是迄今唯一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微... 随着国内外市场的极大需求及激烈竞争,固体表面高精密加工质量要求日益提高.化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术几乎是迄今唯一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、宝石类衬底、金属材料、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了在微电子制造过程中CMP技术的重要性及该技术的机理和研究现状,指出了CMP技术在目前发展过程中存在的亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 固体表面 精密加工 化学机械抛光 平整化 微电子 抛光液
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硅的切削液的分析研究 被引量：14
13
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 郝国强 郝美功 《电子器件》 CAS 2001年第2期113-119,共7页
重点研究了硅的切削液的作用机理及相应切削液成分选择的理论依据 ,着重突出了对其渗透性和去除金属离子方面的研究。并在此理论的指导下 ,研制出的切削液性能稳定 ,效果显著 ,实现了技术突破。
关键词 切削液 表面张力 渗透性 螯合剂 硅 半导体材料
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ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究 被引量：8
14
作者 张楷亮 宋志棠 +2 位作者 张建新 檀柏梅 刘玉岭 《电子器件》 CAS 2004年第4期556-558,563,共4页
针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和... 针对超大规模集成电路多层互连结构中介质 CMP抛光速率低 ,急需的大粒径硅溶胶研磨料 ,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质 CMP用大粒径硅溶胶 ,并采用 TEM、激光粒度分析仪和 Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征。以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的 CMP研究 ,结果表明 ,平均粒径 1 0 3 .4nm的硅溶胶浆料的去除速率达 63 0 nm/min,有效解决了二氧化硅介质 展开更多
关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 纳米研磨料 硅溶胶 大粒径
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太阳能电池单晶Si表面织构化的工艺改进 被引量：6
15
作者 闫宝华 檀柏梅 +3 位作者 刘玉岭 孙增标 申晓宁 张研 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第11期695-699,共5页
通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化... 通过实验分析Na2SiO3和Na3PO4混合溶液对〈100〉晶向的单晶Si片的各向异性腐蚀过程,探讨了Na2SiO3溶液和Na2SiO3、Na3PO4混合溶液对表面织构化的影响机制,并且对制绒前Si片的电化学清洗过程和混合溶液的反应温度和反应时间等参数的变化对金字塔绒面微观形貌的影响做了分析。最终通过大量实验得到,用质量分数为4%的Na2SiO3和2%的Na3PO4混合溶液在78℃腐蚀60min,单晶Si片表面可获得最佳反射率为11.98%的减反射绒面。单晶Si片表面的反射率优于单独使用Na2SiO3溶液腐蚀,更重要的是制得了很好的均匀性表面。 展开更多
关键词 单晶硅 太阳电池 电化学清洗 绒面 各向异性腐蚀 转换效率
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ULSI衬底硅单晶片清洗技术现况与展望 被引量：8
16
作者 刘玉岭 古海云 +1 位作者 檀柏梅 桑建新 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期134-138,共5页
阐述了ULSI衬底硅单晶片清洗的重要性 ,详尽介绍了目前世界上采用的各种清洗方法 (湿法、干法、兆声、激光等 )的发展概况、应用价值及发展方向 ,并提出晶片清洗的发展趋势将向多元化、综合化和专用化方向发展。
关键词 ULSI 硅衬底 清洗方法 硅单晶 集成电路 半导体
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蓝宝石衬底化学机械抛光的机理研究 被引量：6
17
作者 牛新环 刘玉岭 +1 位作者 檀柏梅 马振国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4096-4099,共4页
利用磨料为SiO2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光（简称CMP）的机理进行了深入的研究，指出了蓝宝石CMP的主要的动力学过程，并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。结果表明，蓝宝石衬底... 利用磨料为SiO2的碱性抛光液对蓝宝石衬底材料进行了化学机械抛光，并对蓝宝石衬底化学机械抛光（简称CMP）的机理进行了深入的研究，指出了蓝宝石CMP的主要的动力学过程，并详细分析了影响各动力学过程的诸要素。结果表明，蓝宝石衬底的CMP过程是一个复杂的多相反应过程，是化学作用与机械作用互相加强和促进的过程，影响它的各要素间既相互促进，又相互制约。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石衬底 机理 去除速率 动力学过程
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微电子工艺中的清洗技术现况与展望 被引量：9
18
作者 刘玉岭 李薇薇 檀柏梅 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第6期11-17,共7页
介绍了微电子行业的清洗现状以及其工艺的清洗原理(包括颗粒、金属离子等),分析了存在的问题,阐述了硅片清洗的急待解决的难题和ODS(破坏臭氧层物质)清洗液的替代问题.说明了润湿剂、渗透剂和螯合剂的作用,并对今后的微电子清洗发展方... 介绍了微电子行业的清洗现状以及其工艺的清洗原理(包括颗粒、金属离子等),分析了存在的问题,阐述了硅片清洗的急待解决的难题和ODS(破坏臭氧层物质)清洗液的替代问题.说明了润湿剂、渗透剂和螯合剂的作用,并对今后的微电子清洗发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 微电子 清洗 金属离子 ODS 螯合剂 润湿剂 渗透剂 制作工艺 集成电路
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ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化 被引量：4
19
作者 刘玉岭 邢哲 +2 位作者 檀柏梅 王新 李薇薇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期18-20,34,共4页
分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究。
关键词 化学机械抛光 抛光液 CMP 多层布线 ULSI 铜钽抛光
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磁控溅射法制备Bi_2Te_3热电薄膜的研究 被引量：5
20
作者 周欢欢 檀柏梅 +3 位作者 张建新 牛新环 王如 潘国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期126-129,134,共5页
Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用... Bi2Te3薄膜是室温下热电性能最好的热电材料,利用磁控溅射在长有一薄层SiO2的n型硅样品上制备Bi/Te多层复合薄膜,经后续退火处理生成Bi2Te3。通过分析Bi2Te3薄膜的生长和退火工艺,探讨Bi/Te中Te的原子数分数对薄膜热电性能的影响。采用XRD和SEM对薄膜的结构、形貌和成分进行分析,并测量不同条件下的Seebeck系数。薄膜Seebeck系数均为负数,表明所制备样品是n型半导体薄膜,且最大值达到-76.81μV.K-1;电阻率ρ随Te的原子数分数增大而增大,其趋势先缓慢后迅速。Bi2Te3薄膜的热电性能良好,Te的原子数分数是60.52%时,功率因子最大,为1.765×10-4W.K-2.m-1。 展开更多
关键词 热电材料 Bi2Te3薄膜 磁控溅射 退火 热电性能
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