-
题名Cr薄膜电阻桥的湿法腐蚀工艺参数研究
- 1
-
-
作者
杨生川
蒋洪川
邓新武
张万里
闫裔超
-
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
-
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期35-38,共4页
-
基金
预研基金资助项目(No.9140A12040412DZ02138)
-
文摘
采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。
-
关键词
湿法腐蚀
Cr薄膜
电阻桥
-
Keywords
wet etching
chromium thin films
resistance bridge
-
分类号
TB31
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
-
题名有机电解质片式钽电容器稳定性的提高
被引量：3
- 2
-
-
作者
田东斌
杨生川
敬通国
龙继云
-
机构
中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
-
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第2期22-26,65,共6页
-
基金
贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2019]5649)
-
文摘
新一代信息技术的发展不仅要求有机固体电解质片式钽电容器的等效串联电阻(ESR)小,更需要在严酷环境中使用时电容量、ESR和漏电流保持稳定。影响钽电容器稳定性的影响因素很多,其中界面稳定性是关键因素之一。为此,在此类电容器生产中引入一种新的界面预处理方法,即在介质氧化膜表面涂敷硅烷偶联剂预涂层,抑制介质氧化膜-聚合物界面的劣化。经过高低温、浪涌电压和125℃-2000 h寿命测试,静电容量、漏电流和ESR的稳定性有明显改善。试验结果表明,该界面预处理技术是制造高稳定性高压有机钽电容器非常有效的方法。
-
关键词
界面处理
有机电解质
钽电容器
稳定性
-
Keywords
interface treatment
organic electrolyte
tantalum capacitor
reliability
-
分类号
TN60
[电子电信—电路与系统]
-
