以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚...以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚电解质膜的表面形貌、结晶度和电导率。结果表明,改性S iO2在PEO中分散均匀且粒径仅为35 nm,不同S iO2含量下改性后的聚电解质膜电导率均比改性前明显提高。当S iO2质量分数为10%时,PEO/L iC lO4/KH560-S iO2的电导率达到最大值4.8×10-5S/cm(30℃)。展开更多
以聚氧化乙烯/高氯酸锂复合物(简记为(PEO)8L iC lO4)为基体,通过钛酸丁酯的水解缩合反应在其中原位生成T iO2粒子,制备了(PEO)8L iC lO4-T iO2复合聚合物电解质膜,采用原子力显微镜(AFM)、差示扫描量热法(DSC)和交流阻抗方法研究了复...以聚氧化乙烯/高氯酸锂复合物(简记为(PEO)8L iC lO4)为基体,通过钛酸丁酯的水解缩合反应在其中原位生成T iO2粒子,制备了(PEO)8L iC lO4-T iO2复合聚合物电解质膜,采用原子力显微镜(AFM)、差示扫描量热法(DSC)和交流阻抗方法研究了复合电解质膜的形貌、结晶、熔融行为和离子电导率。结果表明,T iO2粒子在基体中分散均匀,加入T iO2后复合电解质体系的玻璃化转变温度和结晶度均有所下降,而电导率明显提高,当T iO2添加量为5%时电导率最大,20℃和80℃的电导率分别为5.5×10-5S/cm和1.1×10-3S/cm。展开更多
文摘以聚环氧乙烷/高氯酸锂络合物(PEO/L iC lO4)为基体,前驱体正硅酸乙酯(TEOS)在基体中水解缩合的同时加入偶联剂KH560改性原位生成的S iO2,制备了PEO/L iC lO4/KH560-S iO2聚电解质膜,采用SEM、AFM、DSC和交流阻抗方法研究了改性前后聚电解质膜的表面形貌、结晶度和电导率。结果表明,改性S iO2在PEO中分散均匀且粒径仅为35 nm,不同S iO2含量下改性后的聚电解质膜电导率均比改性前明显提高。当S iO2质量分数为10%时,PEO/L iC lO4/KH560-S iO2的电导率达到最大值4.8×10-5S/cm(30℃)。
文摘以聚氧化乙烯/高氯酸锂复合物(简记为(PEO)8L iC lO4)为基体,通过钛酸丁酯的水解缩合反应在其中原位生成T iO2粒子,制备了(PEO)8L iC lO4-T iO2复合聚合物电解质膜,采用原子力显微镜(AFM)、差示扫描量热法(DSC)和交流阻抗方法研究了复合电解质膜的形貌、结晶、熔融行为和离子电导率。结果表明,T iO2粒子在基体中分散均匀,加入T iO2后复合电解质体系的玻璃化转变温度和结晶度均有所下降,而电导率明显提高,当T iO2添加量为5%时电导率最大,20℃和80℃的电导率分别为5.5×10-5S/cm和1.1×10-3S/cm。
