太阳电池绒面测量与分析 被引量：5

1

作者 孙铁囤 崔容强 王永东 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期422-425,共4页

通过对ＭＯＳ结构电容的测量分析，计算出太阳电池表面积的变化，实现对电池绒面制作工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果一致，通过ＭＯＳ系统的Ｃ－Ｖ特性测量可进一步对太阳电池的表面和界面特性作更加系统和深入的分析。

关键词 MOS 绒面测量 C-V特性 太阳电池

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新型薄膜温差电堆红外探测器的研制 被引量：1

2

作者 孙铁囤 周南生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期157-160,共4页

介绍一种新设计的薄膜型温差电堆红外探测器．该器件将吸收层与敏感面分两侧，用ＴＯ－５型封装的新结构．采用半导体工艺研制的Φ１型样品，其结集成度达２２个／ｃｍ２，响应率为３０￣５０Ｖ／Ｗ，弛豫时间为７０～１２０ｍｓ，光谱... 介绍一种新设计的薄膜型温差电堆红外探测器．该器件将吸收层与敏感面分两侧，用ＴＯ－５型封装的新结构．采用半导体工艺研制的Φ１型样品，其结集成度达２２个／ｃｍ２，响应率为３０￣５０Ｖ／Ｗ，弛豫时间为７０～１２０ｍｓ，光谱响应范围从紫外到远红外可调（由窗口材料选定）。 展开更多

关键词 温差电堆 弛豫时间 红外探测器

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MIS/IL p-Si太阳电池的几种低温表面钝化

3

作者 孙铁囤 曾为民 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期21-24,共4页

对P 硅基体的MOS ,MNS ,MNOS 3种钝化系统通过C V特性测试和电性能分析 ,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态 ,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS/IL　p Si太阳电池 ,通过工艺优化 ,MNOS可以发挥良好的表面... 对P 硅基体的MOS ,MNS ,MNOS 3种钝化系统通过C V特性测试和电性能分析 ,系统比较了不同结构及在不同的工艺条件下的介面态 ,介面固定正电荷和漏电流等参数。结果表明对于MIS/IL　p Si太阳电池 ,通过工艺优化 ,MNOS可以发挥良好的表面钝化和存储固定正电荷的功能。 展开更多

关键词 太阳电池 MIS/IL 硅 低温表面钝化

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钨硅/砷化镓肖特基接触的热稳定性分析

4

作者 孙铁囤 郭里辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期94-97,共4页

研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特... 研究了以ＷＳｉ０．６复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，不同退火温度下ＧａＡｓ衬底材料上ＷＳｉ０．６膜层的特性。包括ＷＳｉ０．６／ＧａＡｓ系统断面ＳＥＭ分析，ＡＥＳ界面机构分析、表面形貌分析及金属－半导体肖特基势垒特性分析。实验结果表明，在氩气压力为１３３Ｐａ的气氛下，直流磁控溅射的ＷＳｉ０．６膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能。 展开更多

关键词 肖特基接触 栅材料 钨硅/砷化镓 热稳定性

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硅片在HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀速度 被引量：4

5

作者 安静 孙铁囤 +2 位作者 刘志刚 汪建强 苦史伟 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期319-323,共5页

研究了硅片在富硝酸的HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀规律。随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段。另外,随着反应时间的延长,反应温度先... 研究了硅片在富硝酸的HF/HNO_3/H_2O体系中的腐蚀规律。随着腐蚀反应的进行,反应分5个阶段,在开始的5min内硅片腐蚀量较大,然后反应速度经历了下降、上升、下降再迅速下降的过程,最终达到稳定阶段。另外,随着反应时间的延长,反应温度先上升到达最大值,然后逐渐下降,溶液中氟离子浓度不断减小,反应速度随时间的变化规律是腐蚀生成热、体系与外界热交换以及溶液中氟离子浓度共同作用的结果。 展开更多

关键词 硅腐蚀 反直速度 温度

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利用高斯分布模型研究多晶硅晶界电学特性 被引量：3

6

作者 孟凡英 崔容强 孙铁囤 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期813-816,共4页

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制 ,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型 .将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布 ,利用这个模型 ,给出了改善的电流 -电压特性方程 ,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性 .数值计算... 研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制 ,建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型 .将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布 ,利用这个模型 ,给出了改善的电流 -电压特性方程 ,并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性 .数值计算表明 ,多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加 .另外 ,电阻率 ρ随掺杂浓度的增加而减小 ,当掺杂剂浓度约为 1× 1 0 19cm-3 ,ρ和 ρgb下降最快 .且在晶粒尺寸为 1 0 2 nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大 2～ 3个数量级 .分析结果表明 ,晶界是高电阻区 ,晶界的这种精细分布描述 ,有助于进一步理解多晶硅的晶界特性 ,从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率 . 展开更多

关键词 电学特性 高斯分布模型 多晶硅 晶界结构模型 晶界势垒分布模型 电阻率

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光伏新材料——掺氮碳薄膜溅射制备技术及测试 被引量：2

7

作者 丁正明 周之斌 +2 位作者 崔容强 孙铁囤 贺振宏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-322,共3页

介绍了采用氮气离子束溅射 ,高纯石墨为靶材 ,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术。对薄膜的沉积过程作了讨论 ,采用 X射线光电子能谱 (XPS)技术等对薄膜结构成分、氮 -碳、碳 -碳原子之间的键以及结合能作了研究 ,在 (1 1 1 )单晶硅片上... 介绍了采用氮气离子束溅射 ,高纯石墨为靶材 ,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术。对薄膜的沉积过程作了讨论 ,采用 X射线光电子能谱 (XPS)技术等对薄膜结构成分、氮 -碳、碳 -碳原子之间的键以及结合能作了研究 ,在 (1 1 1 )单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜 ,构成 C/Si异质结 ,在 1 0 0 m W/cm2 光照下 ,开路电压达 2 0 0 m V。 展开更多

关键词 光伏材料 掺氮碳薄膜 溅射制备技术 测试 碳/硅异质结 X射线光电子能谱 太阳能电池

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超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究 被引量：3

8

作者 周之斌 崔容强 +2 位作者 黄燕 孙铁囤 陈东 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期229-233,共5页

报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导... 报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果 ,选用氟作为掺杂元素 ,通过改变掺杂量和工艺参数 ,可控制薄膜的方块电阻在 1 0 Ω/□以上的范围内变化 (40 0 nm膜厚 ) ,掺氟离子二氧化锡为 n型导电半导体 ,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为 87%～ 90 % (采用 550 nm单色光源测透过率 )。用 X射线衍射及扫描电子显微镜分析 ,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量。该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜 ,提供了有效、简单的方法和装置。 展开更多

关键词 超声雾化喷涂工艺 二氧化锡 透明导电薄膜

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一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究 被引量：2

9

作者 周之斌 崔容强 +2 位作者 徐秀琴 徐林 孙铁囤 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期106-109,共4页

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪... 采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。 展开更多

关键词 超声雾化喷涂 SNO2薄膜 减反射涂层 薄膜

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射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文) 被引量：2

10

作者 赵占霞 栗敏 +3 位作者 詹颜 王德明 马忠权 孙铁囤 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期299-302,共4页

用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,... 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。 展开更多

关键词 纳米硅薄膜 RF溅射I-V曲线 能带模型

原文传递

氨水在HF/HNO_3/H_2O系统中对硅片刻蚀的影响 被引量：1

11

作者 汪建强 刘志刚 +1 位作者 安静 孙铁囤 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期467-470,共4页

研究了晶体硅太阳电池酸绒面制备中,NH3.H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响.实验结果表明,当NH3.H2O加入量较少时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而变大;NH3.H2O含量大于某值时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而减小.最后,用... 研究了晶体硅太阳电池酸绒面制备中,NH3.H2O在HF/HNO3/H2O体系中对硅片刻蚀速度的影响.实验结果表明,当NH3.H2O加入量较少时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而变大;NH3.H2O含量大于某值时,硅片刻蚀速度随NH3.H2O含量增加而减小.最后,用气泡搅拌理论以及扩散层理论对实验中的现象进行了理论分析,其结果对多晶硅太阳能电池酸绒面制备有一定指导意义. 展开更多

关键词 硅片刻蚀 氨水 硝酸氨分解 搅拌

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直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响 被引量：1

12

作者 宫俊 孙铁囤 +2 位作者 张文敏 周南生 马振昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-38,共4页

以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；... 以ＷＳｉ复合材料作为靶源，采用直流磁控溅射工艺成膜，研究了在不同氩气（载能粒子）压力条件下，８００℃、１７ｍｉｎ退火前后ＷＳｉ薄膜及ＷＳｉ／ＧａＡｓ系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化；ＳＥＭ分析系统断面、ＡＥＳ分析膜层与ＧａＡｓ衬底的界面情况；并通过肖特基二极管Ｉ－Ｖ特性的测量研究其整流特性。实验结果表明，在１．３～１．６ｐａ氩气压力下淀积的ＷＳｉ膜层与ＧａＡｓ衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能，能够满足自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的工艺要求。 展开更多

关键词 溅射 硅化钨薄膜 氩气压力 直流磁控溅射

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中国太阳能光伏发电面临的困难与前景 被引量：9

13

作者 崔容强 黄燕 孙铁囤 《能源工程》 1999年第5期1-3,共3页

比较了中国与国际光伏发电的发展状况，分析了中国光伏发电所面临的五大困难，提出了克服这些困难的建议。表2参8。

关键词 光伏发电 前景 太阳能发电 中国

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背腐蚀法分离p-n结的研究

14

作者 刘志刚 孙铁囤 +4 位作者 苦史伟 罗培青 姜维 徐秀琴 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期165-168,共4页

采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结,用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化,对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较,用能带理论对其差别做了深入的解释。

关键词 背腐蚀 光生电动势 能带

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对太阳电池I-V曲线进行拟合的数论方法 被引量：15

15

作者 徐林 崔容强 +6 位作者 庞乾骏 丁正明 孙铁囤 黄燕 陈东 徐秀琴 王永东 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期160-164,共5页

以太阳电池等效电路为数学模型 ,提出一种采用数论方法拟合 I- V曲线的新方法。该方法的基本过程是 :先在 Cs上建立 glp集合的数论网格 ,然后确定拟合参数θ的初始范围 [a,b] ,再把该数论网格映射到 [a,b]上 ,从而获得 [a,b]内实数意义... 以太阳电池等效电路为数学模型 ,提出一种采用数论方法拟合 I- V曲线的新方法。该方法的基本过程是 :先在 Cs上建立 glp集合的数论网格 ,然后确定拟合参数θ的初始范围 [a,b] ,再把该数论网格映射到 [a,b]上 ,从而获得 [a,b]内实数意义上的均匀分布的参数可取值 θi,接下来利用目标函数选取最优的参数可取值 θt,其寻优过程可反复进行 ,直到满足给出的拟合精度 ,以这些满足拟合精度的参数作为最后的拟合参数。该方法对拟合模型没有任何限制 ,拟合精度可在要求精度范围内任意控制 ,具有很广的应用领域和实用价值。 展开更多

关键词 太阳电池 I-V曲线 拟合 数论方法

全文增补中

复合氧化物半导体氧敏材料的研究

16

作者 彭军 刘笃仁 孙铁囤 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 1994年第S1期30-33,共4页

将具有氧敏性的ＴｉＯ＿２与Ｎｂ＿２Ｏ＿５复合化，得到的复合材料分别比这２种单纯的材料的氧敏特性有所改善和提高。对复合材料的结构进行了初步的分析。

关键词 理论空燃比 氧敏特性 空气过剩率

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关于太阳能电池若干问题的讨论 被引量：1

17

作者 张智明 何珊 孙铁囤 《大学物理》 2024年第5期25-28,共4页

本文探讨了太阳能电池研究和教学中的3个问题:太阳能电池的核心是一个PN结,但为什么太阳能电池的伏安特性曲线与普通PN结的伏安特性曲线看起来相差甚远?太阳能电池的伏安特性曲线的变化细节到底是怎么样的?太阳能电池电路的输出电流、... 本文探讨了太阳能电池研究和教学中的3个问题:太阳能电池的核心是一个PN结,但为什么太阳能电池的伏安特性曲线与普通PN结的伏安特性曲线看起来相差甚远?太阳能电池的伏安特性曲线的变化细节到底是怎么样的?太阳能电池电路的输出电流、输出电压及输出功率是怎样随负载电阻变化的?本文的研究结果表明:太阳能电池的伏安特性曲线与普通PN结的伏安特性曲线之所以看起来相差甚远,是因为它本质上是太阳能电池电路负载电阻的伏安特性曲线,而不是太阳能电池中PN结的伏安特性曲线;在太阳能电池的伏安特性曲线中,随着电压的增大,电流是单调减小的;对确定的太阳能电池电路,随着负载电阻的增大,输出电流单调减小,输出电压单调增大,但输出功率不是单调变化的,而存在一个最佳功率值,这个最佳功率值对应一个最佳负载电阻值. 展开更多

关键词 太阳能电池 伏安特性曲线 负载特性曲线

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背腐蚀在晶体硅太阳电池生产中的应用 被引量：3

18

作者 苦史伟 孙铁囤 +3 位作者 刘志刚 汪建强 安静 叶庆好 《中国建设动态（阳光能源）》 2006年第6期53-55,共3页

背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF-HNO3体系,没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE... 背腐蚀可以用来代替生产中通常使用的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的p-n结分开。本文中背腐蚀使用了HF-HNO3体系,没有表面保护。用扫描电镜(SEM)观察了背腐蚀和等离子刻蚀后的表面形貌以及硅/铝界面情况,分析了背反射和内量子效应IQE。用背腐蚀代替等离子刻蚀后晶体硅太阳电池的ISC、VOC和电池效率都得到了提高。 展开更多

关键词 背腐蚀 SEM 背反射 IQE

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1064nm、532nm、355nm波长脉冲激光辐照多晶硅损伤特性研究 被引量：13

19

作者 冯爱新 庄绪华 +6 位作者 薛伟 韩振春 孙铁囤 陈风国 钟国旗 印成 何叶 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第2期461-465,共5页

为系统研究不同波长激光与多晶硅材料的相互作用,采用1 064 nm、532 nm、355 nm波长单脉冲激光对多晶硅进行辐照实验,研究多晶硅在这三种波长激光下的损伤形态。实验结果表明:在其他参数不变的情况下,损伤阈值随激光波长的减小而变小,... 为系统研究不同波长激光与多晶硅材料的相互作用,采用1 064 nm、532 nm、355 nm波长单脉冲激光对多晶硅进行辐照实验,研究多晶硅在这三种波长激光下的损伤形态。实验结果表明:在其他参数不变的情况下,损伤阈值随激光波长的减小而变小,且与波长呈线性关系;在低能量密度水平下,355 nm激光与物质作用主要是以光化学模型为主的光化学-光热共同作用方式,其他波长为光热模型;在激光能量密度处于低水平时,辐照区域出现相互连接的规则六边形微结构,并且六边形中心呈现圆形凸起状态,其产生是由液体横向流动的波动本质造成的,并与多晶硅表面的粗糙度有关。 展开更多

关键词 波长 多晶硅 损伤阈值 微结构

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衬底参数及界面特性对硅异质结电池性能的影响 被引量：5

20

作者 孙永堂 周骏 +2 位作者 孙铁囤 邸明东 苑红伟 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期870-875,共6页

针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面... 针对a-Si∶H(n)/c-Si(p)双面异质结太阳电池结构,数值研究了不同p型单晶硅衬底厚度、氧缺陷密度、电阻率以及异质结界面缺陷态密度与电池转化效率之间的关系。结果表明:异质结界面缺陷态密度是影响电池性能的最主要因素,衬底前表面界面缺陷密度增大,主要降低开路电压和填充因子,衬底背表面界面缺陷态密度主要影响短路电流和填充因子。其次,p型硅衬底厚度减小和氧缺陷密度的增大,均导致短路电流密度下降,电池转化效率降低,特别是在界面缺陷态密度较低时,氧缺陷密度对电池性能影响较大;最后,在衬底前表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2,后表面界面缺陷态密度为5×1010cm-2以及氧缺陷密度为109cm-2时,衬底电阻率存在最优值1Ω.cm。 展开更多

关键词 双面异质结 c—Si(p)衬底 太阳电池 AFORS·HET

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