利用三室根箱装置获得玉米生长室土壤(SⅠ)、根际土(SⅡ)、非根际土(SⅢ)3个不同根区土壤,采用传统平板计数培养与变性梯度凝胶电泳(DGGE)技术相结合的方法,研究了转基因玉米B t11及其非转基因亲本在播种后40、50、60 d各根区土壤细菌...利用三室根箱装置获得玉米生长室土壤(SⅠ)、根际土(SⅡ)、非根际土(SⅢ)3个不同根区土壤,采用传统平板计数培养与变性梯度凝胶电泳(DGGE)技术相结合的方法,研究了转基因玉米B t11及其非转基因亲本在播种后40、50、60 d各根区土壤细菌数量及多样性的变化。结果表明,转B t基因玉米播种后50、60 d SⅠ根区土壤可培养细菌数量显著低于非转基因亲本,播种后40、50 d SⅡ根区土壤可培养细菌数量较亲本玉米显著增加,而在其他时期和根区与亲本玉米之间均无显著差异。DGGE图谱显示,3个采样时期各根区DGGE图谱条带数、土壤细菌多样性指数和均匀度指数均无显著差异(P>0.05)。展开更多
文摘利用三室根箱装置获得玉米生长室土壤(SⅠ)、根际土(SⅡ)、非根际土(SⅢ)3个不同根区土壤,采用传统平板计数培养与变性梯度凝胶电泳(DGGE)技术相结合的方法,研究了转基因玉米B t11及其非转基因亲本在播种后40、50、60 d各根区土壤细菌数量及多样性的变化。结果表明,转B t基因玉米播种后50、60 d SⅠ根区土壤可培养细菌数量显著低于非转基因亲本,播种后40、50 d SⅡ根区土壤可培养细菌数量较亲本玉米显著增加,而在其他时期和根区与亲本玉米之间均无显著差异。DGGE图谱显示,3个采样时期各根区DGGE图谱条带数、土壤细菌多样性指数和均匀度指数均无显著差异(P>0.05)。
