为解决数据混合存储导致精准查找速度慢、数据未分类分级管理造成安全治理难等问题,构建基于主从多链的数据分类分级访问控制模型,实现数据的分类分级保障与动态安全访问。首先,构建链上链下混合式可信存储模型,以平衡区块链面临的存储...为解决数据混合存储导致精准查找速度慢、数据未分类分级管理造成安全治理难等问题,构建基于主从多链的数据分类分级访问控制模型,实现数据的分类分级保障与动态安全访问。首先,构建链上链下混合式可信存储模型,以平衡区块链面临的存储瓶颈问题;其次,提出主从多链架构,并设计智能合约,将不同隐私程度的数据自动存储于从链;最后,以基于角色的访问控制为基础,构建基于主从多链与策略分级的访问控制(MCLP-RBAC)机制并给出具体访问控制流程设计。在分级访问控制策略下,所提模型的吞吐量稳定在360 TPS(Transactions Per Second)左右。与BC-BLPM方案相比,发送速率与吞吐量之比达到1∶1,具有一定优越性;与无访问策略相比,内存消耗降低35.29%;与传统单链结构相比,内存消耗平均降低52.03%;与数据全部上链的方案相比,平均存储空间缩小36.32%。实验结果表明,所提模型能有效降低存储负担,实现分级安全访问,具有高扩展性,适用于多分类数据的管理。展开更多
利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出...利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出明显的p型半导体特征;纯TiO_2在2.127 e V附近时,有吸收谱的出现,因此其对可见光吸收的能力很微弱;N元素掺杂后,体系在0.937e V附近有吸收谱的出现;Eu元素掺杂后,体系在1.64～3.19 e V（对应波长为390～770 nm）的可见光区域内,出现吸收峰,有效地改善了锐钛矿相TiO_2晶体对可见光的响应.展开更多
应用第一性原理计算软件Material Studio 8中CASTEP模块分别计算纯TiO_2,单掺S,单掺Mo,以及S-Mo共掺的TiO_2四种体系的能带结构、能态密度和光学性质.计算结果表明:与纯TiO_2体系相比,掺杂后,体系的禁带宽度均减小;单掺Mo体系的静介电...应用第一性原理计算软件Material Studio 8中CASTEP模块分别计算纯TiO_2,单掺S,单掺Mo,以及S-Mo共掺的TiO_2四种体系的能带结构、能态密度和光学性质.计算结果表明:与纯TiO_2体系相比,掺杂后,体系的禁带宽度均减小;单掺Mo体系的静介电常数增大,而单掺S及SMo共掺体系,其值均减小;掺杂后的吸收光谱都发生了红移现象,单掺Mo以及S-Mo共掺体系在可见光范围内出现吸收峰.展开更多
运用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2、单掺Zr以及S-Zr共掺TiO_2体系的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,纯TiO_2禁带宽度为2.092 e V,掺杂Zr元素后TiO_2体系禁带宽度为2.128 e V,S-Zr共掺杂TiO_2后体系禁带宽度为1.394 e...运用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2、单掺Zr以及S-Zr共掺TiO_2体系的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,纯TiO_2禁带宽度为2.092 e V,掺杂Zr元素后TiO_2体系禁带宽度为2.128 e V,S-Zr共掺杂TiO_2后体系禁带宽度为1.394 e V,掺杂后的能带跃迁类型都为间接跃迁;掺杂Zr体系、S-Zr共掺杂体系与纯TiO_2相比吸收图谱依次向低能方向移动,发生红移.展开更多
文摘为解决数据混合存储导致精准查找速度慢、数据未分类分级管理造成安全治理难等问题,构建基于主从多链的数据分类分级访问控制模型,实现数据的分类分级保障与动态安全访问。首先,构建链上链下混合式可信存储模型,以平衡区块链面临的存储瓶颈问题;其次,提出主从多链架构,并设计智能合约,将不同隐私程度的数据自动存储于从链;最后,以基于角色的访问控制为基础,构建基于主从多链与策略分级的访问控制(MCLP-RBAC)机制并给出具体访问控制流程设计。在分级访问控制策略下,所提模型的吞吐量稳定在360 TPS(Transactions Per Second)左右。与BC-BLPM方案相比,发送速率与吞吐量之比达到1∶1,具有一定优越性;与无访问策略相比,内存消耗降低35.29%;与传统单链结构相比,内存消耗平均降低52.03%;与数据全部上链的方案相比,平均存储空间缩小36.32%。实验结果表明,所提模型能有效降低存储负担,实现分级安全访问,具有高扩展性,适用于多分类数据的管理。
文摘利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出明显的p型半导体特征;纯TiO_2在2.127 e V附近时,有吸收谱的出现,因此其对可见光吸收的能力很微弱;N元素掺杂后,体系在0.937e V附近有吸收谱的出现;Eu元素掺杂后,体系在1.64～3.19 e V（对应波长为390～770 nm）的可见光区域内,出现吸收峰,有效地改善了锐钛矿相TiO_2晶体对可见光的响应.
文摘应用第一性原理计算软件Material Studio 8中CASTEP模块分别计算纯TiO_2,单掺S,单掺Mo,以及S-Mo共掺的TiO_2四种体系的能带结构、能态密度和光学性质.计算结果表明:与纯TiO_2体系相比,掺杂后,体系的禁带宽度均减小;单掺Mo体系的静介电常数增大,而单掺S及SMo共掺体系,其值均减小;掺杂后的吸收光谱都发生了红移现象,单掺Mo以及S-Mo共掺体系在可见光范围内出现吸收峰.
文摘运用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2、单掺Zr以及S-Zr共掺TiO_2体系的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明,纯TiO_2禁带宽度为2.092 e V,掺杂Zr元素后TiO_2体系禁带宽度为2.128 e V,S-Zr共掺杂TiO_2后体系禁带宽度为1.394 e V,掺杂后的能带跃迁类型都为间接跃迁;掺杂Zr体系、S-Zr共掺杂体系与纯TiO_2相比吸收图谱依次向低能方向移动,发生红移.
