CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较 被引量：3

1

作者 袁寿财 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第4期1219-1222,共4页

为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层... 为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型和N型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p型和n型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p型和n型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS横向器件:Ron.A=C.V2B,对纵向器件:Ron.A=C.VB,与纵向DMOS导通电阻与击穿电压之间Ron.A=C.V2B.5的关系相比,CoolMOS的导通电阻降低了约两个数量级。 展开更多

关键词 COOLMOS 超级结器件 导通电阻 击穿电压 VDMOS

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平面工艺IGBT制作及导通压降的PIN模型计算 被引量：1

2

作者 袁寿财 刘亚媚 《西南交通大学学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期648-653,共6页

以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参... 以硅平面工艺生产设备为基础，设计制作了基于外延衬底的IGBT器件，器件的实测输出电流-电压特性良好，阈值电压在3．7～4．8V之间．将制作IGBT器件的结构和工艺参数代入PIN二极管模型计算其正向导通压降，并将计算结果与器件的实测参数进行了比较．结果表明：小电流区段符合较好；但大电流区段由于模型简化和测试系统寄生串联电阻的影响出现偏差，对于同一导通电流，计算值比实测值约小8％． 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 设计 工艺 PIN模型 制作

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碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究 被引量：1

3

作者 袁寿财 刘亚媚 《电子器件》 CAS 2008年第5期1523-1528,共6页

由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟... 由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化。 展开更多

关键词 碳纳米管场效应晶体管 弹道输运 器件模拟 量子效应 半导体器件模型 超薄衬底

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碳纳米管阴极场发射平板显示器用高压驱动电路研究 被引量：2

4

作者 袁寿财 刘亚媚 《赣南师范学院学报》 2013年第3期10-13,共4页

碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高... 碳纳米管场发射显示器是平板显示器中极具发展潜力的新型显示器件,是在碳纳米管及纳米工艺研究基础上发展起来的.它采用印刷碳纳米管来代替微锥形发射尖端,简化了制作工艺.另外,在碳纳米管平板显示器中,控制系统及驱动电路尤其是阴极高压驱动电路在整个显示系统中占有非常重要的地位,该高压驱动电路的设计优化和制作不但直接影响显示效果,甚至决定着整机的价格,本文结合碳纳米管显示器研制过程中对高压驱动电路的需要,对比分析了已有几种高压驱动电路的结构特点,设计了基于CMOS电路结构的高压驱动电路,电路全部由高压和低压MOSFET组成,从而达到降低功耗、提高速度、并利于实现单片集成的目的.用SPICE电路仿真软件验证所设计电路具有正确的逻辑功能,并对电路结构和器件参数进行优化.在此基础上,通过制作电路板,并实测电路的频率响应符合设计要求.用所制作电路板驱动系统驱动我们制作的5英寸单色碳纳米管阴极场发射平板显示屏,显示效果良好. 展开更多

关键词 场发射显示器 平板显示器 高压驱动电路 阴极 电路设计 CMOS 微尖锥 碳纳米管

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新型薄膜热电变换器的误差分析及其设计制作

5

作者 袁寿财 韩建强 +1 位作者 刘亚媚 宋力 《赣南师范大学学报》 2017年第3期39-44,共6页

交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与... 交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与加热电阻之间的寄生电容、减小因热电效应、寄生电容和介质损耗引起的交直流转换误差,从而具有较高的测温灵敏度.其次研究新型薄膜热电变换器设计制作中的关键工艺,加热电阻辐射的热量使得微机械桥平均温度上升,轴向压应力增加(或拉应力减小),谐振频率减小,通过测量微桥谐振频率的变化获得加热器的温度信息,而温度测量元件从加热电阻汲取的热量极小.这种新型薄膜热电变换器的测量输出量为频率信号,受电路噪声影响很小,因此是一种高计量精度的薄膜热电转换器. 展开更多

关键词 薄膜热电变换器 谐振器 微电子机械系统 交流电压标准 交流电流标准

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基于MOSFET的高频宽带线性单片功率放大器研究

6

作者 袁寿财 李孟山 +2 位作者 张文 刘亚媚 宋力 《赣南师范学院学报》 2015年第6期35-38,共4页

本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达... 本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达到最大,频带宽度达5-135 MHZ,在60 MHZ频率下,放大器的线性度为1 d B增益压缩点,在20-110 MHZ频率范围内,输入功率12 d B时,放大器的平均和最大增益分别为51.8 d B和53.5 d B,放大器的增益稳定性测试表明,频率60 MHZ,输入功率6 d B时,放大器的增益在24 d B-29 d B区间内波动. 展开更多

关键词 功率MOSFET 功率放大器 单片集成电路 研究 宽带

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基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

7

作者 袁寿财 乐江源 +1 位作者 宋力 刘亚媚 《赣南师范学院学报》 2015年第3期30-33,共4页

大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷... 大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法. 展开更多

关键词 电荷补偿 槽栅IGBT 全自对准制作工艺 研究 硅化物 掩膜 漂移区

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工作通讯写作技巧初探

8

作者 刘亚媚 《中国地市报人》 2015年第6期64-65,共2页

党报是各级党委、政府用于指导和推动工作的重要阵地,工作消息、工作通讯等在党报稿件中占有相当的分量,特别是工作通讯,具有内容翔实、阐述深刻、指导性强等特点,其采写质量更考验党报记者的素质。

关键词 写作技巧 通讯 党报记者 消息 稿件 采写

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深度报道栏目,如何做到扬优势塑品牌——《深度·宝鸡》栏目探析

9

作者 刘亚媚 《城市党报研究》 2023年第10期71-73,共3页

《宝鸡日报》推出《深度·宝鸡》栏目一年的实践证明,长稿子、大稿子并没有被读者嫌弃,具有“深、专、新、活”特色的深度报道不但受到读者欢迎,而且对提高报纸影响力和传播力具有重要作用。

关键词 聚焦热点 直面问题 深挖细掘 言之有物 小切口 大主题 故事性

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五起新闻敲诈典型案件分析

10

作者 刘亚媚 金鑫 《城市党报研究》 2019年第3期90-92,共3页

近年来新闻敲诈呈现出反向利用舆论监督机制、连环敲诈、利用自媒体平台大肆敲诈等特点。打击新闻敲诈,既要严格管理正规新闻媒体和新闻工作者,又要严厉打击假记者、假媒体。同时,各单位要正确看待工作中的失误,理性对待负面报道。

关键词 新闻敲诈 舆论监督 严管重罚

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巨成钛业在上海股权托管交易中心挂牌

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作者 刘亚媚 《钛工业进展》 北大核心 2015年第4期36-36,共1页

5月27日,宝鸡市巨成钛业有限责任公司在上海股权托管交易中心中小企业股权报价系统正式挂牌,成为宝鸡市首家在该中心挂牌的民营钛企业,同时也是宝鸡市第5家在该中心挂牌的中小企业。宝鸡市副市长丁琳、市政协副主席王虎贤出席挂牌仪式... 5月27日,宝鸡市巨成钛业有限责任公司在上海股权托管交易中心中小企业股权报价系统正式挂牌,成为宝鸡市首家在该中心挂牌的民营钛企业,同时也是宝鸡市第5家在该中心挂牌的中小企业。宝鸡市副市长丁琳、市政协副主席王虎贤出席挂牌仪式。据了解,宝鸡市巨成钛业有限责任公司成立于2004年5月,主要从事有色金属设备制造,有色金属材料及制品的加工、开发、销售。其研发生产的高性能特异性钛铜复合棒材等多种专利产品畅销国内外。经过多年努力, 展开更多

关键词 交易中心 挂牌 股权 托管 上海 有色金属材料 钛 中小企业

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当好质量兴市的把关人——宝鸡市质量技术监督局加强行风、作风建设纪实

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作者 刘亚媚 《中国品牌与防伪》 2011年第4期88-89,共2页

宝鸡是一个重视质量、盛产名牌的城市，质量也为宝鸡经济社会发展注入了强劲动力。近年来，宝鸡市3次跻身全国综合实力百强城市，并被批准确立为全国首批技术创新示范城市、全国制造业信息化及城市信息化试点城市、国家知识产权试点城... 宝鸡是一个重视质量、盛产名牌的城市，质量也为宝鸡经济社会发展注入了强劲动力。近年来，宝鸡市3次跻身全国综合实力百强城市，并被批准确立为全国首批技术创新示范城市、全国制造业信息化及城市信息化试点城市、国家知识产权试点城市、中国品牌经济城市。 展开更多

关键词 质量技术监督局 宝鸡市 质量兴市 作风建设 把关人 试点城市 行风 纪实

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