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半导体纳米线的掺杂与显微结构研究 被引量：1
1
作者 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期281-281,共1页
关键词 半导体纳米线 过掺杂 结构研究 半导体技术 微电子技术 功能器件 复杂系统 纳米器件 MN掺杂
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准一维半导体纳米结构的电子显微学研究(英文) 被引量：1
2
作者 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期259-264,共6页
本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术 ,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构 ,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高... 本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术 ,不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构 ,还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术 ,解决了一个传统X -光等结构分析手段所不能解决的难题 ,分析了一种SiOx 展开更多
关键词 准一维 电子显微学 半导体纳米线 纳米结构 纳米材料 半导体
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ZrO_2双晶衬底上生长的YBaCuO超导薄膜晶界结显微结构研究
3
作者 俞大鹏 戴远东 +6 位作者 王世光 胡晓东 王守证 熊光成 连贵君 王永忠 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期485-485,共1页
ＺｒＯ２双晶衬底上生长的ＹＢａＣｕＯ超导薄膜晶界结显微结构研究俞大鹏戴远东王世光胡晓东王守证熊光成连贵君王永忠张泽＊（北京大学物理系，北京１００８７１＊中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）在不同取向的双晶衬... ＺｒＯ２双晶衬底上生长的ＹＢａＣｕＯ超导薄膜晶界结显微结构研究俞大鹏戴远东王世光胡晓东王守证熊光成连贵君王永忠张泽＊（北京大学物理系，北京１００８７１＊中科院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）在不同取向的双晶衬底上生长ＹＢａＣｕＯ超导薄膜（超导... 展开更多
关键词 超导薄膜 生长 双晶衬底 晶界结 显微结构
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纳米硅量子线的发光特性研究
4
作者 俞大鹏 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期569-571,共3页
利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰... 利用脉冲激光蒸发或高温物理升华的方法,制备出纯度极高、直径分布均匀(13nm左右)的硅的一维量子线.光致发光(PL)测量显示,在313.5nm激光激发下,室温下硅量子线具有红绿蓝三色发光.对硅量子线进行氧化处理后,随氧化时间的增加,红光PL峰发生蓝移,而绿、蓝峰没有移动.红光PL与量子尺寸限制效应有关,而绿、蓝光PL来源于表层氧化硅中的缺陷发光. 展开更多
关键词 纳米硅 量子线 光致发光 量子限制 高分辨电镜
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科技进步与人类幸福
5
作者 俞大鹏 《科学对社会的影响》 北大核心 2002年第1期55-55,共1页
关键词 科技进步 幸福感 科技发展 科技发明
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Co掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其光致发光性能 被引量：18
6
作者 王百齐 夏春辉 +3 位作者 富强 王朋伟 单旭东 俞大鹏 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1165-1168,共4页
以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO... 以Zn(NO3)2·6H2O和Co(NO3)2·6H2O为原料,通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒.利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征,结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能.结果表明,水热法制备纯ZnO和ZnO∶Co纳米棒均具有较好的结晶度.Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格,掺入量为2%(原子分数)左右.纯的ZnO纳米棒平均直径约为20nm,平均长度约为180nm;掺杂样品的平均直径值约为15nm,平均长度约为200nm左右;Co掺杂轻微地影响ZnO纳米棒的生长.另外,Co掺杂能够调整ZnO纳米棒的能带结构、提高表面态含量,进而使得ZnO:Co纳米棒的紫外发光峰位红移,可见光发光能力增强. 展开更多
关键词 ZNO纳米棒 CO掺杂 水热法制备 光致发光(PL)
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类单晶氧化锌纳米棒的制备与表征 被引量：13
7
作者 张旭东 邢英杰 +3 位作者 奚中和 薛增泉 张蔷 俞大鹏 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期16-18,共3页
用简单的无催化剂、高温热蒸发方法制备氧化锌纳米棒 ,得到了具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米棒 ,长度为 (1- 5 ) μm ,直径约几十纳米。测量了ZnO纳米棒的光致发光特性。讨论了实验条件对纳米棒生长结果的影响 。
关键词 类单晶氧化锌纳米棒 制备工艺 晶体结构 光致发光特性 生长机理 半导体
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硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究 被引量：8
8
作者 邢英杰 奚中和 +4 位作者 俞大鹏 杭青岭 严涵斐 冯孙齐 薛增泉 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第2期259-262,共4页
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.... 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响. 展开更多
关键词 硅纳米线 SLS生长机制 升温特性 一维纳米材料 制备方法
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采用碳纳米管制备的碳化硅纳米晶须研究 被引量：18
9
作者 韩伟强 范守善 +2 位作者 李群庆 顾秉林 俞大鹏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期774-778,共5页
本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手... 本文报道了采用两步生长法生成碳化硅（SiC）纳米晶须.首先通过二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，然后生成的SiO与碳纳米管先驱体反应生成立方结构的β-SiC纳米晶须．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．通过XRD、HREM、Raman、PL等检测手段，对生成的碳化硅纳米晶须的形貌、结构等进行了分析研究．其直径为3～40nm，长度为2～20μm．并具有峰值位于430nm的蓝光发射带，本文中还对碳化硅纳米晶须生长机制进行了讨论． 展开更多
关键词 碳化硅 纳米晶须 碳纳米管 生长机制 晶须
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氧化镓纳米带的制备研究 被引量：13
10
作者 向杰 贾圣果 +1 位作者 冯孙齐 俞大鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期449-453,共5页
纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0... 纳米带是继纳米线、纳米管之后 ,最新报道的又一种准一维纳米结构。文中介绍了 Ga2 O3纳米带制备的新方法。这种方法与首次报道的纳米带的生长方法有很大不同。用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物形貌进行了分析 ,纳米带宽约 5 0 0 nm,厚度约 1 0 nm,宽度 /厚度比大于 2 0。选区电子衍射 (SAED)分析表明 ,产物是纯净的 Ga2 O3单晶。实验还发现了一些特殊形态的纳米结构 ,如纳米片等 ,证明了纳米带是一种常见并稳定存在的形态。最后 ,根据实验现象对纳米带的生长机制进行了初步的分析与讨论。 展开更多
关键词 氧化镓 钠米线 钠米带 准一维纳米结构
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SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究 被引量：8
11
作者 王朋伟 单旭东 +1 位作者 章新政 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期261-265,共5页
用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626n... 用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰。 展开更多
关键词 SnO2纳米线 掺杂 制备 结构 发光
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准一维纳米结构的电子显微学研究 被引量：2
12
作者 白志刚 张洪洲 +3 位作者 丁埃 杭青岭 俞大鹏 冯孙齐 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期493-494,共2页
自从１９９１年，Ｉｉｊｉｍａ发现纳米碳管［１］以来，一系列准一维纳米材料被相继用不同方法合成出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价... 自从１９９１年，Ｉｉｊｉｍａ发现纳米碳管［１］以来，一系列准一维纳米材料被相继用不同方法合成出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，因而受到人们的广泛研究和关注。... 展开更多
关键词 纳米材料 准一维结构 电子显微学 硅纳米线
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ZnO纳米棒阵列的同步法制备及其PL性能研究 被引量：1
13
作者 王百齐 王鹏伟 +4 位作者 张学进 章新政 付宏刚 井立强 俞大鹏 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1365-1368,共4页
在较低温度下,采用化学法在Zn片和玻璃片上同步制备了ZnO纳米棒阵列。利用XRD、FESEM和HRTEM对样品进行了表征,并且通过光致发光谱研究了阵列的光致发光(PL)性能。结果表明,ZnO纳米棒阵列较为致密、取向性较好。纳米棒为六方纤锌矿相,沿... 在较低温度下,采用化学法在Zn片和玻璃片上同步制备了ZnO纳米棒阵列。利用XRD、FESEM和HRTEM对样品进行了表征,并且通过光致发光谱研究了阵列的光致发光(PL)性能。结果表明,ZnO纳米棒阵列较为致密、取向性较好。纳米棒为六方纤锌矿相,沿c轴生长,平均直径约为60nm。同步法制备的2种ZnO纳米棒阵列均具有较好的紫外和橙红色发光性能,但发光特性却存在一定差异,这可能主要是由于2种阵列中纳米棒的缺陷含量不同所致。 展开更多
关键词 ZNO 纳米棒阵列 同步法制备 光致发光性能
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超精细纳米结构加工技术 被引量：2
14
作者 张敬民 廖志敏 +2 位作者 尤力平 叶恒强 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第3期167-170,共4页
利用高能会聚电子束的辐照损伤能力,在300 kV高分辨透射电镜中成功加工出小于5 nm的超精细纳米结构。加工精度在特征尺寸和空间位置上可同时达到一个纳米。加工的纳米结构具有原子尺度的边界,并可以通过高分辨像直接监视纳米结构的形成... 利用高能会聚电子束的辐照损伤能力,在300 kV高分辨透射电镜中成功加工出小于5 nm的超精细纳米结构。加工精度在特征尺寸和空间位置上可同时达到一个纳米。加工的纳米结构具有原子尺度的边界,并可以通过高分辨像直接监视纳米结构的形成过程。这种技术可以广泛应用于各种无机材料,尤其适用于无机化合物。结合自动控制,这种技术可以用于加工任意复杂的二维纳米结构。 展开更多
关键词 超精细纳米结构 高分辨透射电镜 纳米加工
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GaN纳米线的成核及生长机制研究 被引量：3
15
作者 贾圣果 俞大鹏 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期336-340,共5页
报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果 ,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响。通过分析GaN纳米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系 ,详细研究了GaN纳米线的生长过程。这一... 报道了利用CVD方法研究GaN纳米线的成核和生长机理的最新结果 ,着重强调了生长温度和催化剂对纳米线生长的影响。通过分析GaN纳米线的形貌、显微结构与生长温度、催化剂等影响因素之间的依赖关系 ,详细研究了GaN纳米线的生长过程。这一结果有助于了解一维纳米结构的生长机理 ,实现纳米材料的可控制生长 。 展开更多
关键词 GAN 成核 催化剂 生长机理
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Au/SnO_2异质同轴纳米电缆 被引量：1
16
作者 单旭东 王朋伟 +2 位作者 尤力平 俞大鹏 叶恒强 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期473-477,共5页
本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两... 本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。 展开更多
关键词 SNO2 AU 异质结构 纳米电缆
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Mn掺杂ZnO纳米线的制备及其磁学性能 被引量：1
17
作者 常永勤 俞大鹏 龙毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期296-299,共4页
采用气相沉积方法在ZnO纳米线中实现了磁性元素的原位掺杂,获得大量高结晶质量的Zn1-xMnxO纳米线.X射线衍射、光电子能谱和透射电镜结果表明,Mn确实固溶入ZnO中而没有形成杂质相.采用超导量子干涉仪研究了Zn1-xMnxO纳米线的磁学性能,发... 采用气相沉积方法在ZnO纳米线中实现了磁性元素的原位掺杂,获得大量高结晶质量的Zn1-xMnxO纳米线.X射线衍射、光电子能谱和透射电镜结果表明,Mn确实固溶入ZnO中而没有形成杂质相.采用超导量子干涉仪研究了Zn1-xMnxO纳米线的磁学性能,发现其铁磁性与Mn的掺杂含量有关. 展开更多
关键词 ZNO 掺杂 铁磁性 CVD
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用VLS机制制备硅纳米线的生长阶段研究 被引量：2
18
作者 邢英杰 俞大鹏 等 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期33-35,共3页
在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线，在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段：结晶阶段、共熔阶段和生长阶段，特殊条件下制备的处于结晶阶段的长度仅几十纳米的硅纳米线显示硅纳米线是从催化剂颗... 在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线，在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段：结晶阶段、共熔阶段和生长阶段，特殊条件下制备的处于结晶阶段的长度仅几十纳米的硅纳米线显示硅纳米线是从催化剂颗粒中长出来的，观察到的硅纳米线的生长过程说明VLS机制在纳米尺度仍然有效，可用于各种材料纳米线的制备。 展开更多
关键词 VLS机制 制备 硅纳米线 气-液-固生长机制 生长过程 纳米材料 半导体
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“镍纳米线/多壁碳纳米管/非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性
19
作者 朱静 罗俊 +3 位作者 叶恒强 邢英杰 俞大鹏 张鹭 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期39-39,共1页
关键词 多壁碳纳米管 镍纳米线 异质结 轴向 一维 伏安特性 非晶 金属/半导体
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以纳米碳管为媒介生长的纳米石英晶须的微结构
20
作者 张孝彬 张泽 +2 位作者 齐仲甫 李文铸 俞大鹏 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期305-308,共4页
应用电子显微技术，研究了以纳米碳管为媒介生长的SiO2晶须的形貌及其微结构特征，这些晶须为六角结构的。α-SiO2；直径为数十纳米，长度可达100μm以上，生长方向一般为[11-20]方向，且在校面方向上存在互成120°的面缺陷.
关键词 纳米碳管 纳米石英晶须 电子显微分析 微结构
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