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等效器件补偿法提高功率放大器的线性: 1; 作者何莉剑张万荣 +1 位作者谢红云张蔚《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期785-787,共3页; 针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的三阶交调减少了30 dB,并且提高了功率放大器... 展开更多; 关键词功率放大器线性化交调失真; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化: 2; 作者何莉剑张万荣 +1 位作者谢红云张蔚《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1025-1027,1064,共4页; 模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏... 展开更多; 关键词线性功率放大器偏置电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计被引量：3: 3; 作者张蔚张万荣 +4 位作者谢红云金冬月何莉剑王扬沙永萍《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期271-274,共4页; 结合超宽带（UWB）无线通信标准，给出了超宽带低噪声放大器（LNA）的设计思路。依据这个思想，并以高性能硅锗异质结双极型晶体管为核心，设计了一款超宽带低噪声放大器。采用安捷伦的ADS，对设计的放大器进行了仿真验证。结果表明，... 展开更多; 关键词超宽带低噪声放大器 SIGE HBT; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频E类功率放大器并联电容技术研究被引量：2: 4; 作者甘军宁张万荣 +3 位作者谢红云何莉剑李佳沈珮《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期333-335,359,共4页; 为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体管寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了... 展开更多; 关键词射频功率放大器 E类并联电容; 在线阅读下载PDF 职称材料

功率SiGe/Si HBT的温度特性被引量：1: 5; 作者张万荣王扬 +5 位作者金冬月谢红云肖盈何莉剑沙永萍张蔚《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期611-614,共4页; 测量了Si／SiGeHBT在23-260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性，以及Early电压U的变化情况。结果表明，随电流和温度的增加，β减少，％随温度的变化率dVBE／dT小于同质... 展开更多; 关键词 SIGE/SI 异质结晶体管温度特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计被引量：1: 6; 作者张万荣何莉剑 +6 位作者谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期591-594,共4页; 利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。; 关键词 SIGE/SI 异质结晶体管热电耦合; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于DFB激光器的光学微波信号的产生: 7; 作者谢红云金冬月 +4 位作者何莉剑张蔚王路张万荣王圩《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期4558-4563,共6页; 采用量子阱混杂的材料集成技术制备并联分布反馈激光器和Y形波导耦合器集成的新型光电器件.两个并联分布反馈激光器的激射模式在频率上稍有差别,这两束不同频率的激光在Y形波导耦合器拍频产生光学微波信号.分别独立调节注入到两个激光... 展开更多; 关键词光学微波信号生成分布反馈激光器 Y形波导拍频; 原文传递

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